体声波谐振器及体声波滤波器制造技术

本发明专利技术提供一种体声波谐振器及体声波滤波器，所述体声波谐振器包括：第一基板，利用第一材料形成；绝缘层或压电层，设置在所述第一基板的第一侧上；以及第二基板，利用第二材料形成并设置在所述第一基板的第二侧上，其中，所述第二材料具有比所述第一材料的导热性高的导热性。

Bulk acoustic resonator and filter

【技术实现步骤摘要】
体声波谐振器及体声波滤波器本申请要求于2018年12月7日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0156734号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
以下描述涉及一种体声波谐振器和包括体声波谐振器的体声波滤波器。
技术介绍
随着5G通信模块的出现，有必要发展用于5G的体声波滤波器和适用于这样的滤波器的体声波谐振器。能够通过体声波谐振器(FBAR)实现的频带通常为6GHz或更小。用于2GHz至3GHz的频带的体声波谐振器能够通过调整电极的厚度和压电层的厚度而容易地实现。然而，由于预期用于5GHz频带的体声波谐振器存在相当大的制造工艺困难并且预期用于5GHz频带的体声波谐振器具有劣化的性能，因此难以实现用于5GHz频带的体声波谐振器。此外，由于用于5GHz频带的体声波谐振器内部产生相当大量的热，因此需要用于合适地将这样的热驱散的结构。
技术实现思路
提供本
技术实现思路
以按照简化形式介绍并且在以下具体实施方式中进一步描述所选择的构思。本
技术实现思路
既不意在限定所要求保护的主题的关键特征及必要特征，也不意在帮助确定所要求保护的主题的范围。一种体声波谐振器包括：第一基板，利用第一材料形成；绝缘层或压电层，设置在所述第一基板的第一侧上；以及第二基板，利用第二材料形成，并设置在所述第一基板的与所述第一基板的所述第一侧相对的第二侧上，其中，所述第二材料具有比所述第一材料的导热性高的导热性。一种体声波谐振器包括：第一基板，利用第一材料形成，在所述第一基板的第一侧上设置有压电层；以及第二基板，利用第二材料形成，并设置在所述第一基板的与所述第一基板的所述第一侧相对的第二侧上，其中，所述第二材料具有比所述第一材料的导热性高的导热性。可满足0.25<t1/t2<0.67，其中，t1是所述第一基板的厚度，t2是所述第二基板的厚度。所述第一基板可利用硅(Si)形成，所述第二基板可利用碳化硅(SiC)化合物形成。所述体声波谐振器还可包括：第三基板，设置在所述第二基板的一侧上。所述第三基板可利用所述第一材料形成。可满足0.25<(t1+t3)/t2<0.67，其中，t1是所述第一基板的厚度，t2是所述第二基板的厚度，t3是所述第三基板的厚度。所述第三基板的厚度可小于所述第一基板的厚度。所述体声波谐振器还可包括：第四基板，设置在所述第三基板的一侧上。所述第四基板可利用所述第二材料形成。所述第四基板的厚度可小于所述第二基板的厚度。可满足0.25<(t1+t3)/(t2+t4)<0.67，其中，t1是所述第一基板的厚度，t2是所述第二基板的厚度，t3是所述第三基板的厚度，t4是所述第四基板的厚度。所述体声波谐振器还可包括绝缘层，所述绝缘层设置于所述第一基板的第一侧和所述压电层之间。在另一总体方面，一种体声波滤波器包括上面描述的所述体声波谐振器。在另一总体方面，一种体声波谐振器包括：第一基板，利用硅(Si)形成；绝缘层，设置在所述第一基板的第一侧上；膜层，设置在所述绝缘层上，并且限定位于所述绝缘层和所述膜层之间的腔；压电层，设置在所述膜层上；以及第二基板，利用碳化硅(SiC)化合物形成并设置在所述第一基板的与所述第一基板的所述第一侧相对的第二侧上。所述第二基板的厚度可大于所述第一基板的厚度。所述体声波谐振器还可包括：第三基板，利用Si形成并设置在所述第二基板的一侧上，所述第二基板的所述一侧与所述第二基板的设置在所述第一基板的所述第二侧上的一侧相对。所述第二基板的厚度可大于所述第一基板的厚度。所述第三基板的厚度可小于所述第一基板的厚度。所述体声波谐振器还可包括：第四基板，利用SiC化合物形成并设置在所述第三基板的一侧上，所述第三基板的所述一侧与所述第三基板的设置在所述第二基板上的一侧相对。所述第二基板的厚度可大于所述第一基板的厚度。所述第三基板的厚度可小于所述第一基板的厚度。所述第四基板的厚度可小于所述第二基板的厚度。通过以下具体实施方式和附图，其他特征和方面将显而易见。附图说明图1是根据示例的体声波谐振器的平面图。图2是沿着图1的线I-I截取的截面图。图3是沿着图1的线II-II截取的截面图。图4是沿着图1的线III-III截取的截面图。图5是根据基板结构对比频率损耗的曲线图。图6是根据基板结构对比散热特性的曲线图。图7是示出根据另一示例的体声波谐振器的截面图。图8是示出根据另一示例的体声波谐振器并沿着线II-II截取的截面图。图9是根据示例的体声波滤波器的平面图。在整个附图和具体实施方式中，相同的标号指示相同的元件。附图可不按照比例绘制，并且为了清楚、说明和方便起见，可夸大附图中的元件的相对尺寸、比例和描绘。具体实施方式提供以下具体实施方式，以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解了本申请的公开内容后，在此所描述的方法、设备和/或系统的各种改变、变型及等同物将是显而易见的。例如，在此描述的操作顺序仅仅是示例，且不限于在此所阐述的示例，而是除了必须按照特定顺序发生的操作外，可做出在理解了本申请的公开内容后将是显而易见的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略本领域中已知的特征的描述。在此描述的特征可按照不同的形式实施，并且将不被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例，仅仅为了示出在理解了本申请的公开内容后将是显而易见的实现在此描述的方法、设备和/或系统的许多可行方式中的一些可行方式。在此，值得注意的是，关于示例或实施例的术语“可”的使用(例如，关于示例或实施例可包括或实现什么)意味着存在包括或实现这样的特征的至少一个示例或实施例，而所有的示例和实施例不限于此。在整个说明书中，当诸如层、区域或基板的元件被描述为“在”另一元件“上”、“连接到”另一元件或“结合到”另一元件时，其可直接“在”另一元件“上”、直接“连接到”另一元件或直接“结合到”另一元件，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其他元件。相比之下，当元件被称为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”另一元件或“直接结合到”另一元件时，可不存在介于它们之间的其他元件。如在此使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的任意一个和任意两个或更多个的任意组合。虽然诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语可在此用于描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语限制。更确切地说，这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中所称的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分也可被称为第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。...

【技术保护点】
1.一种体声波谐振器，所述体声波谐振器包括：/n第一基板，利用第一材料形成，在所述第一基板的第一侧上设置有压电层；以及/n第二基板，利用第二材料形成，并设置在所述第一基板的与所述第一基板的所述第一侧相对的第二侧上，/n其中，所述第二材料具有比所述第一材料的导热性高的导热性。/n

【技术特征摘要】
20181207 KR 10-2018-01567341.一种体声波谐振器，所述体声波谐振器包括：
第一基板，利用第一材料形成，在所述第一基板的第一侧上设置有压电层；以及
第二基板，利用第二材料形成，并设置在所述第一基板的与所述第一基板的所述第一侧相对的第二侧上，
其中，所述第二材料具有比所述第一材料的导热性高的导热性。


2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，满足0.25<t1/t2<0.67，并且
其中，t1是所述第一基板的厚度，t2是所述第二基板的厚度。


3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述第一基板利用硅形成，
所述第二基板利用碳化硅化合物形成。


4.根据权利要求1所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括：第三基板，设置在所述第二基板的一侧上。


5.根据权利要求4所述的体声波谐振器，其中，所述第三基板利用所述第一材料形成。


6.根据权利要求5所述的体声波谐振器，其中，满足0.25<(t1+t3)/t2<0.67，并且
其中，t1是所述第一基板的厚度，t2是所述第二基板的厚度，t3是所述第三基板的厚度。


7.根据权利要求4所述的体声波谐振器，其中，所述第三基板的厚度小于所述第一基板的厚度。


8.根据权利要求4所述的体声波谐振器，所述体声波谐振器还包括：第四基板，设置在所述第三基板的一侧上。


9.根据权利要求8所述的体声波谐振器，其中，所述第四基板利用所述第二材料形成。


10.根据权利要求8所述的体声波谐振器，其中，所述第四基板的厚度小于所述第二基板的厚度。


11.根据权利要求8所述的体声波谐振器，其中，满足0.25<...

【专利技术属性】
技术研发人员：李泰京，朴润锡，丁大勳，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR