一种热电纤维材料塞贝克值测试装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种热电纤维材料塞贝克值测试装置，与现有技术相比解决了无法针对热电纤维材料进行Seebeck测试的缺陷。本实用新型专利技术中测试纤维样品的左端安装在左陶瓷片上、右端安装在右陶瓷片上，所述的左陶瓷片为加热陶瓷片，左电压探针台的探针抵在测试纤维样品的左端，右电压探针台的探针抵在测试纤维样品的右端。本实用新型专利技术能够适用于热电纤维材料的塞贝克值测试。

A Seebeck value testing device for thermoelectric fiber materials

【技术实现步骤摘要】
一种热电纤维材料塞贝克值测试装置
本技术涉及热电材料测试
，具体地说是一种热电纤维材料塞贝克值测试装置。
技术介绍
1821年，德国科学家ThomasJohannSeeback发现，当两种不同的导体或者半导体相接触，由温差的不同而引起的两种物质之间形成电压差，称之为塞贝克效应(Seebeck效应)。热电材料是一种能将热能和电能相互转换的功能材料，这种材料中热能直接转化为电能。半导体产生Seebeck效应的主要原因是在热场的作用下，载流子由热端往冷端扩散的结果。对p型半导体来说，由于热端空穴具有较高的温度，空穴便在热场的作用下由高温端向低温端扩散，当材料内部的扩散作用与电场的漂移作用相互抵消时，即达到稳定状态，此时在半导体内部便出现了电场，称为温差电动势；这里温差电动势是半导体在的冷热两端由于温度梯度所引起的电动势。对n型半导体而言，温差电动势是由于电子从高温向低温扩散，电子在冷端聚集而形成。显而易见，p型半导体的温差电动势的方向是从低温端指向高温端，此时Seebeck系数为负，相反，n型半导体的温差电动势的方向是高温端指向低温端，此时Se本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种热电纤维材料塞贝克值测试装置，包括左电压探针台(1)、右电压探针台(2)和呈台(3)，其特征在于：/n所述的左电压探针台(1)、右电压探针台(2)均活动安装在呈台(3)上且均与呈台(3)构成滑动配合，呈台(3)上设有支撑平台(5)，支撑平台(5)的中部设有凹台(6)，样品框(4)放置在凹台(6)内，样品框(4)的左侧通过PI膜(27)裹敷在样品框(4)上形成左试验台(7)，样品框(4)的右侧通过PI膜(27)裹敷在样品框(4)上形成右试验台(8)，左试验台(7)与右试验台(8)之间设有空腔(9)，支撑平台(5)上位于左试验台(7)一侧设有左轴支架(10)、位于右试验台(8)一侧设有右轴...

【技术特征摘要】
1.一种热电纤维材料塞贝克值测试装置，包括左电压探针台(1)、右电压探针台(2)和呈台(3)，其特征在于：
所述的左电压探针台(1)、右电压探针台(2)均活动安装在呈台(3)上且均与呈台(3)构成滑动配合，呈台(3)上设有支撑平台(5)，支撑平台(5)的中部设有凹台(6)，样品框(4)放置在凹台(6)内，样品框(4)的左侧通过PI膜(27)裹敷在样品框(4)上形成左试验台(7)，样品框(4)的右侧通过PI膜(27)裹敷在样品框(4)上形成右试验台(8)，左试验台(7)与右试验台(8)之间设有空腔(9)，支撑平台(5)上位于左试验台(7)一侧设有左轴支架(10)、位于右试验台(8)一侧设有右轴支架(11)，左轴支架(10)上安装有左陶瓷片辅助安装组件(12)且两者构成转动配合，右轴支架(11)上安装有右陶瓷片辅助安装组件(26)且两者构成转动配合，左陶瓷片辅助安装组件(12)与右陶瓷片辅助安装组件(26)结构相同且基于空腔(9)呈镜像对应；
当安装陶瓷片时，左陶瓷片(13)夹在左陶瓷片辅助安装组件(12)上、右陶瓷片(14)夹在右陶瓷片辅助安装组件(26)上且左陶瓷片(13)、右陶瓷片(14)分别通过左陶瓷片辅助安装组件(12)、右陶瓷片辅助安装组件(26)放置在左试验台(7)、右试验台(8)上；测试纤维样品(15)的左端安装在左陶瓷片(13)上、右端安装在右陶瓷片(14)上，所述的左陶瓷片(13)为加热陶瓷片，左电压探针台(1)的探针抵在测试纤维样品(15)的左端，右电压探针台(2)的探针抵在测试纤维样品(15)的右端。


2.根据权利要求1所述的一种热电纤维材料塞贝克值测试装置，其特征在于：所述的左陶瓷片(13)通过PI膜(27)裹敷固定在左试验台(7)上。


3.根据权利要求1所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：阮莉敏，赵艳杰，陈子豪，周贺武，曾玮，王思亮，赵晋陵，梁栋，
申请(专利权)人：安徽大学，
类型：新型
国别省市：安徽;34