一种集成芯片制造技术

本实用新型专利技术涉及芯片技术领域，公开了一种集成芯片，该集成芯片，包括：晶圆层，晶圆层包括第一单晶硅层、第二单晶硅层以及中间的二氧化硅介质层，第一单晶硅层形成有第一芯片；还包括依次形成于第一单晶硅层上的第一介质层、第一金属部，第一金属部与对应的第一芯片的电连接部之间通过过孔电性连接；还包括依次形成于第二单晶硅层上的第二芯片器件层、第二介质层、第二金属部，第二芯片器件层形成第二芯片，第二金属部与对应的第二芯片的电连接部之间通过过孔电性连接；第二金属部通过过孔与对应的第一金属部电性连接。该集成芯片将相同或不同的多个芯片集成于晶圆的两侧，简化了芯片之间的连接且体积小。

An integrated chip

【技术实现步骤摘要】
一种集成芯片
本技术涉及芯片
，特别涉及一种集成芯片。
技术介绍
随着以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体材料(即第三代半导体材料)设备、制造工艺与器件物理的迅速发展，SiC和GaN基的电力电子器件逐渐成为功率半导体器件的重要发展方向，已经逐步地进入到市场应用中，其中以氮化镓肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode，SBD)、氮化镓高电子迁移率晶体管(HighElectronMobilityTransistor，HEMT)、碳化硅结势垒二极管JBS、碳化硅场效应晶体管MOSFET等器件为主，因为第三代半导体功率器件具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率、低功率损耗等特点，广泛地应用在电力电子、新能源等领域。目前智能功率模块(IPM)所用的功率芯片和器件仍是以硅器件为主，少数是硅器件混合GaN器件或SiC器件，其模块的封装设计仍是基于传统硅基器件的结构，将器件通过打线方式进行电路的连接，使得智能功率模块(IPM)体积大、封装引线多、不能有效的发挥第三代半导体功率器件的优点。技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成芯片，其特征在于，包括：/n晶圆层，所述晶圆层包括第一单晶硅层、第二单晶硅层以及设置于所述第一单晶硅层和所述第二单晶硅层之间的二氧化硅介质层，所述第一单晶硅层包括凹槽区域，所述凹槽区域将所述第一单晶硅层分隔成中间区域和边缘区域，所述第一单晶硅层位于中间区域的部位形成有第一芯片；/n形成于所述第一单晶硅层背离第二单晶硅层一侧的第一介质层；/n形成于所述第一介质层背离所述第一单晶硅层的第一金属部，所述第一金属部与对应的所述第一芯片的电连接部之间通过过孔电性连接；/n形成于所述第二单晶硅层背离所述第一单晶硅层一侧的第二芯片器件层，所述第二芯片器件层形成第二芯片；/n形成于所述第二芯片器件...

【技术特征摘要】
1.一种集成芯片，其特征在于，包括：
晶圆层，所述晶圆层包括第一单晶硅层、第二单晶硅层以及设置于所述第一单晶硅层和所述第二单晶硅层之间的二氧化硅介质层，所述第一单晶硅层包括凹槽区域，所述凹槽区域将所述第一单晶硅层分隔成中间区域和边缘区域，所述第一单晶硅层位于中间区域的部位形成有第一芯片；
形成于所述第一单晶硅层背离第二单晶硅层一侧的第一介质层；
形成于所述第一介质层背离所述第一单晶硅层的第一金属部，所述第一金属部与对应的所述第一芯片的电连接部之间通过过孔电性连接；
形成于所述第二单晶硅层背离所述第一单晶硅层一侧的第二芯片器件层，所述第二芯片器件层形成第二芯片；
形成于所述第二芯片器件层背离所述第二单晶硅层一侧的第二介质层；
形成于所述第二介质层背离所述第二芯片器件层一侧的第二金属部，所述第二金属部与对应的所述第二芯片的电连接部之间通过过孔电性连接；所述第二金属部通过贯穿所述第二介质层、第二芯片器件层、晶圆层、第一介质层的过孔与对应的所述第一金属部电性连接。


2.根据权利要求1所述的集成芯片，其特征在于，还包括形成于所述第一金属部背离所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：史波，陈道坤，曾丹，敖利波，肖婷，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44