【技术实现步骤摘要】
微波多普勒探测模块及设备
本专利技术涉及微波多普勒探测领域，尤其涉及一种微波多普勒探测模块及设备。
技术介绍
基于多普勒效应原理的微波探测技术作为人与物，物与物之间相联的重要枢纽在行为探测和存在探测技术中具有独特的优势，其能够在不侵犯人隐私的情况下，探测出活动物体，因而具有广泛的应用前景。现有的微波探测模块依辐射源的结构主要分为柱状辐射源结构的微波探测模块和平板辐射源结构的微波探测模块，具体地，参考本专利技术的说明书附图之图1A和图1B所示，现有的柱状辐射源结构的微波探测模块10P和平板辐射源结构的微波探测模块20P的结构原理分别被示意，其中该柱状辐射源结构的微波探测模块10P包括一柱状辐射源11P和一参考地面12P，其中该参考地面12P被设置有一辐射孔121P，其中该柱状辐射源11P经该辐射孔121P垂直穿透该参考地面12P而于该辐射孔121P与该参考地面12P之间形成有一辐射缝隙1211P，如此则在该柱状辐射源11P被馈电时，该柱状辐射源11P能够与该参考地面12P耦合而自该辐射缝隙1211P以该柱状辐射源11P为中心轴形成一辐射空间100P，其中该辐射空间100P为该柱状辐射源结构的微波探测模块10P辐射的电磁波的覆盖范围，其中该辐射空间100P于其中心轴分别向该柱状辐射源11P的两端内凹而具有探测死区。参考图1B所示的该平板辐射源结构的微波探测模块20P的结构原理，其中该平板辐射源结构的微波探测模块20P包括一平板辐射源21P和一参考地面22P，其中该平板辐射源21P与该参考地面22P相互平行地被间隔...
【技术保护点】
1.一微波多普勒探测模块，其特征在于，包括：/n至少一对对偶耦合极子，其中一对所述对偶耦合极子包括一第一辐射源极和一第二辐射源极，其中所述第一辐射源极具有一第一馈电端并被设置为以所述第一馈电端为端延伸的导体，其中所述第二辐射源极具有一第二馈电端并被设置为所述第二馈电端为端延伸的导体，其中所述第一辐射源极和所述第二辐射源极分别适于在所述第一馈电端和所述第二馈电端被同一激励信号馈源馈电，其中所述第一馈电端和所述第二馈电端在小于等于λ/4的距离范围内相互靠近，其中λ为与该激励信号馈源的馈电信号频率相对应的波长参数，其中所述第一辐射源极被设置满足自所述第一馈电端具有大于等于λ/16的线长，其中所述第二辐射源极被设置满足自所述第二馈电端具有大于等于λ/16的线长，如此以当所述第一辐射源极和所述第二辐射源极分别于所述第一馈电端和所述第二馈电端被同一激励信号馈源馈电时，所述第一辐射源极和所述第二辐射源极的电流和电位分布能够以所述第一馈电端和所述第二馈电端的连线的中点呈对偶分布状态，从而使得所述第一辐射源极自所述第一馈电端沿所述第一辐射源极对应耦合于所述第二辐射源极的自所述第二馈电端沿所述第二辐射源极...
【技术特征摘要】
1.一微波多普勒探测模块，其特征在于，包括：
至少一对对偶耦合极子，其中一对所述对偶耦合极子包括一第一辐射源极和一第二辐射源极，其中所述第一辐射源极具有一第一馈电端并被设置为以所述第一馈电端为端延伸的导体，其中所述第二辐射源极具有一第二馈电端并被设置为所述第二馈电端为端延伸的导体，其中所述第一辐射源极和所述第二辐射源极分别适于在所述第一馈电端和所述第二馈电端被同一激励信号馈源馈电，其中所述第一馈电端和所述第二馈电端在小于等于λ/4的距离范围内相互靠近，其中λ为与该激励信号馈源的馈电信号频率相对应的波长参数，其中所述第一辐射源极被设置满足自所述第一馈电端具有大于等于λ/16的线长，其中所述第二辐射源极被设置满足自所述第二馈电端具有大于等于λ/16的线长，如此以当所述第一辐射源极和所述第二辐射源极分别于所述第一馈电端和所述第二馈电端被同一激励信号馈源馈电时，所述第一辐射源极和所述第二辐射源极的电流和电位分布能够以所述第一馈电端和所述第二馈电端的连线的中点呈对偶分布状态，从而使得所述第一辐射源极自所述第一馈电端沿所述第一辐射源极对应耦合于所述第二辐射源极的自所述第二馈电端沿所述第二辐射源极的相应位置；和
一电磁反射面，其中所述对偶耦合极子于所述电磁反射面所对应的空间与所述电磁反射面相间隔地被设置。
2.根据权利要求1所述的微波多普勒探测模块，其中所述电磁反射面在平行于所述第一馈电端和所述第二馈电端连线的方向的尺寸满足大于等于λ/4，且在垂直于所述第一馈电端和所述第二馈电端连线的方向的尺寸满足大于等于λ/4。
3.根据权利要求2所述的微波多普勒探测模块，其中所述第一馈电端和所述第二馈电端的连线的中点与所述电磁反射面之间的距离满足大于等于λ/32。
4.根据权利要求2所述的微波多普勒探测模块，其中所述微波多普勒探测模块进一步包括一电路单元，其中所述电路单元包括一振荡电路单元和一混频检波单元，其中所述混频检波单元被电性耦合于所述振荡电路单元和所述对偶耦合极子，其中所述振荡电路单元被设置允许被供电而于其馈极而输出一馈电信号和于其地极被接地以作为一激励信号馈源，其中所述第一辐射源极于所述第一馈电端被电性耦合于所述振荡电路单元的馈极，其中所述第二辐射源极于所述第二馈电端被电性连接于所述振荡电路单元的地极，如此以当所述振荡电路单元被供电时，所述第一辐射源极和所述第二辐射源极分别于所述第一馈电端和所述第二馈电端被所述振荡电路单元同源馈电。
5.根据权利要求4所述的微波多普勒探测模块，其中所述电磁反射面阻隔于所述对偶耦合极子和所述电路单元之间。
6.根据权利要求5所述的微波多普勒探测模块，其中所述微波多普勒探测模块进一步包括一电路基板，其中所述电磁反射面和所述电路单元于所述电路基板的两相对面被承载于所述电路基板。
7.根据权利要求6所述的微波多普勒探测模块，其中所述微波多普勒探测模块进一步包括一第一馈电线和一第二馈电线，其中所述第一辐射源极于所述第一馈电端经所述第一馈电线被电性耦合于所述振荡电路单元的馈极，其中所述第二辐射源极于所述第二馈电端经所述第二馈电线被电性连接于所述振荡电路单元的地极。
8.根据权利要求7所述的微波多普勒探测模块，其中所述第二馈电线包围所述第一馈电线而形成有一电磁屏蔽腔。
9.根据权利要求8所述的微波多普勒探测模块，其中所述第一馈电线和所述第二馈电线被实施为以所述第二馈电线包围所述第一馈电线的一屏蔽线，其中所述屏蔽线被可插接地设置。
10.根据权利要求8所述的微波多普勒探测模块，其中所述第一馈电线穿透所述电路基板并以焊接的方式被固定和被电性连接于所述电路单元。
11.根据权利要求10所述的微波多普勒探测模块，其中所述第二馈电线具有至少一焊脚，其中所述焊脚插置于所述电路基板和以焊接的方式被固定。
12.根据权利要求10所述的微波多普勒探测模块，其中所述第二馈电线具有至少一焊脚，其中所述焊脚以垂直于所述第二馈电线的方式被弯折地设置和于所述电路基板的设置有所述电磁反射面的一面以焊接的方式被固定。
13.根据权利要求10所述的微波多普勒探测模块，所述第二馈电线的远离所述第二馈电端的一端的端面被焊接固定于所述电路基板。
14.根据权利要求10所述的微波多普勒探测模块，所述第二馈电线的远离所述第二馈电端的一端沿所述第二馈电线的径向方向被延伸而呈喇叭状，其中所述第二馈电线的呈喇叭状的该端被焊接固定于所述电路基板。
15.根据权利要求8所述的微波多普勒探测模块，其中所述微波多普勒探测模块进一步包括一衬套，其中所述衬套被环套于所述第一馈电线和内嵌于所述第二馈电线的所述电磁屏蔽腔。
16.根据权利要求15所述的微波多普勒探测模块，其中所述第二辐射源极于所述第二馈电端被以激光点焊的方式导电焊接于所述第二馈电线。
17.根据权利要求15所述的微波多普勒探测模块，其中所述第二辐射源极被设置为管状，其中被设置为管状的所述第二辐射源极自所述第二馈电端的延伸方向对应于所述第一辐射源极在所述第一馈电端至所述第二馈电端方向的镜像的延伸方向。
18.根据权利要求8所述的微波多普勒探测模块，其中所述第一辐射源极进一步被电性连接于所述振荡电路单元的地极。
19.根据权利要求18所述的微波多普勒探测模块，其中一对所述对偶耦合极子的所述第一辐射源极的与所述第一馈电端相对的一端一体延伸至所述第二辐射源极的与所述第二馈电端相对的一端，以在所述第二辐射源极被接地时形成所述第一辐射源极被接地的状态。
20.根据权利要求18所述的微波多普勒探测模块，其中所述第一辐射源极与所述第二馈电线电性相连而被电性连接于所述振荡电路单元的地极。
21.根据权利要求20所述的微波多普勒探测模块，其中所述第二馈电线自与所述第二辐射源极相连的一端沿所述第一馈电线方向具有一对开槽位置，其中一对所述开槽位置于所述第二馈电线界定有一第一臂和一第二臂，其中所述第二辐射源极自所述第二馈电线的所述第二臂导电延伸，其中所述第一辐射源极自所述第一馈电线和所述第二馈电线的所述第一臂导电延伸而被电性连接于所述振荡电路单元的地极，其中所述第二馈电线于一对所述开槽位置分别沿所述第一馈电线方向被设置有至少一开槽。
22.根据权利要求21所述的微波多普勒探测模块，其中所述第一馈电线电性连接于所述第一臂，其中所述第一辐射源极于所述第一馈电端电性连接于所述第一臂，如此以形成所述第一辐射源极自所述第一馈电线和所述第二馈电线的所述第一臂导电延伸的状态。
23.根据权利要求22所述的微波多普勒探测模块，其中各所述开槽位置的所述开槽的数量大于一个，其中同一所述开槽位置的各所述开槽的开槽深度不同。
24.根据权利要求22所述的微波多普勒探测模块，其中所述第二馈电线于一对所述开槽位置分别被设置有一个所述开槽，其中所述开槽自所述第二馈电线的与所述第二辐射源极相连的一端沿所述第一馈电线方向具有大于等于λ/128的开槽深度。
25.根据权利要求24所述的微波多普勒探测模块，其中所述第一辐射源极自所述第一馈电端一体延伸于所述第一臂，其中所述第二辐射源极自所述第二馈电端一体延伸于所述第二臂。
26.根据权利要求24所述的微波多普勒探测模块，其中所述第一辐射源极自所述第一馈电端在其中一所述开槽导电延伸于所述第一臂和所述第二臂，所述第二辐射源极自所述第二馈电端在另一所述开槽导电延伸于所述第一臂和所述第二臂，以对应形成所述第一辐射源极于所述第一馈电端同时电性连接于所述第二馈电线的所述第一臂和所述第二臂，和所述第二辐射源极于所述第二馈电端同时电性连接于所述第二馈电线的所述第一臂和所述第二臂的状态，其中所述第二馈电线的所述第一臂在偏离于所述第一臂的中轴线位置电性连接于所述第一馈电线。
27.根据权利要求24所述的微波多普勒探测模块，其中所述第一辐射源极和所述第二辐射源极一体成型为一整体而形成所述第一辐射源极的所述第一馈电端进一步电性连接于所述第二辐射源极的所述第二馈电端的状态。
28.根据权利要求27所述的微波多普勒探测模块，其中呈整体的所述第一辐射源极和所述第二辐射源极被架设于所述第二馈电线的所述第一臂和所述第二臂，如此则所述第一馈电端和所述第二馈电端为呈整体的所述第一辐射源极和所述第二辐射源极上分别与所述第一臂和所述第二臂相接触的部分，从而形成所述第一辐射源极于所述第一馈电端电性连接于所述第二馈电线的所述第一臂，所述第二辐射源极于所述第二馈电端电性连接于所述第二馈电线的所述第二臂，以及所述第一辐射源极的所述第一馈电端电性连接于所述第二辐射源极的所述第二馈电端的状态。
29.根据权利要求27所述的微波多普勒探测模块，其中呈整体的所述第一辐射源极和所述第二辐射源极沿一对所述开槽方向地被架设于所述第二馈电线，以对应形成所述第一辐射源极于所述第一馈电端同时电性连接于所述第二馈电线的所述第一臂和所述第二臂，所述第二辐射源极于所述第二馈电端同时电性连接于所述第二馈电线的所述第一臂和所述第二臂，且所述第一辐射源极的所述第一馈电端电性连接于所述第二辐射源极的所述第二馈电端的电性连接状态，其中所述第二馈电线的所述第一臂在偏离于所述第一臂的中轴线位置电性连接于所述第一馈电线。
30.根据权利要求1至29中任一所述的微波多普勒探测模块，其中所述第一辐射源极于与所述第一馈电端相对的一端在垂直于所述第一馈电端和所述第二馈电端的连线的两相对方向被进一步延伸，所述第二辐射源极于与所述第二馈电端相对的一端在垂直于所述第一馈电端和所述第二馈电端的连线的两相对方向被进一步延伸。
31.根据权利要求1至29中任一所述的微波多普勒探测模块，其中所述第一辐射源极和所述第二辐射源极被设置以所述第一馈电端和所述第二馈电端连线的中点对称。
32.根据权利要求31所述的微波多普勒探测模块，其中所述第一辐射源极被设置为自所述第一馈电端以所述第一馈电端为端沿所述第二馈电端向所述第一馈电端的连线延伸的柱状导电线，其中所述第二辐射源极被设置为自所述第二馈电端以所述第二馈电端为端沿所述第一馈电端向所述第二馈电端的连线延伸的柱状导电线。
33.根据权利要求31所述的微波多普勒探测模块，其中所述第一辐射源极被设置为自所述第一馈电端以所述第一馈电端为端，同时在所述第二馈电端向所述第一馈电端的连线方向和远离所述电磁反射面的方向延伸的柱状导电线，其中所述第二辐射源极被设置为自所述第二馈电端以所述第二馈电端为端，同时在所述第一馈电端向所述第二馈电端的连线方向和远离所述电磁反射面的方向延伸的柱状导电线。
34.根据权利要求31所述的微波多普勒探测模块，其中所述第一辐射源极被设置为自所述第一馈电端以所述第一馈电端为端，同时在所述第二馈电端向所述第一馈电端的连线方向和靠近所述电磁反射面的方向延伸的柱状导电线，其中所述第二辐射源极被设置为自所述第二馈电端以所述第二馈电端为端，同时在所述第一馈电端向所述第二馈电端的连线方向和靠近所述电磁反射面的方向延伸的柱状导电线。
35.根据权利要求31所述的微波多普勒探测模块，其中所述第一辐射源极被设置自所述第一馈电端以所述第一馈电端为端，顺序在所述第二馈电端向所述第一馈电端的连线的方向，远离所述电磁反射面的方向，和所述第一馈电端向所述第二馈电端连线的方向延伸，其中所述第二辐射源极自所述第二馈电端以所述第二馈电端为端，顺序在所述第一馈电端向所述第二馈电端的连线方向，远离所述电磁反射面的方向，和所述第二馈电端向所述第一馈电端连线的方向延伸。
36.根据权利要求31所述的微波多普勒探测模块，其中所述第一辐射源极被设置自所述第一馈电端以所述第一馈电端为端，顺序在所述第二馈电端向所述第一馈电端的连线的方向，靠近所述电磁反射面的方向，和所述第一馈电端向所述第二馈电端连线的方向延伸，其中所述第二辐射源极自所述第二馈电端以所述第二馈电端为端，顺序在所述第一馈电端向所述第二馈电端的连线方向，靠近所述电磁反射面的方向，和所述第二馈电端向所述第一馈电端连线的方向延伸。
37.根据权利要求31所述的微波多普勒探测模块，其中所述微波多普勒探测模块进一步包括一介质基板，其中所述第一辐射源极和所述第二辐射源极以微带线形式被承载于所述介质基板。
38.根据权利要求37所述的微波多普勒探测模块，其中所述第一辐射源极和所述第二辐射源极被承载于所述介质基板的同一面，其中所述第一辐射源极被设置为自所述第一馈电端以所述第一馈电端为端沿所述第二馈电端向所述第一馈电端的连线延伸的微带线，其中所述第二辐射源极被设置为自所述第二馈电端以所述第二馈电端为端沿所述第一馈电端向所述第二馈电端的连线延伸的微带线。
39.根据权利要求38所述的微波多普勒探测模块，其中所述介质基板的承载有所述辐射源极和所述参考地极的一面平行于所述电磁反射面。
40.根据权利要求39所述的微波多普勒探测模块，其中所述微波多普勒探测模块包括两对所述对偶耦合极子，其中两对所述对偶耦合极子的两所述第一辐射源极的两所述第一馈电端电性相连，其中两对所述对偶耦合极子的两所述第二辐射源极的两所述第二馈电端电性相连，其中两所述第二馈电端的连线与两所述第一馈电端的连线交叉，且其中一对所述对偶耦合极子的所述第一馈电端和所述第二馈电端之间的连线与另一对所述对偶耦合极子的所述第一馈电端和所述第二馈电端之间的连线平行。
41.根据权利要求38所述的微波多普勒探测模块，其中所述介质基板的承载有所述辐射源极和所述参考地极的一面垂直于所述电磁反射面，且所述第一馈电端和所述第二馈电端的连线垂直于所述电磁反射面。
42.根据权利要求41所述的微波多普勒探测模块，其中所述微波多普勒探测模块包括两对所述对偶耦合极子，其中两对所述对偶耦合极子的两所述第一辐射源极的两所述第一馈电端电性相连，其中两对所述对偶耦合极子的两所述第二辐射源极的两所述第二馈电端电性相连，其中两所述第二馈电端的连线与两所述第一馈电端的连线交叉，且其中一对所述对偶耦合极子的所述第一馈电端和所述第二馈电端之间的连线与另一对所述对偶耦合极子的所述第一馈电端和所述第二馈电端之间的连线平行。
43.根据权利要求38所述的微波多普勒探测模块，其中所述介质基板的承载有所述辐射源极和所述参考地极的一面垂直于所述电磁反射面，且所述第一馈电端和所述第二馈电端的连线平行于所述电磁反射面。
44.根据权利要求43所述的微波多普勒探测模块，其中所述微波多普勒探测模块包括两对所述对偶耦合极子...
【专利技术属性】
技术研发人员：邹高迪，邹新，
申请(专利权)人：深圳迈睿智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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