尖晶石相p型铁酸镍半导体氧化物薄膜的制备方法技术

尖晶石相p型铁酸镍半导体氧化物薄膜的制备方法，本发明专利技术涉及一种p型半导体性氧化物薄膜的制备方法，制备方法：一、清洗衬底，得到清洗处理后的衬底；二、将清洗处理后的衬底放在托盘上，利用机械泵和分子泵将生长室抽至本底真空，衬底加热到530～580℃，以NiFe

Preparation of spinel p-type nickel ferrite semiconductor oxide film

【技术实现步骤摘要】
尖晶石相p型铁酸镍半导体氧化物薄膜的制备方法
本专利技术涉及一种p型半导体性氧化物薄膜的制备方法。
技术介绍
过渡金属氧化物由于其来源丰富、价格低廉且环境友好等特点目前备受关注。但是尖晶石结构氧化物从电学性质上来说，除了Fe3O4属于半金属(其能级分布介于金属与半导体之间)材料之外，大多数的尖晶石氧化物是一种绝缘体材料，其电阻很大。在多数研究中与其他半导体或者金属材料之间存在着严重的接触电阻不匹配现象，使得电子流或者自旋流在经过二者界面时出现了严重的损耗。常见的铁氧化物如ZnFe2O4是电子导电型氧化物，很少有尖晶石氧化物表现出以空穴载流子为主的导电特性。由于空穴导电材料在薄膜晶体管、发光二极管和太阳能电池上的巨大应用，这使得p型过渡金属氧化物材料成为研究的热点(AdvancedMaterials,2016,28,3831；JournalofPhysics:Condens.Matter,2016,28,383002)。目前，已报到的p型尖晶石材料有以Cu基为主的CuBi2O4(JournalofMaterialsChemistryA,2016,本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.尖晶石相p型铁酸镍半导体氧化物薄膜的制备方法，其特征在于该方法按以下步骤进行：/n一、清洗衬底，得到清洗处理后的衬底；/n二、将清洗处理后的衬底放在托盘上，利用机械泵和分子泵将生长室抽至本底真空，衬底加热到530～580℃，以NiFe

【技术特征摘要】
1.尖晶石相p型铁酸镍半导体氧化物薄膜的制备方法，其特征在于该方法按以下步骤进行：
一、清洗衬底，得到清洗处理后的衬底；
二、将清洗处理后的衬底放在托盘上，利用机械泵和分子泵将生长室抽至本底真空，衬底加热到530～580℃，以NiFe2O4陶瓷材料为靶材，调整高能脉冲激光器，控制脉冲激光输出为能量100～250mJ，重复频率为1～10Hz进行脉冲激光沉积薄膜，薄膜沉积过程中生长氧分压为0.1～20mTorr，得到尖晶石相p型半导体性氧化物薄膜。


2.根据权利要求1所述的尖晶石相p型铁酸镍半导体氧化物薄膜的制备方法，其特征在于步骤一通过超声清洗衬底。


3.根据权利要求2所述的尖晶石相p型铁酸镍半导体氧化物薄膜的制备方法，其特征在于步骤一中依次使用去离子水、无水乙醇、丙酮、无水乙醇超声清洗衬底。


4.根据权利要求1所述的尖晶石相p型铁酸镍半导体氧化物薄膜的制备方法，其特征在于步骤一中所述的衬底为半导体SiC衬底、半导体Si衬底、绝缘MgO衬底或者绝缘SrTiO3衬底。


5.根据权利要求4所述的尖晶石相p型铁酸镍半导体氧化物薄膜的制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：王先杰，宋炳乾，隋郁，宋波，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：黑龙;23