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本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种沟槽型IGBT器件结构，包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的漂移区，形成于所述第一导电类型的衬底内；沟槽栅极，位于所述第二导电类型的漂移区内；所述沟槽栅极包括：第一栅极导电层；第一栅氧化层，位于所...
该专利属于广东芯聚能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东芯聚能半导体有限公司授权不得商用。

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