一种钼铝兼容蚀刻液及蚀刻方法技术

本发明专利技术公开了一种钼铝兼容蚀刻液，包括磷酸、硝酸、醋酸、氯酸、表面活性剂、金属抑制剂、助剂和水；以所述钼铝兼容蚀刻液的总重量为基准，所述磷酸的含量为60‑68％、硝酸的含量为2.5‑3％、醋酸的含量为19‑25％、氯酸的含量为2‑5％，表面活性剂的含量为2‑10％、金属抑制剂的含量为0.8‑1.2％、所述助剂的含量为2‑5％，余量为水；所述金属抑制剂包括钼酸盐、甲基苯骈三氮唑钠、二巯基噻二唑二钠盐中的至少一种。本发明专利技术还公开了一种蚀刻方法。本发明专利技术的钼铝兼容蚀刻液，加入氯酸，对钼铝的蚀刻速率进行了控制；加入金属抑制剂，控制磷酸根离子的电离平衡，进一步降低金属钼的蚀刻速率。本发明专利技术提供的蚀刻方法，工艺简单，易于操作，效率更高。

A Mo al compatible etching solution and etching method

【技术实现步骤摘要】
一种钼铝兼容蚀刻液及蚀刻方法
本专利技术涉及蚀刻液
，具体涉及一种钼铝兼容蚀刻液及蚀刻方法。
技术介绍
近年来，液晶显示行业高速发展，产品也趋于大型化,高画质,高功能化方向发展。人们对液晶显示器的需求量不断增加的同时，对产品的质量和画面精度也提出了更高的要求。在TFT-LCD或LED等面板领域，铝钼多层结构逐渐成为主流技术，铝钼蚀刻液的技术难点在于，铝和钼的电化学性质差异大，氧化能力不同，即蚀刻速率存在较大差异。在实际生产时，往往是一种蚀刻液同时对应多层金属膜层，蚀刻完成后对应坡度角有时会存在异常，如上层金属钼出现刻蚀速率过快的现象，产生宏观不良及进行后工序时会产生相应的光学不良或导致后层物质残留，影响产品品质。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，克服现有技术中存在的缺陷，提供一种刻蚀角度光滑平整，钼层刻蚀速率可控的钼铝兼容蚀刻液。为实现上述目的，本专利技术的技术方案是设计一种钼铝兼容蚀刻液，包括磷酸、硝酸、醋酸、氯酸、表面活性剂、金属抑制剂、助剂和水；以所述钼铝兼容蚀刻液的总重量为基准，所述磷酸的含本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种钼铝兼容蚀刻液，其特征在于，包括磷酸、硝酸、醋酸、氯酸、表面活性剂、金属抑制剂、助剂和水；以所述钼铝兼容蚀刻液的总重量为基准，所述磷酸的含量为60-68％、硝酸的含量为2.5-3％、醋酸的含量为19-25％、氯酸的含量为2-5％，表面活性剂的含量为2-10％、金属抑制剂的含量为0.8-1.2％、所述助剂的含量为2-5％，余量为水；所述金属抑制剂包括钼酸盐、甲基苯骈三氮唑钠、二巯基噻二唑二钠盐中的至少一种。/n

【技术特征摘要】
1.一种钼铝兼容蚀刻液，其特征在于，包括磷酸、硝酸、醋酸、氯酸、表面活性剂、金属抑制剂、助剂和水；以所述钼铝兼容蚀刻液的总重量为基准，所述磷酸的含量为60-68％、硝酸的含量为2.5-3％、醋酸的含量为19-25％、氯酸的含量为2-5％，表面活性剂的含量为2-10％、金属抑制剂的含量为0.8-1.2％、所述助剂的含量为2-5％，余量为水；所述金属抑制剂包括钼酸盐、甲基苯骈三氮唑钠、二巯基噻二唑二钠盐中的至少一种。


2.根据权利要求1所述的钼铝兼容蚀刻液，其特征在于，所述蚀刻液中还包括3-6g/L的氯酸钾。


3.根据权利要求2所述的钼铝兼容蚀刻液，其特征在于，所述金属抑制剂中各组分的摩尔比为钼酸盐：甲基苯骈三氮唑钠：二巯基噻二唑二钠盐＝1:1-1.2:0.8-1。


4.根据权利要求3所述的钼铝兼容蚀刻液，其特征在于，所述表面活性剂包括椰油酸单乙醇酰胺、椰油酸二乙醇酰胺、月桂酰胺丙基二甲胺乙内酯、柠檬酸三丁酯中的至少两种。
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【专利技术属性】
技术研发人员：戈士勇，
申请(专利权)人：江苏中德电子材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32