间充质干细胞来源的细胞外囊泡在脑缺血再灌注损伤中的应用制造技术

本发明专利技术提供间充质干细胞来源的细胞外囊泡在脑缺血再灌注损伤中的应用。本发明专利技术研究发现并证实源自间充质干细胞的细胞外囊泡(MSCs‑EVs)可通过脑卒中后的神经发生和血管生成来治疗脑功能障碍和神经保护作用。研究结果表明，MSCs‑EVs可以显著减轻大鼠MCAO后24h和48h的神经功能缺损，减少脑梗死的体积和脑含水量，改善大脑组织皮层的病理损伤以及减弱皮层神经元凋亡并显著上调了p‑AMPK，而下调了p‑JAK2，p‑STAT3和p‑NF‑κB。本发明专利技术为将MSCs‑EVs用作MCAO治疗的潜在治疗策略提供必要支持。

Application of extracellular vesicles derived from mesenchymal stem cells in cerebral ischemia-reperfusion injury

【技术实现步骤摘要】
间充质干细胞来源的细胞外囊泡在脑缺血再灌注损伤中的应用
本专利技术属于生药医药
，具体涉及间充质干细胞来源的细胞外囊泡在脑缺血再灌注损伤中的应用。
技术介绍
公开该
技术介绍
部分的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。脑血管疾病是世界上第三大死亡原因，也是中国居民最主要的死亡原因之一。其患病率和死亡率逐年上升，给社会和经济带来沉重的负担。缺血性脑卒中占所有脑卒中的75-80％，发病率明显高于出血性脑卒中。缺血性脑卒中的病理类型和发病机理复杂，主要包括细胞凋亡、炎性介质的释放、炎性细胞的浸润、血脑屏障的破坏、炎症因子的分泌和黏附分子的上调。研究表明，脑缺血后细胞凋亡是继发性脑损伤的原因之一，在脑缺血再灌注损伤(CIRI)中起重要作用。尽管缺血性脑卒中后血管内机械取栓或溶栓的时间窗已不同程度的延长，但因手术导致的出血性不良事件仍是困扰临床医师的主要问题。由于缺血性脑卒中的病理生理过程的复杂性，目前尚无彻底有效的治疗方法。因此，探索并发本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.MSCs-EVs在制备预防/或治疗脑缺血再灌注损伤产品中的应用；/n其中，所述MSCs-EVs为间充质干细胞来源的细胞外囊泡。/n

【技术特征摘要】
1.MSCs-EVs在制备预防/或治疗脑缺血再灌注损伤产品中的应用；
其中，所述MSCs-EVs为间充质干细胞来源的细胞外囊泡。


2.如权利要求1所述应用，其特征在于，所述细胞外囊泡直径为30-150nm。


3.如权利要求1所述应用，其特征在于，所述MSCs-EVs为骨髓间充质干细胞来源的细胞外囊泡。


4.一种产品，其特征在于，所述产品活性成分包括权利要求1-3任一项所述MSCs-Evs；所述产品用于预防/或治疗脑缺血再灌注损伤。


5.如权利要求4所述产品，其特征在于，所述产品具有如下任意一种或多种用途：
(a)减轻大脑中动脉梗塞导致的神经功能缺损；
(b)减轻大脑中动脉梗塞导致的脑水含量增加；
(c)减少大脑中动脉梗塞梗死体积；
(d)促进p-AMPK的上调表达；
(e)抑制p-JA...

【专利技术属性】
技术研发人员：李刚，王贞，韩敏，薛皓，曹颖，初锡丽，辛丹清，李婷婷，柯鸿飞，
申请(专利权)人：山东大学齐鲁医院，
类型：发明
国别省市：山东;37