蚀刻剂和用于使用该蚀刻剂制造显示装置的方法制造方法及图纸

本公开涉及蚀刻剂和用于使用该蚀刻剂制造显示装置的方法。蚀刻剂包括大约8wt％至大约12wt％的硝酸、大约3wt％至大约8wt％的烷基磺酸、大约7wt％至大约12wt％的硫酸盐、大约40wt％至大约55wt％的有机酸、大约0.5wt％至大约5wt％的有机酸盐和余量的水。

Etchant and method for manufacturing a display device using the etchant

【技术实现步骤摘要】
蚀刻剂和用于使用该蚀刻剂制造显示装置的方法相关申请的交叉引用于2018年10月11日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0121118号且名称为“蚀刻剂和用于使用该蚀刻剂制造显示装置的方法”的韩国专利申请通过引用全部包含于此。
本公开涉及蚀刻剂和使用该蚀刻剂制造显示装置的方法。
技术介绍
发光显示器包括两个电极和设置在其间的发光层。从一个电极注入的电子和从另一个电极注入的空穴在发光层中结合以形成激子，并且激子在发射能量的同时发光。使用该发光，发光显示装置显示预定图像。发光显示器包括多个像素，所述多个像素包括作为光致发光器件的发光二极管。发光二极管包括阳极、发光层和阴极。这里，阳极包括银(Ag)以具有低电阻和高反射率的特性。
技术实现思路
本公开提供一种蚀刻剂和使用该蚀刻剂制造显示装置的方法，能够批量蚀刻包括银或银合金的金属层和包括透明导电材料的金属层，以容易地控制蚀刻速率，并且最小化或防止由银残留物和银再吸附导致的缺陷。实施例涉及蚀刻剂，所述蚀刻剂包括大约8wt％至大约12wt％的硝酸、大约3wt％至大约8wt％的烷基磺酸、大约7wt％至大约12wt％的硫酸盐、大约40wt％至大约55wt％的有机酸、大约0.5wt％至大约5wt％的有机酸盐和余量的水。硫酸盐相对于有机酸盐的重量比可以为大约4至大约6。烷基磺酸可以包括甲磺酸、乙磺酸和丙磺酸中的至少一种。烷基磺酸可以为甲磺酸。有机酸可以包括乙酸、柠檬酸、乙醇酸、丙二酸、乳酸和酒石酸中的至少一种。有机酸可以包括乙酸和柠檬酸。有机酸盐可以包括乙酸盐、柠檬酸盐、乙醇酸盐、丙二酸盐、乳酸盐和酒石酸盐中的至少一种。有机酸盐可以包括柠乙酸盐或柠檬酸盐。硫酸盐可以包括硫酸氢钾、硫酸氢钠和硫酸镁中的至少一种。实施例还涉及一种制造显示装置的方法，所述方法包括：在基底上形成晶体管和焊盘；在晶体管上形成平坦化层；在平坦化层和焊盘上形成第一电极材料层；使用蚀刻剂蚀刻第一电极材料层以形成连接到晶体管的第一电极；在第一电极上形成具有与第一电极叠置的开口的像素限定层；在开口中在第一电极上形成发光构件；以及在发光构件上形成第二电极，其中，所述蚀刻剂包括大约8wt％至大约12wt％的硝酸、大约3wt％至大约8wt％的烷基磺酸、大约7wt％至大约12wt％的硫酸盐、大约40wt％至大约55wt％的有机酸、大约0.5wt％至大约5wt％的有机酸盐和余量的水。第一电极材料层可以包括：下电极材料层，包括透明导电材料；中间电极材料层，位于下电极材料层上，中间电极材料层包括银或银合金材料；以及上电极材料层，位于中间电极材料层上，上电极材料层包括透明导电材料。在形成第一电极时，蚀刻剂可以批量蚀刻下电极材料层、中间电极材料层和上电极材料层。硫酸盐相对于有机酸盐的重量比可以为大约4至大约6。烷基磺酸可以包括甲磺酸、乙磺酸和丙磺酸中的至少一种。烷基磺酸可以为甲磺酸。有机酸可以包括乙酸、柠檬酸、乙醇酸、丙二酸、乳酸和酒石酸中的至少一种。有机酸可以包括乙酸和柠檬酸。有机酸盐可以包括乙酸盐、柠檬酸盐、乙醇酸盐、丙二酸盐、乳酸盐和酒石酸盐中的至少一种。有机酸盐可以包括柠乙酸盐或檬酸盐。硫酸盐可以包括硫酸氢钾、硫酸氢钠和硫酸镁中的至少一种。附图说明通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员将变得明显，在附图中：图1示出了根据实施例的显示装置的示例的示意图；图2示出了示出根据图1的显示装置的一个像素的剖面的示例的示意图；图3示出了示出根据图1的显示装置的焊盘部分的示例的示意图；图4示出了示出沿图3的线IV-IV截取的剖面的示例的示意图；图5至图7示出了示出根据实施例的制造显示装置的方法的示意图；以及图8示出了示出根据示例的蚀刻剂的特性的图像。具体实施方式现在将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例；然而，它们可以以不同的形式体现，并且不应该被解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达示例性实施方式。在附图中，为了清楚说明，可以夸大层和区域的尺寸。还将理解的是，当层或元件被称为“在”另一层或基底“上”时，它可以直接在另一层或基底上，或者也可以存在中间层。此外，还将理解的是，当层被称为“在”另一层“下”时，它可以直接在下面，并且也可以存在一个或更多个中间层。另外，还将理解的是，当层被称为“在”两个层“之间”时，它可以是两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。同样的附图标记始终表示同样的元件。在下文中，描述根据实施例的蚀刻剂。根据本实施例的蚀刻剂可以用于批量蚀刻由包括透明导电材料的金属层和包括银(Ag)或银合金的金属层组成的多层金属层。例如，根据本实施例的蚀刻剂可以用于批量蚀刻电极层，所述电极层由包括透明导电材料的第一金属层、第一金属层上的第二金属层和第二金属层上的第三金属层的三层组成，第二金属层包括银(Ag)或银合金，第三金属层包括电极层。在一些实施方式中，根据本实施例的蚀刻剂可以用于批量蚀刻由双层组成的电极层，所述双层包括第一金属层和第一金属层上的第二金属层，第一金属层包括透明导电材料并且第二金属层包括银(Ag)或银合金。透明导电材料可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)和氧化铟镓锌(IGZO)中的一种。银合金可包括作为主要成分的银，并且还可包括金属(诸如钕(Nd)、铜(Cu)、钯(Pd)、铌(Nb)、镍(Ni)、钼(Mo)、铬(Cr)、镁(Mg)、镤(Pa)或钛(Ti)等)、包括其他金属的合金、银的氮化物、银的硅化物、银的碳化物或银的氧化物。根据本实施例的蚀刻剂可以包括硝酸、烷基磺酸、有机酸、有机酸盐、硫酸盐和余量的水。硝酸是氧化剂。硝酸可以用于氧化包括银或银合金的金属层和包括透明导电材料的金属层。基于蚀刻剂的总量，硝酸可以以大约8wt％至大约12wt％的量被包括。当基于蚀刻剂的总量硝酸以大约8wt％至大约12wt％的范围被包括时，可以容易地控制包括银或银合金的金属层和包括透明导电材料的金属层的蚀刻速率。可以均匀地蚀刻包括透明导电材料的金属层。烷基磺酸是用于蚀刻被硝酸氧化的包括银或银合金的金属层和包括透明导电材料的金属层的蚀刻剂。作为烷基磺酸，可以使用甲磺酸、乙磺酸和丙磺酸中的至少一种。例如，可以期望使用甲磺酸。基于蚀刻剂的总量，烷基磺酸可以以大约3wt％至大约8wt％的量被包括。当基于蚀刻剂的总量烷基磺酸以3wt％至8wt％的重量范围被包括时，可以容易地控制包括银或银合金的金属层和包括透明导电材料的金属层的蚀刻速率。可以最小化或防止由银残留物和银再吸附导致的缺陷。有机酸可以用作蚀刻剂以蚀刻由硝酸氧化的包括银或银合金的金属层。有机酸可以包括乙酸、柠檬酸、乙醇酸、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蚀刻剂，其中，所述蚀刻剂包括：/n8wt％至12wt％的硝酸；/n3wt％至8wt％的烷基磺酸；/n7wt％至12wt％的硫酸盐；/n40wt％至55wt％的有机酸；/n0.5wt％至5wt％的有机酸盐；以及/n余量的水。/n

【技术特征摘要】
20181011 KR 10-2018-01211181.一种蚀刻剂，其中，所述蚀刻剂包括：
8wt％至12wt％的硝酸；
3wt％至8wt％的烷基磺酸；
7wt％至12wt％的硫酸盐；
40wt％至55wt％的有机酸；
0.5wt％至5wt％的有机酸盐；以及
余量的水。


2.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中，所述硫酸盐相对于所述有机酸盐的重量比为4至6。


3.根据权利要求2所述的蚀刻剂，其中，所述烷基磺酸包括甲磺酸、乙磺酸和丙磺酸中的至少一种，
其中，所述有机酸包括乙酸、柠檬酸、乙醇酸、丙二酸、乳酸和酒石酸中的至少一种，
其中，所述有机酸盐包括乙酸盐、柠檬酸盐、乙醇酸盐、丙二酸盐、乳酸盐和酒石酸盐中的至少一种，以及
其中，所述硫酸盐包括硫酸氢钾、硫酸氢钠和硫酸镁中的至少一种。


4.根据权利要求3所述的蚀刻剂，其中，所述烷基磺酸为甲磺酸。


5.根据权利要求4所述的蚀刻剂，其中，所述有机酸包括乙酸和柠檬酸。


6.根据权利要求5所述的蚀刻剂，其中，所述有机酸盐包括乙酸盐和柠檬酸盐。


7.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：朴种熙，南基龙，金真锡，金基泰，李原昊，尹暎晋，朴英哲，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR