【技术实现步骤摘要】
一种利用偏振超低频拉曼光谱表征单壁碳纳米管手性的方法
本专利技术涉及一种利用偏振超低频拉曼光谱表征单壁碳纳米管手性的方法,属于碳纳米
技术介绍
单壁碳纳米管(Singlewalledcarbonnanotubes,SWNTs)具有优异的电学、力学、光学等性质,在国防、医药、电子、化工等行业都有着巨大的潜在应用价值。它自发现起便成为国际研究热点之一,实现规模化应用并为社会创造财富和价值是其研发的最终目标,而寻找和掌握其快速、无损、大批量的表征手段是实现该目标的重要条件。常用的碳纳米管表征手段有:扫描隧道显微镜(ScanningTunnelingMicroscopy)、透射电子显微镜(TransmissionElectronMicroscope,TEM)、瑞利光谱(RayleighSpectra)、拉曼光谱(RamanSpectra)、原子力显微镜(AtomicForceMicroscope,AFM)和电学测量等。各类手段各有优劣,例如,STM能够提供碳纳米管的表面形貌和态密度,但表征条件要求苛刻,不适合大规模 ...
【技术保护点】
1.一种利用偏振超低频拉曼光谱表征单壁碳纳米管手性的方法,其特征在于:入射激光经过增强自发辐射抑制滤波器过滤,抑制入射激光的自发辐射,然后发射至单壁碳纳米管后形成拉曼散射,拉曼散射的散射光经过偏振器传输至超低频陷波滤波器,通过校准超低频陷波滤波器中两片体布拉格光栅与散射光的角度,进而过滤瑞利散射,保留超低频区域信号光;超低频区域信号光经过光栅后再进入电子倍增CCD中,通过调整电子倍增CCD的倍增数值,使电子倍增CCD的倍增数值以每80-120倍进行一次拉曼光谱测量,得到所有拉曼光谱中的最高拉曼峰,以出现最高拉曼峰的拉曼光谱对应的倍增数值作为电子倍增CCD的倍增数值,再次校准 ...
【技术特征摘要】
1.一种利用偏振超低频拉曼光谱表征单壁碳纳米管手性的方法,其特征在于:入射激光经过增强自发辐射抑制滤波器过滤,抑制入射激光的自发辐射,然后发射至单壁碳纳米管后形成拉曼散射,拉曼散射的散射光经过偏振器传输至超低频陷波滤波器,通过校准超低频陷波滤波器中两片体布拉格光栅与散射光的角度,进而过滤瑞利散射,保留超低频区域信号光;超低频区域信号光经过光栅后再进入电子倍增CCD中,通过调整电子倍增CCD的倍增数值,使电子倍增CCD的倍增数值以每80-120倍进行一次拉曼光谱测量,得到所有拉曼光谱中的最高拉曼峰,以出现最高拉曼峰的拉曼光谱对应的倍增数值作为电子倍增CCD的倍增数值,再次校准超低频陷波滤波器中两片体布拉格光栅与散射光的角度,达到光密度>8的瑞利散射抑制,实现超低频拉曼峰的探测;最后通过改变入射激光方向、入射激光偏振方向、散射光方向和散射光偏振方向,得到不同情况下超低频拉曼峰的信号强度和频率的变化,从而对单壁碳纳米管手性进行表征。
2.根据权利要求1所述的利用偏振超低频拉曼光谱表征单壁碳纳米管手性的方法,其特征...
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