量子点发光器件及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

一种量子点发光器件，包括：依次层叠设置的第一电极、空穴传输层、界面偶极层、量子点发光层、电子传输层和第二电极。本公开还提供一种量子点发光器件的制备方法及显示装置。

Quantum dot light-emitting device and its preparation and display device

【技术实现步骤摘要】
量子点发光器件及其制备方法、显示装置
本文涉及显示
，尤指一种量子点发光器件及其制备方法、显示装置。
技术介绍
量子点(QD，QuantumDot)是半径小于或接近波尔激子半径的纳米颗粒。量子点具有发光光谱窄、发光波长可调控、光谱纯度高等优点。量子点发光二极管(QLED，QuantumDotLight-EmittingDiode)是将量子点作为发光层的器件；通过在不同的导电材料之间引入由量子点形成的发光层，从而得到所需波长的光。QLED具有色域高、自发光、启动电压低、响应速度快等优点，使得其在显示领域以及照明领域具有广阔的应用前景，是目前热门的研究方向。
技术实现思路
本公开提供了一种量子点发光器件及其制备方法、显示装置。一方面，本公开提供一种量子点发光器件，包括：依次层叠设置的第一电极、空穴传输层、界面偶极层、量子点发光层、电子传输层和第二电极。另一方面，本公开提供一种显示装置，包括如上所述的量子点发光器件。另一方面，本公开提供一种量子点发光器件的制备方法，包括：依次形成层叠设置的第一电极、空穴传输层、界面偶极层、量子点发光层、电子传输层和第二电极。本公开提供的量子点发光器件通过在空穴传输层和量子点发光层之间设置界面偶极层，可以减少空穴传输层和量子点发光层之间界面的空穴注入势垒，从而提高量子点发光器件的稳定性。本公开的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本公开而了解。本公开的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。附图说明附图用来提供对本公开技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。图1为一种量子点发光器件的结构示意图；图2为图1所示的量子点发光器件的空穴传输层和量子点发光层之间的异质结的能级图；图3为图1所示的量子点发光器件中电荷注入和复合的示意图；图4为本公开一实施例提供的量子点发光器件的结构示意图；图5为本公开一实施例提供的量子点发光器件的空穴传输层和量子点发光层之间的异质结的能级图；图6为本公开一实施例提供的量子点发光器件中电荷注入和复合的示意图；图7为本公开一实施例提供的量子点发光器件与图1所示的量子点发光器件的老化模拟对比图。附图标记说明：10，20-基底；11，21-阳极；12，22-空穴注入层；13，23-空穴传输层；14，25-量子点发光层；15，26-电子传输层；16，27-阴极；24-界面偶极层；201，202-电子；301-激子；401，402-空穴；501-偶极膦酸酯分子。具体实施方式本公开描述了多个实施例，但是该描述是示例性的，而不是限制性的，并且对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，在本公开所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合，并在实施方式中进行了讨论，但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外，任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用，或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。本公开包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本公开已经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合，以形成由权利要求限定的独特的技术方案。任何实施例的任何特征或元件也可以与来自其它技术方案的特征或元件组合，以形成另一个由权利要求限定的独特的技术方案。因此，应当理解，在本公开中示出或讨论的任何特征可以单独地或以任何适当的组合来实现。因此，除了根据所附权利要求及其等同替换所做的限制以外，实施例不受其它限制。此外，可以在所附权利要求的保护范围内进行各种修改和改变。此外，在描述具有代表性的实施例时，说明书可能已经将方法或过程呈现为特定的步骤序列。然而，在该方法或过程不依赖于本文所述步骤的特定顺序的程度上，该方法或过程不应限于所述的特定顺序的步骤。如本领域普通技术人员将理解的，其它的步骤顺序也是可能的。因此，说明书中阐述的步骤的特定顺序不应被解释为对权利要求的限制。此外，针对该方法或过程的权利要求不应限于按照所写顺序执行它们的步骤，本领域技术人员可以容易地理解，这些顺序可以变化，并且仍然保持在本公开实施例的精神和范围内。图1为一种量子点发光器件的结构示意图。如图1所示，量子点发光器件包括：依次在基底(Substrate)10上堆叠的阳极(Anode)11、空穴注入层(HIL，HoleInjectingLayer)12、空穴传输层(HTL，HoleTransportingLayer)13、量子点发光层(QDEML，QuantumDotEmittingLayer)14、电子传输层(ETL，ElectronTransportingLayer)15和阴极(Cathode)16。在量子点发光器件工作时，空穴(hole)和电子(electron)分别从阳极11和阴极16注入，空穴通过空穴注入层12和空穴传输层13抵达量子点发光层，电子通过电子传输层15抵达量子点发光层，然后，空穴和电子发生复合形成激子(exciton)而发光。其中，空穴注入层12和空穴传输层13的材料为有机材料，量子点发光层14和电子传输层15的材料为无机材料。由于材料性质的差异，电子传输层15和量子点发光层14之间的电子注入势垒(electroninjectionbarrier)比空穴传输层13和量子点发光层14之间的空穴注入势垒(hole-injectionbarrier)低得多，导致在空穴传输层13和量子点发光层14之间的界面上空穴积累过多。在有机和无机材料界面附近的电荷积累会随着时间的推移对有机材料造成损害，导致降低量子点发光器件的稳定性。而且，由于从空穴传输层到量子点发光层的空穴注入受阻，量子点发光层内的电荷复合区(RZ，RecombinationZone)会变窄并向量子点发光层和空穴传输层之间的界面移动，导致激子猝灭(quenching)增加，电流效率降低。为了提高电流效率，需要增加驱动电流，但是增加驱动电流又会导致焦耳热(Jouleheat)增加，从而降低量子点发光器件的稳定性。下面以发出红光的量子点发光器件为例进一步说明上述问题。在本示例中，量子点发光器件的阳极可以采用氧化铟锡(ITO，IndiumTinOxide)材料；空穴注入层可以采用PEDOT:PSS(聚(3,4-乙撑二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸))材料；空穴传输层可以采用TFB(聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共(4,4’-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺)])材料；量子点传输层采用红色磷化铟(InP)材料；电子传输层采用氧化锌(ZnO)材料；阴极的材料为铝(Al)。在本示例中，量子点发光器件的空穴传输层和量子点发光层之间的异质结(heterojunction)的能级如图2所示，量子点发光二极管的电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光器件，其特征在于，包括：依次层叠设置的第一电极、空穴传输层、界面偶极层、量子点发光层、电子传输层和第二电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光器件，其特征在于，包括：依次层叠设置的第一电极、空穴传输层、界面偶极层、量子点发光层、电子传输层和第二电极。


2.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述界面偶极层包括：粘附层以及附着在所述粘附层上的偶极膦酸酯分子的自组装单层。


3.根据权利要求2所述的量子点发光器件，其特征在于，所述粘附层的材料包括二氧化钛。


4.根据权利要求3所述的量子点发光器件，其特征在于，所述粘附层的厚度范围为0.5至3纳米。


5.根据权利要求2所述的量子点发光器件，其特征在于，所述偶极膦酸酯分子包括以下至少之一：F2PA、OMePA、PhPA、CF3PA。


6.根据权利要求2所述的量子点发光器件，其特征在于，所述自组装单层的厚度范围为小于1纳米。


7.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件还包括：空穴注入层，位于所述第一电极和空穴传输层之间。


8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍里斯·克里斯塔尔，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11