【技术实现步骤摘要】
一种激光器及其制造方法与应用
本专利技术涉及激光器
，特别涉及一种激光器及其制造方法与应用。
技术介绍
垂直腔面发射激光器(VerticalCavitySurfaceEmittingLaser，VCSEL)是以砷化镓半导体材料为基础研制，有别于LED(发光二极管)和LD(LaserDiode，激光二极管)等其他光源，具有体积小、圆形输出光斑、单纵模输出、阈值电流小、价格低廉、易集成为大面积阵列等优点，广泛应用于光通信、光互连、光存储等领域。VCSEL从诞生起就作为新一代光存储和光通信应用的核心器件，为互联网的需求和光学存储密度的不断提高提供了一条新途径。随着VCSEL的研究深入以及应用需求的拓展，VCSEL不仅在手机、消费性电子等领域发挥越来越重要的作用，VCSEL还可以用来进行人脸识别、3D感测、手势侦测和VR(虚拟现实)/AR(增强现实)/MR(混合现实)等。现有技术中VCSEL阵列将多个发光器排列在基板上，不同单独控制每个发射器，同时还无法减少VCSEL阵列的尺寸。专利技术...
【技术保护点】
1.一种激光器，其特征在于，包括，/n衬底；/n多个发光单元，设置在所述衬底上，所述多个发光单元之间相互绝缘；/n其中，每一所述发光单元与所述衬底之间形成有电流阻挡层及电流扩散层，所述电流扩散层位于所述电流阻挡层上，每一所述发光单元内的电流从第一电极通过所述电流扩散层流向第二电极。/n
【技术特征摘要】
1.一种激光器，其特征在于，包括，
衬底；
多个发光单元，设置在所述衬底上，所述多个发光单元之间相互绝缘；
其中，每一所述发光单元与所述衬底之间形成有电流阻挡层及电流扩散层，所述电流扩散层位于所述电流阻挡层上，每一所述发光单元内的电流从第一电极通过所述电流扩散层流向第二电极。
2.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述电流阻挡层的长度大于位于所述电流阻挡层上的发光单元的长度，且相邻两个所述电流阻挡层之间具有预设距离。
3.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述第一电极位于所述发光单元上。
4.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述第二电极位于所述电流扩散层上，且所述第二电极距离所述发光单元具有预设距离。
5.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述电流阻挡层为层叠结构，所述层叠结构包括第一半导体层及第二半导体层，所述第二半导体层位于所述第一半导体层上，所述第一半导体层与所述衬底接触。
6.根据权利要求5所述的激光器，其特征在于，所述第一半导体层的类型不同于所述第二半导体层的类型。
7.根据权利要求1所述的激光器，其特征在于，所述电流阻挡层为层叠结构，所述层叠结构依...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁栋，刘嵩，张成，
申请(专利权)人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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