电容并联走线结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种电容并联走线结构，包括第一走线和第二走线，第一走线包括多个第一电容焊接区，第二走线包括多个第二电容焊接区。各第一电容焊接区与各第二电容焊接区一一对应；第一电容焊接区用于连接电容器件的一端，对应的第二电容焊接区用于连接所述电容器件的另一端，以实现各电容器件的并联连接。同时，各第一电容焊接区内走线的纹波电流相同，各第二电容焊接区内走线的纹波电流相同，使得各电容器件上流经的电流相同，有效地防止电流差异导致的电容器件的寿命差异，保证整体电路的性能。

Capacitor parallel wiring structure

【技术实现步骤摘要】
电容并联走线结构
本技术涉及电子电路
，特别是涉及一种电容并联走线结构。
技术介绍
电容作为一种用于容纳电荷的器件，常用于各种电路中。传统的电路板例如PCB板中，为实现电容器件的并联，会在同一基板上设计两条用于连接电容器件的走线。在这两条走线中，一走线连接各电容器件的一端，另一走线连接各电容器件的另一端。基于此，实现各电容器件的并联连接。传统的电容器件并联电路，若在电路的一侧出现噪音或纹波时，噪音或纹波会先经过第一个电容器件，再到第二个电容器件，再到第三个电容器件，以此类推，导致流经第一个电容器件的电流大于流经第二个电容器件的电流，流经第二个电容器件的电流大于流经第三个电容器件的电流，以此类推，导致各电容器件的寿命出现较大差异，影响整体电路的性能。综上，传统的电容并联走线结构导致各电容器件存在寿命差异，影响整体电路的性能的缺陷。
技术实现思路
基于此，有必要针对传统的电容并联走线结构导致各电容器件存在寿命差异，影响整体电路的性能的缺陷，提供一种电容并联走线结构。一种电容并联走线结构，包括第一走线和第二走线；第一走线包括多个第一电容焊接区；第二走线包括多个第二电容焊接区；其中，各第一电容焊接区与各第二电容焊接区一一对应；第一电容焊接区用于连接电容器件的一端，对应的第二电容焊接区用于连接电容器件的另一端；各第一电容焊接区内走线的纹波电流相同，各第二电容焊接区内走线的纹波电流相同。上述电容并联走线结构，包括第一走线和第二走线，第一走线包括多个第一电容焊接区，第二走线包括多个第二电容焊接区。各第一电容焊接区与各第二电容焊接区一一对应；第一电容焊接区用于连接电容器件的一端，对应的第二电容焊接区用于连接电容器件的另一端，以实现各电容器件的并联连接。同时，各第一电容焊接区内走线的纹波电流相同，各第二电容焊接区内走线的纹波电流相同，使得各电容器件上流经的电流相同，有效地防止电流差异导致的电容器件的寿命差异，保证整体电路的性能。在其中一个实施例中，还包括第一基板；第一走线和第二走线设置在第一基板的表面；各第一电容焊接区依次排列；其中，任一第一电容焊接区内包括阻抗大于任一第一电容焊接区的前一第一电容焊接区内走线阻抗的走线；各第二电容焊接区依次排列；其中，任一第二电容焊接区内包括阻抗大于任一第二电容焊接区的前一第二电容焊接区内走线阻抗的走线；其中，第一电容焊接区内包括阻抗与对应的第二电容焊接区内走线阻抗相同的走线。在其中一个实施例中，任一第一电容焊接区内包括平均宽度大于任一第一电容焊接区的前一第一电容焊接区内走线的平均宽度的走线；任一第二电容焊接区内包括平均宽度大于任一第二电容焊接区的前一第二电容焊接区内走线的平均宽度的走线；其中，第一电容焊接区内包括平均宽度与对应的第二电容焊接区内走线的平均宽度相同的走线。在其中一个实施例中，任一第一电容焊接区内包括电阻率大于任一第一电容焊接区的前一第一电容焊接区内走线的电阻率的走线；任一第二电容焊接区内包括电阻率大于任一第二电容焊接区的前一第二电容焊接区内走线的电阻率的走线；其中，第一电容焊接区内包括电阻率与对应的第二电容焊接区内走线的电阻率相同的走线。在其中一个实施例中，任一第一电容焊接区内走线设置有面积大于任一第一电容焊接区的前一第一电容焊接区内走线的缺口面积的缺口；任一第二电容焊接区内走线设置有面积大于任一第二电容焊接区的前一第二电容焊接区内走线的缺口面积的缺口；其中，第一电容焊接区内走线设置有面积与对应的第二电容焊接区内走线的缺口面积相同的缺口。在其中一个实施例中，第一电容焊接区内走线设置的缺口与第二电容焊接区内走线设置的缺口均为特定形状的缺口。在其中一个实施例中，还包括第二基板和第三基板；第一走线设置在第二基板的表面，第二走线设置在第三基板的表面；第一走线包括一个或多个第一开孔，各第一开孔中心的连线垂直于第一走线；第一电容焊接区包括相邻两第一开孔间的走线或第一开孔与第一走线边缘间的走线；其中，各相邻两第一开孔间的走线、各第一开孔与第一走线边缘间的走线阻抗相同；第二走线包括一个或多个第二开孔，各第二开孔中心的连线垂直于第二走线；第二电容焊接区包括相邻两第二开孔间的走线或第二开孔与第二走线边缘间的走线；其中，各相邻两第二开孔间的走线、各第二开孔与第二走线边缘间的走线阻抗相同。在其中一个实施例中，各相邻两第一开孔间的走线以及各第一开孔与第一走线边缘间的走线大小形状相同；各相邻两第二开孔间的走线以及各第二开孔与第二走线边缘间的走线大小形状相同。在其中一个实施例中，各相邻两第一开孔间的走线、各第一开孔与第一走线边缘间的走线、各相邻两第二开孔间的走线以及各第二开孔与第二走线边缘间的走线大小形状相同。在其中一个实施例中，第一开孔与第二开孔均包括方孔。附图说明图1为一实施方式的电容并联走线结构示意图；图2为另一实施方式的电容并联走线结构示意图；图3为一具体实施方式的电容并联走线结构示意图；图4为又一实施方式的电容并联走线结构示意图。具体实施方式为了更好地理解本技术的目的、技术方案以及技术效果，以下结合附图和实施例对本技术进行进一步的讲解说明。同时声明，以下所描述的实施例仅用于解释本技术，并不用于限定本技术。本技术实施例提供一种电容并联走线结构。图1为一实施方式的电容并联走线结构示意图，如图1所示，一实施方式的电容并联走线结构包括第一走线L1和第二走线L2；第一走线L1包括多个第一电容焊接区Z1；第二走线L2包括多个第二电容焊接区Z2；其中，各第一电容焊接区Z1与各第二电容焊接区Z2一一对应；第一电容焊接区Z1用于连接电容器件(EC1、EC2、EC3...)的一端1，对应的第二电容焊接区Z2用于连接电容器件(EC1、EC2、EC3...)的另一端2；各第一电容焊接区Z1内走线的纹波电流相同，各第二电容焊接区Z2内走线的纹波电流相同。其中，第一走线L1和第二走线L2均为导电材质的走线，包括银线、铜线或铝线。在其中一个实施例中，第一走线L1和第二走线L2为相同材质的走线。作为一个较优的实施方式，第一走线L1和第二走线L2均为铜线。以在PCB板上实现第一走线L1和第二走线L2为例，如图1所示，第一走线L1和第二走线L2均为呈一定宽度覆铜，铜箔的宽度即为第一走线L1和第二走线L2的宽度。其中，由于第一走线L1和第二走线L2具有一定的宽度，在第一走线L1和第二走线L2的长宽构成的矩形走线的范围内，划分为多个分区。即，在第一走线L1中，包括多个第一电容焊接区Z1；在第二走线L2中，包括多个第二电容焊接区Z2。如图1所示，电容器件(EC1、EC2、EC3...)的一端连接一第一电容焊接区Z1，电容器件(EC1、EC2、EC3...)的另一端连接一第二电容焊本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电容并联走线结构，其特征在于，包括第一走线和第二走线；/n所述第一走线包括多个第一电容焊接区；/n所述第二走线包括多个第二电容焊接区；/n其中，各所述第一电容焊接区与各所述第二电容焊接区一一对应；所述第一电容焊接区用于连接电容器件的一端，对应的所述第二电容焊接区用于连接所述电容器件的另一端；各所述第一电容焊接区内走线的纹波电流相同，各所述第二电容焊接区内走线的纹波电流相同。/n

【技术特征摘要】
1.一种电容并联走线结构，其特征在于，包括第一走线和第二走线；
所述第一走线包括多个第一电容焊接区；
所述第二走线包括多个第二电容焊接区；
其中，各所述第一电容焊接区与各所述第二电容焊接区一一对应；所述第一电容焊接区用于连接电容器件的一端，对应的所述第二电容焊接区用于连接所述电容器件的另一端；各所述第一电容焊接区内走线的纹波电流相同，各所述第二电容焊接区内走线的纹波电流相同。


2.根据权利要求1所述的电容并联走线结构，其特征在于，还包括第一基板；所述第一走线和所述第二走线设置在所述第一基板的表面；
各所述第一电容焊接区依次排列；其中，任一第一电容焊接区内包括阻抗大于所述任一第一电容焊接区的前一所述第一电容焊接区内走线阻抗的走线；
各所述第二电容焊接区依次排列；其中，任一第二电容焊接区内包括阻抗大于所述任一第二电容焊接区的前一所述第二电容焊接区内走线阻抗的走线；
其中，所述第一电容焊接区内包括阻抗与对应的所述第二电容焊接区内走线阻抗相同的走线。


3.根据权利要求2所述的电容并联走线结构，其特征在于，任一第一电容焊接区内包括平均宽度大于所述任一第一电容焊接区的前一所述第一电容焊接区内走线的平均宽度的走线；
任一第二电容焊接区内包括平均宽度大于所述任一第二电容焊接区的前一所述第二电容焊接区内走线的平均宽度的走线；
其中，所述第一电容焊接区内包括平均宽度与对应的所述第二电容焊接区内走线的平均宽度相同的走线。


4.根据权利要求2所述的电容并联走线结构，其特征在于，任一第一电容焊接区内包括电阻率大于所述任一第一电容焊接区的前一所述第一电容焊接区内走线的电阻率的走线；
任一第二电容焊接区内包括电阻率大于所述任一第二电容焊接区的前一所述第二电容焊接区内走线的电阻率的走线；
其中，所述第一电容焊接区内包括电阻率与对应的所述第二电容焊接区内走线的电阻率相同的走线。


5.根据权利要求3所述的电容并联走线结构，其特征在于，任一第一电容焊接区内走线...

【专利技术属性】
技术研发人员：王喜，
申请(专利权)人：广州视源电子科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44