【技术实现步骤摘要】
高增益微波多普勒探测模块
本专利技术涉及微波多普勒探测领域,尤其涉及一种高增益微波多普勒探测模块。
技术介绍
基于多普勒效应原理的微波探测技术作为人与物,物与物之间相联的重要枢纽在行为探测和存在探测技术中具有独特的优势,其能够在不侵犯人隐私的情况下,探测出活动物体,因而具有广泛的应用前景。现有的微波探测模块依辐射源的结构主要分为柱状辐射源结构的微波探测模块和平板辐射源结构的微波探测模块,具体地,参考本专利技术的说明书附图之图1A和图1B所示,现有的柱状辐射源结构的微波探测模块10P和平板辐射源结构的微波探测模块20P的结构原理分别被示意,其中该柱状辐射源结构的微波探测模块10P包括一柱状辐射源11P和一参考地面12P,其中该参考地面12P被设置有一辐射孔121P,其中该柱状辐射源11P经该辐射孔121P垂直穿透该参考地面12P而于该辐射孔121P与该参考地面12P之间形成有一辐射缝隙1211P,如此则在该柱状辐射源11P被馈电时,该柱状辐射源11P能够与该参考地面12P耦合而自该辐射缝隙1211P以该柱状辐射源11P为中心轴形成一辐射空间100P,其中该辐射空间100P为该柱状辐射源结构的微波探测模块10P辐射的电磁波的覆盖范围,其中该辐射空间100P于其中心轴分别向该柱状辐射源11P的两端内凹而具有辐射死区。参考图1B所示的该平板辐射源结构的微波探测模块20P的结构原理,其中该平板辐射源结构的微波探测模块20P包括一平板辐射源21P和一参考地面22P,其中该平板辐射源21P与该参考地面22P相互平行地被间隔 ...
【技术保护点】
1.一高增益微波多普勒探测模块,其特征在于,包括:/n至少一对对偶耦合极子,其中一对所述对偶耦合极子包括一第一辐射源极和一第二辐射源极,其中所述第一辐射源极具有一第一馈电端并被设置为以所述第一馈电端为端延伸的导体,其中所述第二辐射源极具有一第二馈电端并被设置为所述第二馈电端为端延伸的导体,其中所述第一辐射源极和所述第二辐射源极分别适于在所述第一馈电端和所述第二馈电端被同一激励信号馈源馈电,其中所述第一馈电端和所述第二馈电端在小于等于λ/4的距离范围内相互靠近,其中λ为与该激励信号馈源的馈电信号频率相对应的波长参数,其中所述第一辐射源极被设置满足自所述第一馈电端具有大于等于λ/16的线长,其中所述第二辐射源极被设置满足自所述第二馈电端具有大于等于λ/16的线长,如此以当所述第一辐射源极和所述第二辐射源极分别于所述第一馈电端和所述第二馈电端被同一激励信号馈源馈电时,所述第一辐射源极和所述第二辐射源极的电流和电位分布能够以所述第一馈电端和所述第二馈电端的连线的中点呈对偶分布状态,从而使得所述第一辐射源极自所述第一馈电端沿所述第一辐射源极对应耦合于所述第二辐射源极的自所述第二馈电端沿所述第二辐 ...
【技术特征摘要】
1.一高增益微波多普勒探测模块,其特征在于,包括:
至少一对对偶耦合极子,其中一对所述对偶耦合极子包括一第一辐射源极和一第二辐射源极,其中所述第一辐射源极具有一第一馈电端并被设置为以所述第一馈电端为端延伸的导体,其中所述第二辐射源极具有一第二馈电端并被设置为所述第二馈电端为端延伸的导体,其中所述第一辐射源极和所述第二辐射源极分别适于在所述第一馈电端和所述第二馈电端被同一激励信号馈源馈电,其中所述第一馈电端和所述第二馈电端在小于等于λ/4的距离范围内相互靠近,其中λ为与该激励信号馈源的馈电信号频率相对应的波长参数,其中所述第一辐射源极被设置满足自所述第一馈电端具有大于等于λ/16的线长,其中所述第二辐射源极被设置满足自所述第二馈电端具有大于等于λ/16的线长,如此以当所述第一辐射源极和所述第二辐射源极分别于所述第一馈电端和所述第二馈电端被同一激励信号馈源馈电时,所述第一辐射源极和所述第二辐射源极的电流和电位分布能够以所述第一馈电端和所述第二馈电端的连线的中点呈对偶分布状态,从而使得所述第一辐射源极自所述第一馈电端沿所述第一辐射源极对应耦合于所述第二辐射源极的自所述第二馈电端沿所述第二辐射源极的相应位置;和
一电磁反射面,其中所述对偶耦合极子于所述电磁反射面所对应的空间与所述电磁反射面相间隔地被设置,其中所述第一馈电端和所述第二馈电端的连线的中点与所述电磁反射面之间的距离满足大于等于λ/32,其中所述第一辐射源极的与所述第一馈电端相对的一端相对于所述第一馈电端靠近所述电磁反射面,所述第二辐射源极的与所述第二馈电端相对的一端相对于所述第二馈电端靠近所述电磁反射面。
2.根据权利要求1所述的高增益微波多普勒探测模块,其中所述第一辐射源极被设置为自所述第一馈电端在所述第二馈电端向所述第一馈电端方向和在靠近所述电磁反射面方向延伸的柱状导电线,其中所述第二辐射源极被设置为自所述第二馈电端在所述第一馈电端向所述第二馈电端方向和在靠近所述电磁反射面方向延伸的柱状导电线。
3.根据权利要求2所述的高增益微波多普勒探测模块,其中所述第一辐射源极和所述第二辐射源极被一次弯折,相应被弯折的所述第一辐射源极为自所述第一馈电端顺序在所述第二馈电端向所述第一馈电端方向和在靠近所述电磁反射面方向延伸的柱状导电线,相应被弯折的所述第二辐射源极为自所述第二馈电端顺序在所述第一馈电端向所述第二馈电端方向和在靠近所述电磁反射面方向延伸的柱状导电线。
4.根据权利要求2所述的高增益微波多普勒探测模块,其中所述第一辐射源极自所述第一馈电端同时在所述第二馈电端向所述第一馈电端的方向和靠近所述电磁反射面的方向延伸,所述第二辐射源极自所述第二馈电端同时在所述第一馈电端向所述第二馈电端的方向和靠近所述电磁反射面的方向延伸。
5.根据权利要求4所述的高增益微波多普勒探测模块,其中所述第一辐射源极被设置为自所述第一馈电端同时在所述第二馈电端向所述第一馈电端的连线方向和靠近所述电磁反射面的方向延伸的柱状直导电线,其中所述第二辐射源极被设置为自所述第二馈电端同时在所述第一馈电端向所述第二馈电端的连线方向和靠近所述电磁反射面的方向延伸的柱状直导电线。
6.根据权利要求4所述的高增益微波多普勒探测模块,其中所述第一辐射源极被设置为自所述第一馈电端同时在所述第二馈电端向所述第一馈电端的连线方向和靠近所述电磁反射面的方向延伸的柱状弧形导电线,其中所述第二辐射源极被设置为自所述第二馈电端同时在所述第一馈电端向所述第二馈电端的连线方向和靠近所述电磁反射面的方向延伸而形成的柱状弧形导电线。
7.根据权利要求6所述的高增益微波多普勒探测模块,其中所述第一辐射源极和所述第二辐射源极为在偏向所述电磁反射面方向被弯曲的柱状弧型导电线。
8.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:邹高迪,邹新,
申请(专利权)人:深圳迈睿智能科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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