阵列基板及其制备方法技术

本发明专利技术实施例提供一种阵列基板及其制备方法，包括：在基板层上依次形成半导体构件、阻挡构件、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、层间绝缘层；以预定掩模和所述阻挡构件的组合对所述第一绝缘层、所述栅极、所述第二绝缘层和所述层间绝缘层实施光罩制程，并进行蚀刻，以在所述第一绝缘层、所述栅极、所述第二绝缘层和所述层间绝缘层上形成第一通孔、第二通孔、凹槽；在所述第一通孔、所述第二通孔和所述凹槽设置金属层，以形成源极、漏极、金属构件；形成平坦化层，所述平坦化层设置于所述层间绝缘层上，并覆盖所述凹槽。

Array substrate and its preparation

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及其制备方法。
技术介绍
AMOLED(Active-matrixorganiclight-emittingdiode，主动矩阵有机发光二极管)显示面板以其轻薄、可弯曲、可穿戴等优点成为下一代显示技术的杰出代表。为了提高AMOLED显示面板的弯折区的弯折性能，目前，最常见的方法是使用多步刻蚀的方法除去AMOLED显示面板中阵列基板的弯折区的无机膜层，采用应力较小的有机膜层代替，从而提高AMOLED显示面板的弯折性能。但是，上述方法需要进行11道掩模工序才能够实现，技术工艺繁琐，生产效率较低。故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种阵列基板及其制备方法，以解决现有的显示面板中的阵列基板制备过程中需要较多的掩模工序的技术问题。本专利技术实施例提供一种阵列基板的制备方法，包括：步骤A：在基板层上依次形成半导体构件、阻挡构件、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、层间绝缘层；步骤B：以预定掩模和所述阻挡构件的组合对所述第一绝缘层、所述栅极、所述第二绝缘层和所述层间绝缘层实施光罩制程，并进行蚀刻，以在所述第一绝缘层、所述栅极、所述第二绝缘层和所述层间绝缘层上形成第一通孔、第二通孔、凹槽，其中，所述第一通孔、所述第二通孔位于所述阵列基板的显示区，所述凹槽位于所述阵列基板的弯折区，所述阻挡构件设置于所述弯折区，所述阻挡构件与所述半导体构件或所述栅极位于同一层别；步骤C：在所述第一通孔、所述第二通孔和所述凹槽设置金属层，以形成源极、漏极、金属构件；步骤D：形成平坦化层，所述平坦化层设置于所述层间绝缘层上，并覆盖所述凹槽。在本专利技术实施例提供一种阵列基板的制备方法中，所述阻挡构件是在形成所述半导体构件或所述栅极的过程中形成的。在本专利技术实施例提供一种阵列基板的制备方法中，所述步骤A包括：在所述基板层上形成半导体材料层；对所述半导体材料层进行图案化处理，以形成所述半导体构件和所述阻挡构件；在所述半导体构件上依次形成所述第一绝缘层、所述栅极、所述第二绝缘层、所述层间绝缘层。在本专利技术实施例提供一种阵列基板的制备方法中，所述步骤A包括：在所述基板层上形成所述半导体构件；在所述半导体构件上形成所述第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成金属材料层；对所述金属材料层进行图案化处理，以形成所述栅极和所述阻挡构件；在所述栅极上形成所述第二绝缘层、所述层间绝缘层。在本专利技术实施例提供一种阵列基板的制备方法中，所述凹槽包括第一凹槽和开口位于所述第一凹槽的底部的第二凹槽，所述阻挡构件位于所述第一凹槽的底部，并且位于所述第二凹槽的开口的外侧；所述步骤B包括：使用所述预定掩模，对所述基板层、所述半导体构件、所述第一绝缘层、所述栅极、所述第二绝缘层和所述层间绝缘层与所述弯折区对应的部分实施第一光罩制程，并进行蚀刻，以形成所述第一凹槽；使用所述预定掩模和所述阻挡构件的组合，对所述基板层、所述半导体构件、所述第一绝缘层、所述栅极、所述第二绝缘层和所述层间绝缘层与所述第一凹槽对应的部分实施第二光罩制程，并进行蚀刻，以形成所述第二凹槽。在本专利技术实施例提供一种阵列基板的制备方法中，所述金属构件的至少一部分覆盖所述第一凹槽的侧壁、所述阻挡构件及所述第二凹槽的侧壁和底部。本专利技术实施例还提供一种阵列基板，包括：基板层；半导体构件，所述半导体构件设置于所述基板层上；第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述半导体构件；栅极，所述栅极设置于所述第一绝缘层上；第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述栅极；层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述第二绝缘层；源极，所述源极的至少一部分填充第一通孔，所述源极与所述半导体构件电性连接；漏极，所述漏极的至少一部分填充第二通孔，所述漏极与所述半导体构件电性连接；阻挡构件，所述阻挡构件与所述半导体构件或所述栅极位于同一层别；金属构件，所述金属构件的至少一部分填充凹槽；平坦化层，所述平坦化层设置于所述层间绝缘层上，并覆盖所述凹槽；其中，所述第一通孔与所述第二通孔位于所述阵列基板的显示区，且所述第一通孔和所述第二通孔的底部与所述半导构件相连，所述凹槽位于所述阵列基板的弯折区，所述阻挡构件设置于所述弯折区。在本专利技术实施例提供一种阵列基板中，所述阻挡构件是在形成所述半导体构件或所述栅极的过程中形成的。在本专利技术实施例提供一种阵列基板中，所述凹槽包括第一凹槽和开口位于所述第一凹槽的底部的第二凹槽；所述阻挡构件位于所述第一凹槽的底部，并且位于所述第二凹槽的开口的外侧。在本专利技术实施例提供一种阵列基板中，所述金属构件的至少一部分覆盖所述第一凹槽的侧壁、所述阻挡构件及所述第二凹槽的侧壁和底部。相较于现有技术，本专利技术提供的阵列基板及其制备方法中，由于以预定掩模和阻挡构件的组合对所述第一绝缘层、所述栅极、所述第二绝缘层和所述层间绝缘层实施一道掩模工序，因此可以将为制备第一通孔、第二通孔、第一凹槽和第二凹槽所需要的四道掩模工序合并为一道掩模工序，节省了掩模工序，提高了生产效率。另外，将与半导体构件位于同一层别的阻挡构件或者是将与于栅极位于同一层别的阻挡构件作为阵列基板中的阻挡层，实现了弯折区的台阶设计；同时，源/漏极(SD)走线直接在DH(深孔)区域跨线，省去了有机深孔(ODH)光罩，将SD走线与柔性衬底的距离拉近，使得SD更接近于中性面，从而提高显示面板中阵列基板的弯折性能。解决了现有的显示面板中阵列基板制备工艺繁琐，产能低，以及源/漏极和柔性衬底间的距离过大，不利于弯折区弯曲的技术问题。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术的一种阵列基板的制备方法的实施例的步骤流程图；图2为本专利技术的一种阵列基板的制备方法的实施例的完成步骤S1步骤流程图；图3为本专利技术的一种阵列基板的制备方法的实施例的完成步骤S1的另一步骤流程图；图4为本专利技术的一种阵列基板的制备方法的实施例的完成步骤S2后的结构示意图；图5为本专利技术的一种阵列基板的制备方法的实施例的完成步骤S2后的另一结构示意图；图6为本专利技术的一种阵列基板的制备方法的实施例的完成步骤S3后的结构示意图；图7为本专利技术的一种阵列基板的制备方法的实施例的完成步骤S3后的另一结构示意图；图8为本专利技术的阵列基板的实施例的结构示意图；图9为本专利技术的阵本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：/n步骤A：在基板层上依次形成半导体构件、阻挡构件、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、层间绝缘层；/n步骤B：以预定掩模和所述阻挡构件的组合对所述第一绝缘层、所述栅极、所述第二绝缘层和所述层间绝缘层实施光罩制程，并进行蚀刻，以在所述第一绝缘层、所述栅极、所述第二绝缘层和所述层间绝缘层上形成第一通孔、第二通孔、凹槽，其中，所述第一通孔、所述第二通孔位于所述阵列基板的显示区，所述凹槽位于所述阵列基板的弯折区，所述阻挡构件设置于所述弯折区，所述阻挡构件与所述半导体构件或所述栅极位于同一层别；/n步骤C：在所述第一通孔、所述第二通孔和所述凹槽设置金属层，以形成源极、漏极、金属构件；/n步骤D：形成平坦化层，所述平坦化层设置于所述层间绝缘层上，并覆盖所述凹槽。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
步骤A：在基板层上依次形成半导体构件、阻挡构件、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、层间绝缘层；
步骤B：以预定掩模和所述阻挡构件的组合对所述第一绝缘层、所述栅极、所述第二绝缘层和所述层间绝缘层实施光罩制程，并进行蚀刻，以在所述第一绝缘层、所述栅极、所述第二绝缘层和所述层间绝缘层上形成第一通孔、第二通孔、凹槽，其中，所述第一通孔、所述第二通孔位于所述阵列基板的显示区，所述凹槽位于所述阵列基板的弯折区，所述阻挡构件设置于所述弯折区，所述阻挡构件与所述半导体构件或所述栅极位于同一层别；
步骤C：在所述第一通孔、所述第二通孔和所述凹槽设置金属层，以形成源极、漏极、金属构件；
步骤D：形成平坦化层，所述平坦化层设置于所述层间绝缘层上，并覆盖所述凹槽。


2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阻挡构件是在形成所述半导体构件或所述栅极的过程中形成的。


3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述步骤A包括：
在所述基板层上形成半导体材料层；
对所述半导体材料层进行图案化处理，以形成所述半导体构件和所述阻挡构件；
在所述半导体构件上依次形成所述第一绝缘层、所述栅极、所述第二绝缘层、所述层间绝缘层。


4.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述步骤A包括：
在所述基板层上形成所述半导体构件；
在所述半导体构件上形成所述第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成金属材料层；
对所述金属材料层进行图案化处理，以形成所述栅极和所述阻挡构件；
在所述栅极上形成所述第二绝缘层、所述层间绝缘层。


5.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述凹槽包括第一凹槽和开口位于所述第一凹槽的底部的第二凹槽，所述阻挡构件位于所述第一凹槽的底部，并且位于所述第二凹槽的开口的外侧；
所述步骤B包括：
使用所述预定掩模，对所述基板层、所述半导体构件、所述第一绝缘层、所述栅极、所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：白思航，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42