【技术实现步骤摘要】
一种石墨舟防粉尘产生的预镀膜方法
本专利技术涉及太阳能光伏电池制造领域,特别涉及一种石墨舟防粉尘产生的预镀膜方法。
技术介绍
管式等离子体化学气相外延(PECVD)是制备非晶硅的技术方法之一。该技术方法一般以石墨舟作为衬底的载板,石墨舟由相互平行且相互绝缘的镂空石墨舟片组成,通过卡点的方式将硅片固定在镂空区域,硅片边缘与石墨舟接触以传导电流,石墨舟及硅片作为电极,在一定温度(100~500℃)条件下,通入一定比例的硅烷、氢气、磷烷、硼烷等特气组分,利用射频激发产生等离子体并在硅片上沉积非晶硅薄膜。PECVD淀积的薄膜具有优良的电学性能、良好的衬底附着性以及极佳的台阶覆盖性,正由于这些优点使其在超大规模集成电路、光电器件、MEMS等领域具有广泛的应用。在产业化生产应用中,石墨舟要经过装样-进炉-抽真空-升温-沉积-降温-破真空-出炉的一系列流程。按照此流程,石墨舟需经过升温-降温-升温-降温-不断循环的过程。在实际生产过程中,我们发现仅需短短的数个循环后,石墨舟上沉积的非晶硅薄膜出现了粉状剥离的情况,而剥离的粉 ...
【技术保护点】
1.一种石墨舟防粉尘产生的预镀膜方法,其特征在于,包含以下步骤:/n步骤1,将石墨舟进行清洗及烘干;/n步骤2,将清洗干净的硅片作为假片,装载到石墨舟上的相应位置;/n步骤3,将石墨舟置于镀膜设备中,在石墨舟的表面沉积出非晶硅薄膜,作为非晶硅薄膜的结构缓冲层可以显著降低结构热应力。/n
【技术特征摘要】
1.一种石墨舟防粉尘产生的预镀膜方法,其特征在于,包含以下步骤:
步骤1,将石墨舟进行清洗及烘干;
步骤2,将清洗干净的硅片作为假片,装载到石墨舟上的相应位置;
步骤3,将石墨舟置于镀膜设备中,在石墨舟的表面沉积出非晶硅薄膜,作为非晶硅薄膜的结构缓冲层可以显著降低结构热应力。
2.如权利要求1所述的石墨舟防粉尘产生的预镀膜方法,其特征在于,步骤3中非晶硅薄膜为氮化硅薄膜。
3.如权利要求1所述的石墨...
【专利技术属性】
技术研发人员:廖明墩,曾俞衡,闫宝杰,叶继春,陈晖,王玉明,
申请(专利权)人:苏州拓升智能装备有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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