双模组同侧偏置式微波探测装置及灯具制造方法及图纸

技术编号:40695215 阅读:19 留言:0更新日期:2024-03-18 20:21
本技术提供一双模组同侧偏置式微波探测装置及灯具,所述双模组同侧偏置式微波探测装置包括电路主板、微波模组以及无线通信模组,所述微波模组包括参考地面和在所述参考地面的侧方位被设置的一对对偶耦合极子,并以所述参考地面相对于所述电路主板被平铺放置的状态被承载于所述电路主板,以使得一对所述对偶耦合极子位于所述电路主板的侧方位,所述无线通信模组以片式结构设计在该侧方位被竖立于所述电路主板,以形成所述无线通信模组与所述对偶耦合极子在所述电路主板的同一侧被偏置的状态,进而当所述双模组同侧偏置式微波探测装置被安装于所述灯具的内部时与所述灯具相匹配地实现所述灯具的简洁化设计。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及灯具领域,尤其涉及一种双模组同侧偏置式微波探测装置及灯具


技术介绍

1、灯具作为生活和工作中必不可少的用电设备,其发展至今基于不同的应用场景衍生出丰富多样的品牌和类型,其中led灯具作为一种高效节能的灯具已经完全融入我们的生活和工作场景。现有的led灯具种类繁多,如基于室内照明场景主要分为led吸顶灯、led面板灯、led台灯、led灯带、led灯管以及led球泡灯等,并且同一种类的led灯具的形态也可能呈现多样化。因此,在灯具的智能化发展趋势下,尤其是在基于主动人体活动探测技术的智能化发展趋势下,面对灯具形态的简洁化设计需求,现有的led灯具对相应智能化装置的结构设计和性能的匹配性要求也越来越高。

2、目前被应用于灯具智能化的主动人体活动探测技术中,所述智能化装置通过一微波模组发射微波波束和接收该微波波束被相应物体反射形成的一反射回波,并以混频检波的方式生成对应于该微波波束和该反射回波之间频率差异的一多普勒中频信号,则所述多普勒中频信号为对相应物体的运动的反馈。

3、在实际应用中,面对日新月异的智能化需求发展,所述智能本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.双模组同侧偏置式微波探测装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的双模组同侧偏置式微波探测装置,其特征在于:所述双模组同侧偏置式微波探测装置进一步包括界定有一容纳腔的一壳体,其中所述壳体外凸延伸有一第一凸部和一第二凸部,对应所述第一凸部和所述第二凸部分别于所述容纳腔界定有一第一凸槽和一第二凸槽,其中所述电路主板以一对所述对偶耦合极子伸入所述第一凸槽和所述无线通信模组伸入所述第二凸槽的状态被容置于所述容纳腔,对应所述第一凸部和所述第二凸部外凸于所述壳体的同一侧。

3.根据权利要求2所述的双模组同侧偏置式微波探测装置,其中所述第一凸槽和所述第二凸槽中的至少...

【技术特征摘要】

1.双模组同侧偏置式微波探测装置,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的双模组同侧偏置式微波探测装置,其特征在于:所述双模组同侧偏置式微波探测装置进一步包括界定有一容纳腔的一壳体,其中所述壳体外凸延伸有一第一凸部和一第二凸部,对应所述第一凸部和所述第二凸部分别于所述容纳腔界定有一第一凸槽和一第二凸槽,其中所述电路主板以一对所述对偶耦合极子伸入所述第一凸槽和所述无线通信模组伸入所述第二凸槽的状态被容置于所述容纳腔,对应所述第一凸部和所述第二凸部外凸于所述壳体的同一侧。

3.根据权利要求2所述的双模组同侧偏置式微波探测装置,其中所述第一凸槽和所述第二凸槽中的至少一个凸槽被设置为开放式凸槽,对应该开放式凸槽具有两相对端相互连通的开放式设计。

4.根据权利要求2所述的双模组同侧偏置式微波探测装置,其中所述第一凸部和所述第二凸部中的至少一个凸部被透明化设置。

5.根据权利要求2至4中任一所述的双模组同侧偏置式微波探测装置,其中所述壳体整体呈长条形态而定义有在长度方向的两端,在宽度方向的两侧以及在高度方向的上下表面,其中所述第一凸部和所述第二凸部外凸延伸于所述壳体的上表面,并在所述壳体的上表面沿所述壳体的长度方向偏置于所述壳体的在宽度方向的两侧中的同一侧。

6.根据权利要求5所述的双模组同侧偏置式微波探测装置,其中所述壳体于其两端分别延伸有一卡扣,其中所述卡扣的延伸方向与所述第一凸部和所述第二凸部的外凸延伸方向相同并在该延伸方向具有高于所述壳体的上表面的高度。

7.根据权利要求6所述的双模组同侧偏置式微波探测装置,其中所述卡扣,所述第一凸部以及所述第二凸部沿所述壳体的长度方向的同一直线偏置于所述壳体的在宽度方向的两侧中的同一侧。

8.根据权利要求1至4中任一所述的双模组同侧偏置式微波探测装置,其中一对所述对偶耦合极子包括一第一辐射源极和一第二辐射源极,其中所述第一辐射源极具有一第一馈电端,所述第二辐射源极具有一第二馈电端,所述第一辐射源极被设置为以所述第一馈电端为端延伸的导体,其中所述第二辐射源极被设置为以所述第二馈电端为端延伸的导体,其中所述第一辐射源极和所述第二辐射源极分别自所述第一馈电端和所述第二馈电端具有大于等于λ/16的线长,所述第二馈电端和所述第一馈电端相互靠近并满足所述第二馈电端与所述第一馈电端之间的距离小于等于λ/4,以及满足所述第一馈电端和所述第二馈电端与所述参考地面之间的距离满足大于等于λ/32,其中λ为对应馈电信号频率的波长参数,其中对应于一对所述对偶耦合极子被设置在所述参考地面的侧方位的结构关系,一对所述对偶耦合极子以所述第一馈电端和所述第二馈电端在所述参考地面的投影点的连线段偏离于所述参考地面的物理中心点的状态被设置。

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【专利技术属性】
技术研发人员:邹高迪彭荣深
申请(专利权)人:深圳迈睿智能科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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