沟槽型IGBT器件结构制造技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，特别是涉及一种沟槽型IGBT器件结构，包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的漂移区，形成于所述第一导电类型的衬底内；沟槽栅极，位于所述第二导电类型的漂移区内；所述沟槽栅极包括：第一栅极导电层；第一栅氧化层，位于所述第一栅极导电层与所述第二导电类型的漂移区之间；绝缘隔离层，覆盖所述第一栅极导电层及所述第一栅氧化层的上表面；第二栅极导电层，位于所述绝缘隔离层的上表面；第二栅氧化层，位于所述绝缘隔离层的上表面，且位于所述第二栅极导电层与所述第二导电类型的漂移区之间。绝缘隔离层的设置减小了沟槽型IGBT器件结构的栅极输入电容，提高电流密度的同时还能保证沟槽栅极具有足够高的击穿电压。

Structure of grooved IGBT device

【技术实现步骤摘要】
沟槽型IGBT器件结构
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种沟槽型IGBT器件结构。
技术介绍
绝缘栅双极晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor，IGBT)具有通态压降低、电流容量大、输入阻抗高、响应速度快和控制简单的特点，被广泛应用于工业、信息、新能源、医学、交通、军事和航空领域。目前，IGBT朝着高功率密度、高开关速度与低功耗的方向发展，由于提高IGBT的导通压降会增强其导通时的电导调制效应，会导致IGBT在关断时大量的载流子花费更长的时间去完成复合，从而会增加IGBT的关断损耗。为了进一步提高IGBT的功率密度及击穿电压的同时降低输入电容，以继续优化降低IGBT的导通压降与关断损耗的折中关系，实现更低的功耗、更高的工作电压及安全稳定性。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种能够提高工作电压、电流密度且降低输入电容，以提高自身工作的安全与稳定性的沟槽型IGBT器件结构。为实现上述目的，本专利技术提供一种沟槽型IGBT器件结构，包括：第一导电类型的衬底；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沟槽型IGBT器件结构，其特征在于，包括：/n第一导电类型的衬底；/n第二导电类型的漂移区，形成于所述第一导电类型的衬底内；/n沟槽栅极，位于所述第二导电类型的漂移区内；所述沟槽栅极包括：/n第一栅极导电层；/n第一栅氧化层，位于所述第一栅极导电层与所述第二导电类型的漂移区之间；/n绝缘隔离层，覆盖所述第一栅极导电层及所述第一栅氧化层的上表面；/n第二栅极导电层，位于所述绝缘隔离层的上表面；/n第二栅氧化层，位于所述绝缘隔离层的上表面，且位于所述第二栅极导电层与所述第二导电类型的漂移区之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种沟槽型IGBT器件结构，其特征在于，包括：
第一导电类型的衬底；
第二导电类型的漂移区，形成于所述第一导电类型的衬底内；
沟槽栅极，位于所述第二导电类型的漂移区内；所述沟槽栅极包括：
第一栅极导电层；
第一栅氧化层，位于所述第一栅极导电层与所述第二导电类型的漂移区之间；
绝缘隔离层，覆盖所述第一栅极导电层及所述第一栅氧化层的上表面；
第二栅极导电层，位于所述绝缘隔离层的上表面；
第二栅氧化层，位于所述绝缘隔离层的上表面，且位于所述第二栅极导电层与所述第二导电类型的漂移区之间。


2.根据权利要求1所述的沟槽型IGBT器件结构，其特征在于，还包括：
第一导电类型的阱区，位于所述第二导电类型的漂移区上；所述沟槽栅极贯穿所述第一导电类型的阱区并延伸至所述第二导电类型的漂移区内。


3.根据权利要求2所述的沟槽型IGBT器件结构，其特征在于，还包括：
第二导电类型的第一掺杂区，位于所述第一导电类型的阱区内；所述沟槽栅极贯穿所述第二导电类型的第一掺杂区及所述第一导电类型的阱区并延伸至所述第二导电类型的漂移区内；
第二导电类型的第二掺杂区，位于所述第一导电类型的阱区内，且位于相邻所述第二导电类型的第一掺杂区之间。

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【专利技术属性】
技术研发人员：刘军，李博强，朱贤龙，
申请(专利权)人：广东芯聚能半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44