【技术实现步骤摘要】
基于HP2的客车用SIC电机控制器电路驱动结构
本专利技术属于汽车电子
，具体涉及基于HP2的客车用SIC电机控制电路驱动结构。
技术介绍
传统电力电子电路中Si基功率器件的特性已逐渐逼近材料的极限，客车上以SiIGBT为开关器件使得电机控制器的功率密度很难得到提升，现今，由于SIC功率器件的开关速度更快、开关损耗更小，以SICMOSFET作为开关器件越来越多的用于客车的电机控制，然而，现存的SICMOSFET开关器件的驱动电路的结构大多采用分立元件进行电路驱动，过多的分立元件增加了电路的分布干扰，影响驱动效果，而且现有的驱动电源中变压器的磁芯利用率低、造成传输功率小的问题。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供基于HP2的客车用SIC电机控制电路驱动结构，具有干扰小的特点，传输效率高的特点。基于HP的客车用SIC电机控制器电路驱动结构，包括驱动接口、驱动单元、驱动电源和SICMOSFET模块，其中，所述驱动电源包括半桥隔离电源和正负电源产生电路，所述半桥隔离电源与正负电源产生电...
【技术保护点】
1.基于HP2的客车用SIC电机控制器电路驱动结构，其特征在于：包括，驱动接口（1）、驱动单元（4）、驱动电源和SIC MOSFET模块（10），其中，所述驱动电源包括半桥隔离电源（8）和正负电源产生电路（9），所述半桥隔离电源（8）与正负电源产生电路（9）连接，所述正负电源产生电路（9）与驱动单元（4）连接，所述半桥隔离电源（8）的输入端与驱动接口（1）连接，所述驱动接口（1）和SIC MOSFET模块均与所述驱动单元（4）连接。/n
【技术特征摘要】
1.基于HP2的客车用SIC电机控制器电路驱动结构，其特征在于：包括，驱动接口（1）、驱动单元（4）、驱动电源和SICMOSFET模块（10），其中，所述驱动电源包括半桥隔离电源（8）和正负电源产生电路（9），所述半桥隔离电源（8）与正负电源产生电路（9）连接，所述正负电源产生电路（9）与驱动单元（4）连接，所述半桥隔离电源（8）的输入端与驱动接口（1）连接，所述驱动接口（1）和SICMOSFET模块均与所述驱动单元（4）连接。
2.根据权利要求1所述的基于HP2的客车用SIC电机控制器电路驱动结构，其特征在于：所述驱动单元（4）包括驱动芯片（5）、推挽电路（6）和桥臂直通检测电路（7），所述驱动接口（1）与驱动芯片（5）连接，所述驱动芯片（5）与推挽电路（6）连接，所述推挽电路（6）与SICMOSFET模块（10）驱动连接，所述SICMOSFET模块（10）的输出端通过桥臂直通检测电路（7）与驱动芯片连接。
3.根据权利要求2所述的基于HP2的客车用SIC电机控制器电路驱动结构，其特征在于：所述驱动接口（1）包括PWM信号接口（2）、SPI接口（3）和外部电源接口（11），所述述外部电源接口（11）分别与驱动芯片（5）和半桥隔离电源（8）的输入端连接，所述PWM信号接口（2）和SPI接口（3）均与驱动芯片（5）的输入端连接。
4.根据权利要求1所述的基于HP2的客车用SIC电机控制器电路驱动结构，其特征在于：所述半桥隔离电源（8）包括低压控制端电路和高压侧电源生成电路，所述低压控制端电路通过变压器（T）与高压侧电源生成电路连接，所述高压侧电源生成电路的输出端与正负电源产生电路（9）的输入端连接。
5.根据权利要求4所述的基于HP2的客车用SIC电机控制器电路驱动结构，其特征在于：所述低压控制端电路包括半桥驱动芯片（U1）、上桥MOS管（Q1）和下桥MOS管（Q2）,其中，所述半桥驱动芯片（U1）的高信号输出端（HO）与上桥MOS管（Q1）的门极连接，所述半桥驱动芯片（U1）的低信号输出端（LO）与下桥MOS管（Q2）的门极连接，所述上桥MOS管（Q1）的漏极与电源输入端（Vin）连接，所述下桥MOS管（Q2）的源极通过第一限流电阻（R9）与电源地连接，所述上桥MOS管（Q1）的源极与下桥MOS管（Q2）的漏极均与半桥驱动芯片（U1）的补偿浮动电压端（VS）连接。
6....
【专利技术属性】
技术研发人员：张小龙，张强，
申请(专利权)人：郑州精益达汽车零部件有限公司，
类型：发明
国别省市：河南;41
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