一种双层滤波器和谐波改善方法技术

本发明专利技术实施例提供一种双层滤波器和谐波改善方法，所述双层滤波器包括上层介质块和下层介质块，所述上层介质块和所述下层介质块均包括一个谐振腔或多个耦合连接的谐振腔，所述上层介质块和所述下层介质块的一个或多个谐振腔之间通过层间耦合连接结构连接，以使所述上层介质块和所述下层介质块的谐振腔形成耦合通道，在保证所述层间耦合连接结构的主耦合系数基本不变的条件下，通过至少一个所述层间耦合连接结构上开设有空腔区域，使层间耦合连接结构的频率远离通带，以推远谐波，使谐波满足要求，且易于加工。

A method to improve the harmonic of double-layer filter

【技术实现步骤摘要】
一种双层滤波器和谐波改善方法
本专利技术实施例涉及滤波器
，尤其涉及一种双层滤波器和谐波改善方法。
技术介绍
在移动通信的基站系统中，通常通过发射天线发射特定频率范围内的承载通信数据的通信信号，并通过接收天线接收通信信号。由接收天线接收的信号中不仅包含上述特定频率范围内的承载通信数据的通信信号，而且还包括许多上述特定频率范围外的杂波或干扰信号。要从接收天线接收的信号中获取发射天线发射的特定频率范围内的承载通信数据的通信信号，通常需要将该接收天线接收的信号通过滤波器进行滤波，将该承载通信数据的通信信号特定频率外的杂波或干扰信号滤除。随着通讯事业的迅猛发展以及无线电频谱资源的日益紧张，对滤波器的性能指标提出了更高的要求，插入损耗要求更低，体积要求更小，性能要求更高。近年来应用介质基片的滤波器，它具有高介电常数、高Q、低温偏的特性应用于无源滤波器当中。如何满足更高的频率选择性和带外近端抑制特性是当前滤波器一个挑战。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种双层滤波器和谐波改善方法，用以解决现有技术中高频介质滤波器在到达毫米波频段后由于波长变短很多，通带近端谐波抑制差的问题，从而减小通信系统中杂波或干扰信号。第一方面，本专利技术实施例提一种双层滤波器，包括上层介质块和下层介质块，所述上层介质块和所述下层介质块均包括一个谐振腔或多个耦合连接的谐振腔，所述上层介质块和所述下层介质块的一个或多个谐振腔之间通过层间耦合连接结构连接，以使所述上层介质块和所述下层介质块的谐振腔形成耦合通道；至少一个所述层间耦合连接结构上开设有空腔区域。作为优选的，谐振腔之间有效长度最长或实现负耦合的层间耦合连接结构上至少开设有一个空腔区域。作为优选的，所述空腔区域位于所述层间耦合连接结构中面积最大的外露面上。作为优选的，所述空腔区域的深度小于或等于上层介质块和下层介质块之间的层间耦合连接结构长度，空腔区域的截面积小于或等于对应截面处的层间耦合连接结构的截面积。作为优选的，所述空腔区域为盲孔或通孔。第二方面，本专利技术实施例提供一种双层滤波器谐波改善方法，所述介质滤波器包括上层介质块和下层介质块，所述上层介质块和所述下层介质块均包括一个谐振腔或多个耦合连接的谐振腔，所述上层介质块和所述下层介质块的一个或多个谐振腔之间通过层间耦合连接结构连接，以使所述上层介质块和所述下层介质块的谐振腔形成耦合通道，包括：在至少一个所述层间耦合连接结构上开设空腔区域。作为优选的，减小所述层间耦合连接结构的有效长度前，还包括：若所述层间耦合连接结构为多个，则选择其中有效长度最长或实现负耦合的层间耦合连接结构，并开设空腔区域。作为优选的，所述空腔区域位于所述层间耦合连接结构中面积最大的外露面上。作为优选的，所述空腔区域的深度小于或等于上层介质块和下层介质块之间的层间耦合连接结构长度，空腔区域的截面积小于或等于对应截面处的层间耦合连接结构的截面积。作为优选的，所述空腔区域为盲孔或通孔。本专利技术实施例提供的一种双层滤波器和谐波改善方法，在保证所述层间耦合连接结构的主耦合系数基本不变的条件下，通过减小所述层间耦合连接结构的有效长度，使层间耦合连接结构的频率远离通带，以推远谐波，使谐波满足要求，且易于加工。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1(a)为现有技术中双层滤波器结构主面视图；图1(b)为现有技术中双层滤波器结构主面剖视图；图1(c)为现有技术中双层滤波器结构侧面示意图图；图1(d)为现有技术中双层滤波器结构侧面剖视图；图2为现有技术中双层滤波器对应的S参数波形图；图3(a)为根据本专利技术实施例的第一种双层滤波器改善结构主面视图；图3(b)为根据本专利技术实施例的第一种双层滤波器改善结构主面剖视图；图3(c)为根据本专利技术实施例的第一种双层滤波器改善结构侧面示意图图；图3(d)为根据本专利技术实施例的第一种双层滤波器改善结构侧面剖视图；图4为根据本专利技术实施例的第一种双层滤波器改善结构对应的盲孔调试过程中的S参数波形图；图5为根据本专利技术实施例的第一种双层滤波器改善结构对应的最终调试完成的S参数波形图；图6(a)为根据本专利技术实施例的第二种双层滤波器改善结构主面视图；图6(b)为根据本专利技术实施例的第二种双层滤波器改善结构主面剖视图；图6(c)为根据本专利技术实施例的第二种双层滤波器改善结构侧面示意图图；图6(d)为根据本专利技术实施例的第二种双层滤波器改善结构侧面剖视图；图7(a)为根据本专利技术实施例的第三种双层滤波器改善结构主面视图；图7(b)为根据本专利技术实施例的第三种双层滤波器改善结构主面剖视图；图7(c)为根据本专利技术实施例的第三种双层滤波器改善结构侧面示意图图；图7(d)为根据本专利技术实施例的第三种双层滤波器改善结构侧面剖视图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。本专利技术实施例提供一种双层滤波器谐波改善方法，如图1(a)至图1(d)中所示，为双层介质滤波器，所述双层滤波器包括上层介质块1和下层介质块2，所述上层介质块1和所述下层介质块2均包括一个谐振腔或多个耦合连接的谐振腔，所述上层介质块1和所述下层介质块2的一个或多个谐振腔之间通过层间耦合连接结构连接，以使所述上层介质块1和所述下层介质块2的谐振腔形成耦合通道，包括：保证所述层间耦合连接结构的主耦合系数基本不变，在至少一个所述层间耦合连接结构上开设空腔区域，使层间耦合连接结构的频率远离通带，以推远谐波。在本实施例中，作为一种优选的实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双层滤波器，包括上层介质块和下层介质块，所述上层介质块和所述下层介质块均包括一个谐振腔或多个耦合连接的谐振腔，所述上层介质块和所述下层介质块的一个或多个谐振腔之间通过层间耦合连接结构连接，以使所述上层介质块和所述下层介质块的谐振腔形成耦合通道；其特征在于，至少一个所述层间耦合连接结构上开设有空腔区域。/n

【技术特征摘要】
1.一种双层滤波器，包括上层介质块和下层介质块，所述上层介质块和所述下层介质块均包括一个谐振腔或多个耦合连接的谐振腔，所述上层介质块和所述下层介质块的一个或多个谐振腔之间通过层间耦合连接结构连接，以使所述上层介质块和所述下层介质块的谐振腔形成耦合通道；其特征在于，至少一个所述层间耦合连接结构上开设有空腔区域。


2.根据权利要求1所述的双层滤波器，其特征在于，谐振腔之间有效长度最长或实现负耦合的层间耦合连接结构上至少开设有一个空腔区域。


3.根据权利要求2所述的双层滤波器，其特征在于，所述空腔区域位于所述层间耦合连接结构中面积最大的外露面上。


4.根据权利要求2所述的双层滤波器，其特征在于，所述空腔区域的深度小于或等于上层介质块和下层介质块之间的层间耦合连接结构长度，空腔区域的截面积小于或等于对应截面处的层间耦合连接结构的截面积。


5.根据权利要求4所述的双层滤波器，其特征在于，所述空腔区域为盲孔或通孔。


6.一种双层滤波器谐波改善方法，所述双层滤波器包括上层介质块和下层介质...

【专利技术属性】
技术研发人员：佘文明，许建军，朱晖，楼仲宇，王文珠，
申请(专利权)人：武汉凡谷电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42