一种超宽带高性能六位数控衰减器芯片制造技术

本实用新型专利技术属于电子通信技术领域，尤其涉及一种超宽带高性能六位数控衰减器芯片。本实用新型专利技术所要解决的技术问题是提供一种用以满足在超宽带应用场景下能保持高性能的超宽带高性能六位数控衰减器芯片，包括第一P型MOS管Q1、第二P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4、第五P型MOS管Q5、第六P型MOS管Q6、第七P型MOS管Q7、第八P型MOS管Q8、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、射频输入IN、射频输出OUT。本实用新型专利技术增加快速清零结构，让开关速度显著减小，从而提高系统效率，并且采用负压逻辑控制电路控制芯片额定衰减度，衰减度灵活、范围广。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电子通信
，尤其涉及一种超宽带高性能六位数控衰减器芯片。
技术介绍
根据频率划分，毫米波一般指的是波长介于1mm～10mm的电磁波，随着无线通信的发展，射频开关得到了广泛的应用，如雷达/基站信号收发系统、测试仪表仪器。在此前提下，人们对于数控衰减器芯片提出了越来越高的要求，如超宽带、低插损、多通道、高衰减精度、衰减组合灵活和小型化等。数控衰减器芯片(DA，digital attenuator)是用作射频信号功率衰减的器件，应用于雷达、基站、仪表仪器等产品。因此，超宽带、高性能的数控衰减器芯片，对于提高系统性能起到了关键性的作用。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种用以满足在超宽带应用场景下能保持高性能的超宽带高性能六位数控衰减器芯片。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种超宽带高性能六位数控衰减器芯片，包括第一控制电平、第二控制电平、第三控制电平、第四控制电平、第一P型MOS管Q1、第二P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4、第五P型MOS管Q5、第六P型MOS管Q6、第七P型MOS管Q7、第八P型MOS管Q8、第一电阻R1、第二电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超宽带高性能六位数控衰减器芯片，其特征在于，包括第一控制电平、第二控制电平、第三控制电平、第四控制电平、第一P型MOS管Q1、第二P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4、第五P型MOS管Q5、第六P型MOS管Q6、第七P型MOS管Q7、第八P型MOS管Q8、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、射频输入IN、射频输出OUT、第一接地GND、第二接地GND、第三接地GND；所述第一P型MOS管Q1、第二P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4、第五P型MOS管Q5、第六P型MOS管Q6、第七P型MOS管Q7、第八P型MOS管Q8均具...

【技术特征摘要】
1.一种超宽带高性能六位数控衰减器芯片，其特征在于，包括第一控制电平、第二控制电平、第三控制电平、第四控制电平、第一P型MOS管Q1、第二P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4、第五P型MOS管Q5、第六P型MOS管Q6、第七P型MOS管Q7、第八P型MOS管Q8、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、射频输入IN、射频输出OUT、第一接地GND、第二接地GND、第三接地GND；所述第一P型MOS管Q1、第二P型MOS管Q2、第三P型MOS管Q3、第四P型MOS管Q4、第五P型MOS管Q5、第六P型MOS管Q6、第七P型MOS管Q7、第八P型MOS管Q8均具有栅极、漏极、源极；所述第一P型MOS管Q1的漏极、与第二P型MOS管Q2的源极连接,所述第二P型MOS管Q2的漏极与第三P型MOS管Q3的源极连接，所述第三P型MOS管Q3的漏极与第四P型MOS管Q4的源极连接，所述第四P型MOS管Q4的漏极与第五P型MOS管Q5的源极连接，所述第五P型MOS管Q5的漏极与第六P型MOS管Q6的源极连接，所述第六P型MOS管Q6的漏极与第七P型MOS管Q7的源极连接，所述第七P型MOS管Q7的漏极与第八P型MOS管Q8的源极连接，所述第八P型MOS管Q8的漏极与第一P型MOS管Q1的源极连接；所述第一P...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗力伟，王祈钰，
申请(专利权)人：四川益丰电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51