一种采用TSV技术的增强耦合型三维发夹滤波器制造技术

本发明专利技术公开了一种采用TSV技术的增强耦合型三维发夹滤波器，其特征在于，包括RDL制作滤波器耦合结构，相邻两层滤波器耦合结构之间采用TSV进行信号传输。本发明专利技术的采用TSV技术的增强耦合型三维发夹滤波器是三维结构。该滤波器将两个完全相同的平面RDL结构的发夹滤波器通过TSV信号传输，实现耦合的增强，从而得到更好的滤波性能。

An enhanced coupling three-dimensional hairpin filter using TSV Technology

【技术实现步骤摘要】
一种采用TSV技术的增强耦合型三维发夹滤波器
本专利技术属于滤波器
，具体涉及一种采用TSV技术的增强耦合型三维发夹滤波器。技术背景二十一世纪的科技飞速发展，比较突出的有无线传输中的微波领域技术。300MHz到300GHz频段的微波在军事、航空等领域普遍运用。在通信系统和射频电路中，微波滤波器得到广泛应用，其设计和性能起到至关重要的作用。微波滤波器是一个经典的选频器件，其体积小、制作简单、容易设计。随着科学技术的发展，基于无线通信的无线产品越来越普及。相应的频谱资源越发紧张。尤其是日常生活使用的频段越来越拥挤，需要更高性能要求的微波滤波器。因此滤波器的小型化称为研究热点之一。进行滤波器小型化的设计，传统方法是利用高介电常数、交叉耦合结构、交指结构、多层板技术和Koch分形结构等方法。但是平面路中集成度已经达到饱和，无法通过缩小器件尺寸去满足摩尔定律的发展。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种采用TSV技术的增强耦合型三维发夹滤波器，实现了发夹滤波器的耦合增强，解决了传统发夹滤波器平面结构滤波性能较差的问题。本专利技术所采用的技术方案是，采用TSV技术的增强耦合型三维发夹滤波器，采用上下两层RDL制作滤波器耦合结构，上下两层RDL中间层采用TSV信号传输，实现耦合的增强。两层RDL结构完全相同，由四个谐振腔和输入、输出抽头馈线组成。上下两层，每一对相应的谐振腔中间利用九个TSV连接。一种采用TSV技术的增强耦合型三维发夹滤波器，包括RDL制作滤波器耦合结构，相邻两层滤波器耦合结构之间采用TSV进行信号传输。每层所述RDL制作滤波器耦合结构包括四个谐振腔，每个谐振腔均与相邻RDL制作滤波器耦合结构的谐振腔一一对应。每个谐振腔包括三条线，谐振腔上U型构造表示电路中的一个电感和一个电容的串联实现，下U型构造表示电路中一个电感和一个电容的并联实现。每条线上设置有若干个硅通孔，每条线分别通过硅通孔与对应的谐振腔的三条线相连通。RDL制作滤波器耦合结构的一端设置有输入抽头馈线，另一端设置有输出抽头馈线。输入抽头馈线和输出抽头馈线均与谐振腔靠外侧的一条线相连接。与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：传统发夹滤波器是平面结构。本专利技术的采用TSV技术的增强耦合型三维发夹滤波器是三维结构。该滤波器将两个完全相同的平面RDL结构的发夹滤波器通过TSV信号传输。实现了耦合的增强，从而得到更好的滤波性能。附图说明图1是本专利技术的采用TSV技术的增强耦合型三维发夹滤波器的俯视图。图2是本专利技术的采用TSV技术的增强耦合型三维发夹滤波器的主视图。图3是本专利技术的采用TSV技术的增强耦合型三维发夹滤波器左视图。图中：1.上层RDL第一个谐振腔第一条线，2.上层RDL第一个谐振腔第二条线，3.上层RDL第一个谐振腔第三条线，4.上层RDL第二个谐振腔第一条线，5.上层RDL第二个谐振腔第二条线，6.上层RDL第二个谐振腔第三条线，7.上层RDL第三个谐振腔第一条线，8.上层RDL第三个谐振腔第二条线，9.上层RDL第三个谐振腔第三条线，10.上层RDL第四个谐振腔第一条线，11.上层RDL第四个谐振腔第二条线，12.上层RDL第四个谐振腔第三条线，13.上层RDL输入抽头馈线，14.上层RDL输出抽头馈线，15.连接上下RDL层第一个谐振腔第一条线的第一个硅通孔，16.连接上下RDL层第一个谐振腔第二条线的第一个硅通孔，17.连接上下RDL层第一个谐振腔第三条线的硅通孔，18.连接上下RDL层第二个谐振腔第一条线的第一个硅通孔，19.连接上下RDL层第二个谐振腔第二条线的第一个硅通孔，20.连接上下RDL层第二个谐振腔第三条线的硅通孔，21.连接上下RDL层第三个谐振腔第一条线的第一个硅通孔，22.连接上下RDL层第三个谐振腔第二条线的第一个硅通孔，23.连接上下RDL层第三个谐振腔第三条线的硅通孔，24.连接上下RDL层第四个谐振腔第一条线的第一个硅通孔，25.连接上下RDL层第四个谐振腔第二条线的第一个硅通孔，26.连接上下RDL层第四个谐振腔第三条线的硅通孔，27.下层RDL第一个谐振腔第一条线，28.下层RDL第一个谐振腔第二条线，29.下层RDL第一个谐振腔第三条线，30.下层RDL第二个谐振腔第一条线，31.下层RDL第二个谐振腔第二条线，32.下层RDL第二个谐振腔第三条线，33.下层RDL第三个谐振腔第一条线，34.下层RDL第三个谐振腔第二条线，35.下层RDL第三个谐振腔第三条线，36.下层RDL第四个谐振腔第一条线，37.下层RDL第四个谐振腔第二条线，38.下层RDL第四个谐振腔第三条线，39.下层RDL输入抽头馈线，40.下层RDL输出抽头馈线，41.连接上下RDL层第一个谐振腔第一条线的第二个硅通孔，42.连接上下RDL层第一个谐振腔第一条线的第三个硅通孔，43.连接上下RDL层第一个谐振腔第一条线的第四个硅通孔。具体实施方式下面结合具体实施方式对本专利技术进行详细说明。一种采用TSV技术的增强耦合型三维发夹滤波器，包括RDL制作滤波器耦合结构，相邻两层滤波器耦合结构之间采用TSV进行信号传输。每层所述RDL制作滤波器耦合结构包括四个谐振腔，每个谐振腔均与相邻RDL制作滤波器耦合结构的谐振腔一一对应。每个谐振腔包括三条线，谐振腔上U型构造表示电路中的一个电感和一个电容的串联实现，下U型构造表示电路中一个电感和一个电容的并联实现。每条线分别通过硅通孔与对应的谐振腔的三条线相连通。每条线上设置有若干个硅通孔；RDL制作滤波器耦合结构的一端设置有输入抽头馈线，另一端设置有输出抽头馈线。输入抽头馈线和输出抽头馈线均与谐振腔靠外侧的一条线相连接。传统发夹滤波器是平面结构。本专利技术的采用TSV技术的增强耦合型三维发夹滤波器是三维结构。本专利技术的滤波器将两个完全相同的平面RDL结构的发夹滤波器通过TSV信号传输，形成了滤波器的三维结构；具体实施例，如图1-3所示，其中：1.上层RDL第一个谐振腔第一条线，2.上层RDL第一个谐振腔第二条线，3.上层RDL第一个谐振腔第三条线，4.上层RDL第二个谐振腔第一条线，5.上层RDL第二个谐振腔第二条线，6.上层RDL第二个谐振腔第三条线，7.上层RDL第三个谐振腔第一条线，8.上层RDL第三个谐振腔第二条线，9.上层RDL第三个谐振腔第三条线，10.上层RDL第四个谐振腔第一条线，11.上层RDL第四个谐振腔第二条线，12.上层RDL第四个谐振腔第三条线，13.上层RDL输入抽头馈线，14.上层RDL输出抽头馈线，15.连接上下RDL层第一个谐振腔第一条线的第一个硅通孔，16.连接上下RDL层第一个谐振腔第二条线的第一个硅通孔，17.连接上下RDL层第一个谐振腔第三条线的硅通孔，18.连接上下RDL层第二个谐振腔第一条线的第一个硅通孔，19.连接上下RDL层第二个谐振腔第二条线的第一个硅通孔，20.本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种采用TSV技术的增强耦合型三维发夹滤波器，其特征在于，包括RDL制作滤波器耦合结构，相邻两层滤波器耦合结构之间采用TSV进行信号传输。/n

【技术特征摘要】
1.一种采用TSV技术的增强耦合型三维发夹滤波器，其特征在于，包括RDL制作滤波器耦合结构，相邻两层滤波器耦合结构之间采用TSV进行信号传输。


2.根据权利要求1所述的一种采用TSV技术的增强耦合型三维发夹滤波器，其特征在于，每层所述RDL制作滤波器耦合结构包括四个谐振腔，每个谐振腔均与相邻RDL制作滤波器耦合结构的谐振腔一一对应。


3.根据权利要求2所述的一种采用TSV技术的增强耦合型三维发夹滤波器，其特征在于，所述每个谐振腔包括三条线，谐振腔上U型构造表示电路中的一个电感和一个电容的串联实现，下U型构造表示电路中一...

【专利技术属性】
技术研发人员：王凤娟，柯磊，余宁梅，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61