用于沉积OLED像素的金属材料的沉积掩模及其制造方法技术

根据实施方式的一种用于沉积OLED像素的金属材料的沉积掩模，其中，所述沉积掩模包括：用于形成沉积图案的沉积区域和除了沉积区域之外的非沉积区域，沉积区域包括在纵向方向上间隔开的多个有效部分和除了有效部分之外的无效部分，有效部分包括：在一个表面上形成的多个小表面孔；在与该一个表面相对的另一表面上形成的多个大表面孔；与小表面孔和大表面孔连通的通孔；以及在多个通孔之间的岛状部分，通孔的直径为33μm或更小，分辨率为500PPI或更高，其中通孔之间的间隔为48μm或更小，小表面孔相对于该一个表面的倾斜角度为70°至89°，并且小表面孔相对于该一个表面的倾斜曲率半径为3μm至86μm。

Deposition mask of metal material for OLED pixel deposition and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于沉积OLED像素的金属材料的沉积掩模及其制造方法
实施方式涉及用于沉积有机发光二极管(OLED)像素的金属材料的沉积掩模及其制造方法。具体地，根据实施方式的沉积掩模用于制造具有500PPI或更高的高分辨率的OLED面板。
技术介绍
由于需要具有高分辨率和低功耗的显示装置，因此已经开发了各种显示装置，例如，液晶显示装置和电致发光显示装置。与液晶显示装置相比，电致发光显示装置由于诸如低发光、低功耗和高分辨率等优异的特性而成为下一代显示装置的焦点。电场显示装置中存在有机发光显示装置和无机发光显示装置。也就是说，根据发光层的材料，电场显示装置可以被分类为有机发光显示装置和无机发光显示装置。其中，因为有机发光显示装置具有宽的视角、具有快速的响应速度并且需要具有低功耗，所以已经受到了关注。构成这样的发光层的有机材料可以通过精细金属掩模方法被形成为具有用于在基板上形成像素的图案。在这种情况下，精细金属掩模即用于沉积的掩模可以具有与要在基板上形成的图案对应的通孔，并且形成像素的红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的图案可以通过在基板上将精细金属掩模对准之后沉积有机材料来形成。最近，诸如虚拟现实(VR)装置的各种电子装置需要具有超高清(UHD)的显示装置。因此，需要具有能够形成超高分辨率(UHD级)图案的精细尺寸通孔的精细金属掩模。在可以用作沉积掩模的金属板上，可以通过蚀刻处理来形成多个通孔。在这种情况下，当通孔中的小表面孔的曲率和小表面孔的倾斜角度小于预定范围时，沉积材料扩散，并且因此可能发生由于像素之间的交叠而导致的沉积失败。因此，需要具有能够均匀地形成500PPI或更高的高分辨率或超高分辨率(UHD级)的图案而不会发生沉积失败的新结构的沉积掩模及其制造方法。
技术实现思路
技术问题实施方式涉及提供一种能够均匀地形成具有约500PPI或更高的高分辨率或者约800PPI或更高的超高分辨率(UHD级)的图案而不会发生沉积失败的沉积掩模及其制造方法。技术方案在一种根据实施方式的用于沉积OLED像素的金属材料的沉积掩模中，沉积掩模包括：用于形成沉积图案的沉积区域和除了沉积区域之外的非沉积区域，其中，沉积区域包括在纵向方向上间隔开的多个有效部分和除了有效部分之外的无效部分，其中，有效部分包括：在一个表面上形成的多个小表面孔；在与该一个表面相对的另一表面上形成的多个大表面孔；连通小表面孔与大表面孔的通孔；以及在多个通孔之间的岛状部分，其中，沉积掩模具有500PPI或更高的分辨率，其中通孔的直径为33μm或更小，并且通孔之间的距离为48μm或更小，小表面孔相对于该一个表面的倾斜角度为70度至89度，并且小表面孔相对于该一个表面的倾斜曲率半径为3μm至86μm。制造一种根据实施方式的用于沉积OLED像素的金属材料的沉积掩模包括：第一步骤，制备20μm至30μm的厚度的基底金属板；第二步骤，在基底金属板的一个侧上设置图案化的光光刻胶层，通过对光刻胶层的开口部分进行半蚀刻来在基底金属板的一个表面上形成凹槽，在与该一个表面相对的基底金属板的另一表面上设置图案化的光刻胶层，并且通过对光刻胶层的开口部分进行蚀刻来在基底金属板的一个表面上形成连接至凹槽的通孔；以及第三步骤，去除光刻胶层以形成沉积掩模，该沉积掩模包括在一个表面上形成的大表面孔、在与该一个表面相对的另一表面上形成的小表面孔以及通过连接至大表面孔与小表面孔之间的边界的连通部分形成的通孔。有益效果实施方式涉及一种用于沉积具有500PPI或更高的分辨率的OLED像素的金属材料的沉积掩模，并且提供了一种能够使沉积失败最小化的沉积掩模。在根据实施方式的沉积掩模中，小表面孔的曲率可以为3μm至86μm，并且小表面孔的一端与小表面与大表面孔之间的连通部分的一端之间的倾斜角度可以为70度至89度。因此，可以使通过根据实施方式的沉积掩模而沉积的沉积图案的扩散最小化。因此，根据实施方式的沉积掩模可以在保持超高分辨率的同时防止由于R、G和B图案中的两个相邻沉积图案的阴影效应而导致的沉积失败。另外，通过防止有机材料在沉积过程期间脱膜，可以提高有机发光显示装置的处理效率。附图说明图1至图3是描述根据实施方式的使用沉积掩模在基板上沉积有机材料的过程的概念图。图4是示出根据实施方式的沉积掩模的平面图的视图。图5是示出沉积掩模的有效部分的平面图的视图。图6是其中在图5中沿线A-A’截取的剖视图和沿线B-B’截取的截剖视图交叠的视图。图7是示出根据实施方式的沉积掩模的另一平面图的视图。图8是根据实施方式的沉积掩模的沿图5A中的线B-B'截取的剖视图。图9是根据比较示例的沉积掩模的在与图8相同的方向上的剖视图。图10是示出根据示例的沉积掩模的制造过程的视图。图11是示出根据比较例的沉积掩模的制造过程的视图。图12和图13是示出通过根据示例的沉积掩模形成的沉积图案的视图。图14和图15是示出通过根据比较示例的沉积掩模形成的沉积图案的视图。具体实施方式在下文中，将参照附图详细描述实施方式。然而，本专利技术的主旨和范围不限于所描述的实施方式的一部分，并且可以以各种其他形式来实现，并且在本专利技术的主旨和范围内，实施方式的一个或更多个元件可以被选择性地组合和替换。另外，除非明确地另外定义和描述，否则本专利技术的实施方式中使用的术语(包括技术术语和科学术语)可以被解释为本专利技术所属领域中的普通技术人员通常理解的相同含义，并且诸如在常用词典中定义的那些术语可以被解释为具有与其在相关技术的上下文中的含义一致的含义。此外，在本专利技术的实施方式中使用的术语是用于描述实施方式，并且不旨在限制本专利技术。在本说明书中，除非在短语中特别地说明，否则单数形式也可以包括复数形式，并且当描述为“A(和)、B和C中的至少一个(或更多个)”时，可以包括可以在A、B和C中组合的所有组合中的至少一个。此外，在描述本专利技术的实施方式的元件时，可以使用诸如第一、第二、A、B、(a)和(b)的术语。这些术语仅用于将元件与其他元件区分开，并且术语不限于元件的本质、顺序或次序。另外，当元件被描述为“连接”、“耦接”或“联接”至另一元件时，不但可以包括该元件直接“连接”至、“耦接”至或“联接”至其他元件时的情况，而且可以包括在该元件与其他元件之间通过另一元件“连接”、“耦接”或“联接”的情况。此外，当被描述为形成或设置在每个元件的“上(上方)”或“下(以下)”时，“上(上方)”或“下(以下)”不但可以包括两个元件直接彼此连接的情况，而且可以包括在两个元件之间形成或设置一个或更多个其他元件的情况。此外，当被表达为“在上(上方)”或“在下(以下)”时，基于一个元件，不但可以包括上面的方向，而且可以包括下面的方向。将参照图1至图3来描述使用根据实施方式的沉积掩模在基板上沉积有机材本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于OLED像素沉积的金属材料沉积掩模，所述沉积掩模包括：/n用于形成沉积图案的沉积区域和除了所述沉积区域之外的非沉积区域，/n其中，所述沉积区域包括在纵向方向上间隔开的多个有效部分和除了所述有效部分之外的无效部分，/n其中，所述有效部分包括：/n形成在一个表面上的多个小表面孔；/n形成在与所述一个表面相对的另一表面上的多个大表面孔；/n连通所述小表面孔与所述大表面孔的通孔；以及/n在多个通孔之间的岛状部分，/n其中，所述沉积掩模具有500PPI或更高的分辨率，其中所述通孔的直径为33μm或更小，并且所述通孔之间的距离为48μm或更小，/n所述小表面孔相对于所述一个表面的倾斜角度为70度至89度，并且/n所述小表面孔相对于所述一个表面的倾斜曲率半径为3μm至86μm。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170829 KR 10-2017-01097241.一种用于OLED像素沉积的金属材料沉积掩模，所述沉积掩模包括：
用于形成沉积图案的沉积区域和除了所述沉积区域之外的非沉积区域，
其中，所述沉积区域包括在纵向方向上间隔开的多个有效部分和除了所述有效部分之外的无效部分，
其中，所述有效部分包括：
形成在一个表面上的多个小表面孔；
形成在与所述一个表面相对的另一表面上的多个大表面孔；
连通所述小表面孔与所述大表面孔的通孔；以及
在多个通孔之间的岛状部分，
其中，所述沉积掩模具有500PPI或更高的分辨率，其中所述通孔的直径为33μm或更小，并且所述通孔之间的距离为48μm或更小，
所述小表面孔相对于所述一个表面的倾斜角度为70度至89度，并且
所述小表面孔相对于所述一个表面的倾斜曲率半径为3μm至86μm。


2.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述小表面孔相对于所述一个表面的高度为3μm或更小。


3.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，在所述沉积掩模的所述一个表面中的、所述小表面孔的直径与所述通孔的直径之间的差为0.01μm至1.1μm。


4.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述无效部分的厚度为30μm或更小，并且所述岛状部分的最大厚度为15μm或更小。

【专利技术属性】
技术研发人员：金海植，白智钦，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR