有机发光二极管显示器及其制造方法技术

本申请提供一种有机发光二极管显示器及其制造方法，通过形成覆盖栅极的无机绝缘层，且在无机绝缘层上形成有机绝缘层以起到平坦化作用，避免后续形成的金属层由于陡坡而在刻蚀时出现金属残留的问题，有机绝缘层对应栅极的位置设置有凹槽，用于与栅极形成电容器的金属构件形成于凹槽中且对应栅极设置，栅极和金属构件之间的间距减小，使得栅极和金属构件组成的电容器的电容较大。

OLED display and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管显示器及其制造方法
本申请涉及显示
，尤其涉及一种有机发光二极管显示器及其制造方法。
技术介绍
有机发光二极管显示器(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)由于其重量轻、自发光、广视角、驱动电压低、发光效率高、功耗低以及响应速度快等优点，应用范围越来越广泛。传统技术中，有机发光二极管显示器中的扫描线采用钼制得，由于钼的电阻率较大，在宽屏有机发光二极管显示器中，钼制得的扫描线会导致栅极驱动信号延时的现象较明显，需要采用电阻较小的金属材料才能解决栅极驱动信号延时的问题，电阻率较小的金属材料包括铝。电阻率较小的金属层经干刻蚀图案化以形成薄膜晶体管的栅极时会形成较陡的坡，且由于后续覆盖栅极的无机绝缘层厚度较薄，会导致后续形成于无机绝缘层上且需要刻蚀部分金属层以形成图案化金属层的金属层在陡坡处有残留，该金属残留会降低有机发光二极管显示器的性能。
技术实现思路
本申请的目的在于提供一种有机发光二极管显示器及其制造方法，以解决用于形成金属构件的金属层在陡坡处刻蚀存在残留问题的同时，保证本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机发光二极管显示器，其特征在于，所述有机发光二极管显示器包括：/n基板；/n于所述基板上形成的有源层；/n覆盖所述有源层和所述基板的第一绝缘层；/n形成于所述第一绝缘层上且对应所述有源层设置的栅极；/n覆盖所述栅极和所述第一绝缘层的无机绝缘层；/n形成于所述无机绝缘层上且具有凹槽的有机绝缘层，所述凹槽对应所述栅极设置；/n形成于所述凹槽中且对应所述栅极设置的金属构件；/n至少覆盖所述金属构件以及所述有机绝缘层的第二绝缘层；/n形成于所述第二绝缘层上且至少通过所述第二绝缘层、所述第一绝缘层和所述无机绝缘层上连通的过孔与所述有源层电性连接的源极和漏极；以及/n发光器件层，所述发光器件层形...

【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管显示器，其特征在于，所述有机发光二极管显示器包括：
基板；
于所述基板上形成的有源层；
覆盖所述有源层和所述基板的第一绝缘层；
形成于所述第一绝缘层上且对应所述有源层设置的栅极；
覆盖所述栅极和所述第一绝缘层的无机绝缘层；
形成于所述无机绝缘层上且具有凹槽的有机绝缘层，所述凹槽对应所述栅极设置；
形成于所述凹槽中且对应所述栅极设置的金属构件；
至少覆盖所述金属构件以及所述有机绝缘层的第二绝缘层；
形成于所述第二绝缘层上且至少通过所述第二绝缘层、所述第一绝缘层和所述无机绝缘层上连通的过孔与所述有源层电性连接的源极和漏极；以及
发光器件层，所述发光器件层形成于所述源极和所述漏极远离所述基板的一侧。


2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，所述凹槽的深度等于所述有机绝缘层的厚度。


3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，所述无机绝缘层的厚度为500埃-2000埃，所述无机绝缘层为氮化硅层。


4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，所述金属构件在所述基板上的垂直投影覆盖所述栅极在所述基板上的垂直投影，且所述金属构件的尺寸大于所述栅极的尺寸。


5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其特征在于，所述有源层具有源极接触区以及与所述源极接触区对称设置的漏极接触区，所述有机绝缘层上设置有至少两个第一开口，至少两个所述第一开口分别对应于所述有源层对应所述源极接触区的部分和所述漏极接触区的部分设置，至少两个所述第一开口与所述第二绝缘层、所述第一绝缘层和所述无机绝缘层上连通的所述过孔连通，所述源极以及所述漏极分别通过至少两个所述第一开口以及所述第二绝缘层、所述第一绝缘层和所述无机绝缘层上连通的所述过孔与所述有源层对应所述源极接触区的部分和所述漏极接触区的部分接触。


6.根据权利要求1或2...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨薇薇，陈诚，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42