【技术实现步骤摘要】
单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片
本申请属于数控衰减器
，尤其涉及一种单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片。
技术介绍
数控衰减器是重要的微波控制电路，广泛应用于宽带通信、电子对抗系统、微波无线电通信、雷达以及空间通信等电子设备，在电路中主要起到增益设定和控制的功能，其性能对射频微波系统有着巨大影响。所以研究单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片具有重大的应用价值和现实意义。衰减器的开关控制器件多采用GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)器件，具有导通插损更小、速度更快、截止频率更高等特点，因此成为研制数控衰减器的主流器件。衰减器常用的衰减结构主要有T型、π型、桥T型，每种结构均具有优缺点，选择合理的衰减结构与电路的成功研制是密不可分的。但是由于衰减器使用的是耗尽型GaAs开关器件，所以大部分衰减器都是由负电控制的。但是在有些整机系统中是不提供负电源的，这样负电控制的衰减器就受到了一定的限制。同时每个衰减位需要两个互补控制电压，如果想要单电压正压控制，通常需要外加TTL驱动器，则增加了应用系统的复杂性。
【技术保护点】
1.一种单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片，包括芯片本体以及集成于芯片本体的芯片电路，其特征在于，所述芯片电路包括衰减模块、电源保护模块以及电平转换模块；/n其中，供电电压输入所述电源保护模块的输入端，所述电源保护模块的输出端分别与所述衰减模块的输入端以及所述电平转换模块的供电输入端相连接；/n控制电压输入所述电平转换模块的控制输入端，所述电平转换模块的控制输出端连接所述衰减模块的控制输入端；/n射频信号输入所述衰减模块，经过衰减控制后输出。/n
【技术特征摘要】
1.一种单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片，包括芯片本体以及集成于芯片本体的芯片电路，其特征在于，所述芯片电路包括衰减模块、电源保护模块以及电平转换模块；
其中，供电电压输入所述电源保护模块的输入端，所述电源保护模块的输出端分别与所述衰减模块的输入端以及所述电平转换模块的供电输入端相连接；
控制电压输入所述电平转换模块的控制输入端，所述电平转换模块的控制输出端连接所述衰减模块的控制输入端；
射频信号输入所述衰减模块，经过衰减控制后输出。
2.根据权利要求1所述的单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片，其特征在于，所述衰减模块包括依次串联的多个衰减单元，所述电平转换模块相应设置有与所述衰减单元同等数量的依次并联的电平转换模块。
3.根据权利要求2所述的单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片，其特征在于，所述电源保护模块包括电容C1、电阻R1组成的滤波电路、晶体管Q1，电阻R2、电阻R3；电容C1的一端与晶体管Q1的漏极连接，电容C1的另一端连接串联电阻R1后接地，晶体管Q1的漏极与栅极之间串联多个二极管以及电阻R2，晶体管Q1的栅极连接电阻R2，电阻R2的另一端连接二极管以及电阻R3，电阻R3另一端接地。
4.根据权利要求2所述的单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片，其特征在于，所述电平转换模块包括反相器电路，所述反相器电路包括并联设置的正向控制反相器电路与反向控制反相器电路，输入控制电压经过正向控制反相器电路以及反向控制反相器电路产生两个互补输出正反相控制电压。
5.根据权利要求4所述的单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片，其特征在于，所述正向控制反相器电路包括串联的第一反相器电路与第二反相器电路，晶体管Q4、电阻R7和晶体管Q5组成第一反相器电路，晶体管Q7、电阻R10和晶体管Q8组成第二反相器电路；所述反向控制反相器电路包括晶体管Q9、电阻R11和晶体管Q10组成第三反相器电路；其中，所述电阻R7的一端连接晶体管Q4的源极，电阻R7的另一端分别与晶体管Q4的栅极以及晶体管Q5的漏极连接，电阻R10的一端连接晶体管Q7的源极，电阻R10的另一端分别与晶体管Q7的栅极以及晶体管Q8的漏极连接，晶体管Q5的漏极与二极管D16的阳极连接，二极管D16的阴极与电阻R8连接，电阻R8另一端连接晶体管Q8的栅极；电阻R11的一端连接晶体管Q9的源极，电阻R11的另一端分别与晶体管Q9的栅极以及晶体管Q10的漏极连接，晶体管Q5的栅极与晶体管Q10之间通过电阻R12连接。
6.根据权利要求5所述的单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片，其特征在于，所述电平转换模块还包括稳压电路；晶体管Q2...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜琳，
申请(专利权)人：西安博瑞集信电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61
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