【技术实现步骤摘要】
校正用于二极管连接式晶体管的栅极偏置的方法和装置相关申请本专利要求在2018年12月5日提交的美国临时专利申请序列号62/775,656的权益。美国临时专利申请序列号62/775,656在此通过引用整体并入本文。
本公开总体上涉及晶体管，并且更具体地涉及校正用于二极管连接式(diode-connected)晶体管的栅极偏置的方法和装置。
技术介绍
诸如金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的晶体管可以用作开关。可以基于施加到MOSFET的栅极端子的电压来导通(例如，使能)和关断(例如，禁用)这种MOSFET。在一些示例中，可以连接MOSFET的端子以利用MOSFET的开关操作以使MOSFET用作二极管(例如，通过将MOSFET的漏极端子耦合至MOSFET的栅极端子)。以这种方式，MOSFET就像二极管一样允许电流从漏极端子流向源极端子，但阻止电流从源极端子流向漏极端子。因此，MOSFET可用于在电路中提供反向电流保护。
技术实现思路
本文公开的某些示例校正了用于二极管连接式晶体管的栅...
【技术保护点】
1.一种装置，包括：/n第一电阻器，其包括第一电阻器端子和第二电阻器端子；/n第二电阻器，其包括第一电阻器端子和第二电阻器端子，所述第二电阻器端子耦合至节点；/n第一晶体管，其包括电流端子和栅极端子，所述第一晶体管的所述电流端子耦合至所述第一电阻器的所述第一电阻器端子，并且所述第一晶体管的所述栅极端子耦合至所述第一电阻器的所述第二电阻器端子；以及/n第二晶体管，其包括第一电流端子和第二电流端子，所述第二晶体管的所述第一电流端子耦合至所述第一晶体管的所述栅极端子，并且所述第二晶体管的所述第二电流端子耦合至所述第二电阻器的所述第一电流端子。/n
【技术特征摘要】
20181205 US 62/775,656;20190621 US 16/449,0791.一种装置，包括：
第一电阻器，其包括第一电阻器端子和第二电阻器端子；
第二电阻器，其包括第一电阻器端子和第二电阻器端子，所述第二电阻器端子耦合至节点；
第一晶体管，其包括电流端子和栅极端子，所述第一晶体管的所述电流端子耦合至所述第一电阻器的所述第一电阻器端子，并且所述第一晶体管的所述栅极端子耦合至所述第一电阻器的所述第二电阻器端子；以及
第二晶体管，其包括第一电流端子和第二电流端子，所述第二晶体管的所述第一电流端子耦合至所述第一晶体管的所述栅极端子，并且所述第二晶体管的所述第二电流端子耦合至所述第二电阻器的所述第一电流端子。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一晶体管包括第二电流端子，所述第二电流端子被构造成耦合至输出节点，并且所述第一晶体管的所述电流端子被构造成耦合至输入节点。
3.根据权利要求1所述的装置，其中：
所述第二电阻器的所述第二电阻器端子耦合至接地节点；
所述第一晶体管包括耦合至所述接地节点的本体端子；以及
所述第二晶体管包括耦合至所述接地节点的本体端子。
4.根据权利要求1所述的装置，其中：
所述第二电阻器的所述第二电阻器端子耦合至接地节点；以及
所述第二晶体管包括耦合至所述接地节点的栅极端子。
5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一晶体管的第一阈值电压基本上等于所述第二晶体管的第二阈值电压。
6.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一电阻器的第一电阻基本上等于所述第二电阻器的第二电阻。
7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一晶体管的所述电流端子是漏极端子，所述第二晶体管的所述第一电流端子是漏极端子，并且所述第二晶体管的所述第二电流端子是源极端子。
8.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管是n沟道场效应晶体管。
9.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管是p沟道场效应晶体管。
10.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二电阻器的所述第二电阻器端子耦合至接地节点。
11.一种装置，包括：
第一晶体管，其包括第一电流端子、第二电流端子和栅极端子，所述第一晶体管的所述第一电流端子耦合至电阻器的第一电阻器端子，并且所述第一晶体管的所述栅极端子耦合至所述电阻器的第二电阻器端子；以及
第二晶体管，其包括耦合至所述第一晶体管的所述栅极端子的电流端子，当所述第一晶体管和所述第二晶体管以耗尽模式工作时，所述第二晶体管通过导通使所述第一晶体管阻止电流从所述第二电流端子流向所述第一电流端子。
12.根据权利要求11所述的装置，其中所述第二晶体管被构造成当所述第二晶体管处于增强模式时被禁用。
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【专利技术属性】
技术研发人员：G·W·柯林斯，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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