一种晶体管结构制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种晶体管结构。该晶体管结构包括光电二极管和三极管，光电二极管包括P型区和N型区，光电二极管的P型区和N型区为重掺杂区域，三极管的发射区为重掺杂区域，光电二极管的P型区或N型区与三极管的发射区联结。本实用新型专利技术实施例的技术方案通过将光电二极管的P型区或N型区与三极管的发射区联结，将光电二极管产生的微弱的光电流经过三极管放大后输出，可以实现放大光电流，提高光电二极管的光电转换效率。

A transistor structure

【技术实现步骤摘要】
一种晶体管结构
本技术实施例涉及半导体器件
，尤其涉及一种晶体管结构。
技术介绍
光电二极管作为光电探测器能检测出入射在其上面的光功率，并完成光/电信号的转换功能，在指纹识别等领域广泛应用，其中PIN结构的光电二极管是目前最常用的半导体光电探测器。目前光电二极管为改善PN结耗尽层只有几微米，长波长的穿透深度比耗尽层宽度还大，大部分入射光被中性区吸收的问题，在PN结中设置一层掺杂浓度很低的本征半导体，称为I型区，这种结构便是PIN光电二极管。但由于PIN结构的光电二极管的光转换效率不高，存在光电流较小的问题。
技术实现思路
本技术实施例提供一种晶体管结构，以解决PIN结构的光电二极管的光转换效率不高，存在光电流较小的问题。为实现上述技术问题，本技术采用以下技术方案：本技术实施例提供了一种晶体管结构，包括：光电二极管和三极管；光电二极管包括P型区和N型区，光电二极管的P型区和N型区为重掺杂区域，三极管的发射区为重掺杂区域；光电二极管的P型区或N型区与三极管的发射区联结。进一步地，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体管结构，其特征在于，包括：光电二极管和三极管；/n所述光电二极管包括P型区和N型区，所述光电二极管的所述P型区和所述N型区为重掺杂区域，所述三极管的发射区为重掺杂区域；/n所述光电二极管的所述P型区或所述N型区与所述三极管的发射区联结。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶体管结构，其特征在于，包括：光电二极管和三极管；
所述光电二极管包括P型区和N型区，所述光电二极管的所述P型区和所述N型区为重掺杂区域，所述三极管的发射区为重掺杂区域；
所述光电二极管的所述P型区或所述N型区与所述三极管的发射区联结。


2.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，
所述光电二极管的所述P型区或所述N型区与所述三极管的发射区共用。


3.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，
所述光电二极管的所述P型区或所述N型区与所述三极管的发射区通过金属联结或电性连接。


4.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，
所述三极管的发射区为N型掺杂或P型掺杂；
所述光电二极管的N型区为N型掺杂，所述光电二极管的P型区为P型掺杂。


5.根据权利要求4所述的晶体管结构，其特征在于，
所述N型掺杂为掺杂磷；所述P型掺杂为掺杂硼。


6.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，
所述三极管为PNP型三极管；
所述光电二极管的P型区与所述三极管的发射区联结。


7.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，
所述三极管为NPN型三极管；
所述光电二极管的N型区与所述三极管的发...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡俊飞，
申请(专利权)人：云谷固安科技有限公司，
类型：新型
国别省市：河北;13