执行数据比较写入的存储器设备和包括存储器设备的存储器系统技术方案

提供了存储器设备和包括存储器设备的存储器系统。存储器设备包括：包括多个存储器单元的存储器单元阵列；以及配置为控制对存储器单元阵列的写入操作的控制逻辑。当在第一数据比较写入(DCW)模式下操作时，将数据写入数据值改变的第一存储器单元，在第一区域中，将数据写入数据值未改变的第二存储器单元，并且在第二区域中，对于数据值未改变的第二存储器单元，跳过数据写入。

Memory devices that perform data comparison writes and memory systems that include memory devices

【技术实现步骤摘要】
执行数据比较写入的存储器设备和包括存储器设备的存储器系统相关申请的交叉引用本申请要求于2018年12月11日向韩国知识产权局提交的题为“执行数据比较写入的存储器设备和包括存储器设备的存储器系统”的韩国专利申请No.10-2018-0159038的优先权，其全部内容通过引用的方式并入此文中。
实施例涉及存储器设备，并且更具体地涉及一种执行数据比较写入的存储器设备和包括存储器设备的存储器系统。
技术介绍
已知诸如相变随机存取存储器(RAM)(PRAM)、纳米浮栅存储器(NFGM)、聚合物RAM(PoRAM)、磁RAM(MRAM)、铁电RAM(FeRAM)和电阻RAM(RRAM)之类的电阻存储器设备作为配备闪存的非易失性存储器设备。电阻存储器设备具备闪存的非易失性特性以及动态RAM(DRAM)的高速性。借助于其特性，电阻存储器设备能够盖写存储器单元中的数据。例如，电阻存储器设备可以针对请求写入数据的单元区域读取先前存储的数据，并且通过将读取数据与写入数据进行比较，可以仅对那些比特值彼此不同的存储器单元执行实际写本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器设备，包括：/n存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储器单元；以及/n控制逻辑，配置为在第一数据比较写入“DCW”模式下控制对所述存储器单元阵列的写入操作，使得当在所述第一DCW模式下操作时，/n将数据写入数据值改变的第一存储器单元，/n在第一区域中，将数据写入所述多个存储器单元中的数据值未改变的第二存储器单元，并且/n在第二区域中，对于所述多个存储器单元中数据值未改变的第二存储器单元不写入数据。/n

【技术特征摘要】
20181211 KR 10-2018-01590381.一种存储器设备，包括：
存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储器单元；以及
控制逻辑，配置为在第一数据比较写入“DCW”模式下控制对所述存储器单元阵列的写入操作，使得当在所述第一DCW模式下操作时，
将数据写入数据值改变的第一存储器单元，
在第一区域中，将数据写入所述多个存储器单元中的数据值未改变的第二存储器单元，并且
在第二区域中，对于所述多个存储器单元中数据值未改变的第二存储器单元不写入数据。


2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述控制逻辑配置为根据从存储器控制器提供的DCW信息，将所述存储器设备的写入模式设置为所述第一DCW模式、DCW开启模式和DCW关闭模式中的任何一种。


3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中当将所述存储器设备的所述写入模式设置为所述DCW开启模式时，所述控制逻辑配置为控制所述写入操作，使得将数据写入数据值改变的第一存储器单元，并且针对所述数据值未改变的第二存储器单元，跳过数据写入。


4.根据权利要求2所述的存储器设备，其中当将所述存储器设备的所述写入模式设置为所述DCW关闭模式时，所述控制逻辑配置为控制所述写入操作，使得不管数据值的改变，将数据写入所有存储器单元。


5.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述存储器设备配置为在初始化操作期间从所述存储器控制器接收所述DCW信息，并且根据在所述初始化操作下设置的所述写入模式执行所述写入操作。


6.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述存储器设备配置为在每次从所述存储器控制器接收到数据写入请求时接收所述DCW信息，并且响应于每一个数据写入请求，根据与所述接收到的DCW信息对应的所述写入模式来执行所述写入操作。


7.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述控制逻辑包括用于确定存储器单元中具有相对低的数据可靠性的边际单元的边际单元确定部件，并且所述控制逻辑配置为将所述边际单元包括在所述第一区域中。


8.根据权利要求7所述的存储器设备，其中所述边际单元确定部件配置为接收使用第一读取电平从所述存储器单元阵列读取的第一读取数据以及使用第二读取电平从所述存储器单元阵列读取的第二读取数据，并且将所述多个存储器单元中在使用所述第一读取电平进行读取时和在使用所述第二读取电平进行读取时比特值不同的存储器单元确定为边际单元。


9.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述存储器单元阵列包括多个页面，每个页面对应于数据写入单位，并且将数据写入所述多个页面中的一个页面中数据值未改变的一些存储器单元。


10.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述存储器设备配置为将从所述存储器单元阵列读取的读取数据提供给存储器控制器并从所述存储器控制器接收信息，所述信息指示所述多个存储器单元中的已经发生错误的存储器单元作为边际单元，并且所述控制逻辑配置为将所述多个存储器单元中的具有错误的所述边际单元包括在所述第一区域中。


11.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述控制逻辑配置为基于存储器控制器的控制将所述存储器设备的写入模式设置为所述第一DCW模式或DCW关闭模式，并且在设置所述第一DCW模式时被同时写入的单元区域的数量大于在设置所述DCW关闭模式时被同时写入的单元区域的数量。


12.一种存储器设备，包括：
存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个页面，每个页面包括多个存储器单元；以及
控制逻辑，配置为根据从数据比较写入“DCW”开启模式、DCW关闭模式和DCW混合模式中选择的模式，控制针对所述存储器单元阵列的数据写入操作，
其中当选择所述DCW混合模式时，所述控制逻辑配置为根据所述DCW关闭模式针对请求数据写入的第一页面的多个存储器单元中的存储器单元的第一区域来写入数据，并且根据所述DCW开启模式针对所述第一页面的所述多个存储器单元中的存储器单元的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴银珠，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR