集成电路装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种集成电路装置。该集成电路装置包括具有电路区域和围绕该电路区域的保护区域的半导体衬底。保护结构形成在保护区域中，并且包括位于半导体衬底中的扩散区域。保护结构还包括设置在半导体衬底上并与扩散区域相邻的栅堆叠。保护结构还包括设置在栅堆叠上的保护层。栅堆叠沿第一方向延伸，而保护层沿与第一方向不同的第二方向延伸。保护层与扩散区域电绝缘。因此，提供了一种包括具有电容器的保护结构的集成电路装置。

Integrated circuit device

【技术实现步骤摘要】
集成电路装置
本专利技术涉及一种集成电路，尤其涉及一种具有带有电容器的保护结构的集成电路。
技术介绍
半导体器件制造商的任务是交付预期以某种质量水平运行的产品。在集成电路(IC)中，一个电路或器件中产生的噪声可能会干扰IC中其他电路或器件的操作。噪声的产生通常会降低IC的性能。诸如保护环(guardring)的保护结构被广泛地用于衬底的保护区域中，作为IC内的器件或电路之间的噪声隔离组件。例如，保护环围绕IC的器件或电路，以便抑制噪声或减少相邻器件或电路之间的干扰。保护结构对于易受干扰和噪声影响的高频电路(例如射频电路)更为重要。近年来，随着电子产品变得具有越来越多功能并且具有缩小的尺寸，期望半导体器件的制造商改善在单个半导体晶圆(wafer)上形成的器件(device)的密度和功能。然而，在保护区域中的传统保护结构仅具有保护功能并且占据器件的一定量的区域，这限制了缩小半导体器件尺寸的尺度。因此，具有改进的保护结构的新颖结构的集成电路装置是制造商的期望目标之一。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种集成电路装置，其包括在半导体衬底上具有多个电容器的保护结构。集成电路装置的示例性实施例包括：半导体衬底，其具有电路区域和围绕该电路区域的保护区域，和在该保护区域中的保护结构。保护结构包括：位于半导体衬底中的扩散区域，以及栅堆叠，该栅堆叠设置在半导体衬底上并且与扩散区域邻近。保护结构还包括设置在扩散区域上并与扩散区域电连接的连接结构。保护结构还包括设置在栅堆叠上的保护层。栅堆叠在第一方向上延伸，并且保护层在第二方向上延伸。第二方向不同于第一方向。而且，保护层与第一连接结构电绝缘。其中，所述栅堆叠包括：第一部分；以及与所述第一部分连接的第二部分，所述第二部分在所述第一方向上延伸，其中，所述保护层设置在所述栅堆叠的所述第二部分上。所述半导体衬底包括彼此分离且平行的第一鳍和第二鳍，其中，所述第一鳍和所述第二鳍在所述第二方向上延伸，其中，所述栅堆叠的所述第二部分设置在所述第一鳍上，所述栅堆叠的所述第一部分设置在所述第二鳍上。其中，从所述半导体衬底的俯视图看，所述栅堆叠的所述第二部分上的保护层位于所述第一鳍的上方，以及与所述第一鳍至少部分重叠。集成电路装置的另一示例性实施例包括半导体衬底和在半导体衬底的保护区域中的保护结构。半导体衬底包括电路区域和围绕电路区域的保护区域。保护结构包括位于半导体衬底中的扩散区域和设置在半导体衬底上的多个栅堆叠。栅堆叠与所述扩散区域相邻。保护结构还包括布置在栅堆叠上并电连接到栅堆叠的保护层。栅堆叠在第一方向上延伸，而保护层在第二方向上延伸。第二方向不同于第一方向。而且，保护层与扩散区域电绝缘。其中，所述多个栅堆叠中的每一个包括第一部分和连接到所述第一部分的第二部分，所述第二部分在所述第一方向上延伸，其中所述保护层设置在所述多个栅堆叠的所述第二部分上。其中，所述半导体衬底包括彼此分离且平行的多个鳍结构，所述多个鳍结构在所述第二方向上延伸，其中，从所述半导体衬底的俯视图看，在所述栅堆叠的第二部分上的所述保护层位于所述多个鳍结构中的一个的上方且与所述多个鳍结构中的所述一个至少部分重叠。在下面的实施例中，参照附图给出详细描述。在阅读了在各个附图和附图中示出的优选实施例的以下详细描述之后，本专利技术的这些和其他目的无疑将对本领域普通技术人员变得显而易见。本专利技术实施例提供的集成电路装置通过形成在围绕电路区域的保护区域内的保护结构，可以减小噪声和相邻电路区域中器件或电路之间的干扰。附图说明通过阅读以下参考附图的详细描述和实施例，可以更全面地理解本专利技术，其中：图1是根据本专利技术的一些实施例的集成电路装置的俯视图；图2A是图1中保护区域的第一区域的一部分中的保护结构的放大图；图2B示出了形成在图2A的结构上的导电层；图3A是沿着图2B的半导体结构的线3A-3A截取的截面图；图3B是沿着图2B的半导体结构的线3B-3B截取的截面图；图4是图1中保护区域的第二区域的一部分中的保护结构的放大图；图5A是沿着图4的半导体结构的线5A-5A截取的截面图；图5B是沿着图4的半导体结构的线5B-5B截取的截面图；图6是根据本专利技术一些实施例的与保护区域的第一区域中的鳍(pin)重叠的保护结构的放大图。具体实施方式以下描述是实施本专利技术的较佳实施方式。进行该描述是为了说明本专利技术的一般原理，而不应被认为是限制性的。本专利技术的范围由所附权利要求书确定。在下文中将参考附图充分描述本专利技术概念，在附图中示出了本专利技术概念的示例性实施例。根据以下示例性实施例，本专利技术概念的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将变得显而易见，将参考附图对该实施例进行更详细地描述。然而，应当注意，本专利技术概念不限于以下示例性实施例，可以以各种形式实现。因此，提供示例性实施例仅是为了公开专利技术概念，并且使本领域技术人员知道专利技术概念的类别。而且，所示的附图仅是示意性的，并且是非限制性的。在附图中，出于说明的目的，一些元件的尺寸可能被放大并且未按比例绘制。尺寸和相对尺寸可以不对应于本专利技术实践中的真实尺寸。本文所使用的术语仅是出于描述特定实施例的目的，并不旨在限制本专利技术。如本文所使用的，单数术语“一”，和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文另外明确指出。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关联的所列项目的任何和所有组合。应当理解的是，当一个元件被称为“连接”或“耦接”或“耦合”到另一个元件时，它可以直接连接或耦接或耦合到另一个元件，或者可以存在中间元件，该一个元件通过中间元件连接或耦接或耦合到另一个元件。类似地，应当理解，当诸如层，区域或衬底的元件被称为在另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上，或者可以存在中间元件。相反，术语“直接”是指不存在中间元件。应该理解的是，当在本文中使用时，术语“包括”，“包含”，和/或“具有”规定了存在所述特征，整数，步骤，操作，元素和/或元件，但是不排除存在或增加一个或多个其他特征，整数，步骤，操作，元素，元件和/或其组。此外，为了便于描述，在本文中可以使用诸如“在...下方”，“在...下”，“在...上方”，“在...上”之类的空间相对术语，以便于描述图中所示的一个元件或特征相对于另一个元件或者特征的关系。除了在图中描述的方位之外，空间相对术语还意图涵盖设备在使用或操作中的不同方位。应该理解的是，尽管这里可以使用术语第一，第二，第三等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元素和另一个元素。因此，在不背离本专利技术教导的情况下，在一些实施例中的第一元件可以在其他实施例中被称为第二元件。本文中解释和说明的本专利技术概念的方面的示例性实施例包括它们的互补对等物。在整个说明书中，相同或相似的附图标记或参考标记表示相同或相似的元件。本专利技术实施例提供了一种集成电路装置。集成电路装置的示例实施例包含在半导体衬底上具有若干电容器的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路装置，包括：/n半导体衬底，具有电路区域和围绕所述电路区域的保护区域；/n保护结构，位于所述保护区域中，所述保护结构包括：/n扩散区域，位于所述半导体衬底中；/n栅堆叠，设置在所述半导体衬底上，并且与所述扩散区域相邻，其中所述栅堆叠在第一方向上延伸；/n连接结构，设置在所述扩散区域上并且与所述扩散区域电连接；以及/n保护层，设置在所述栅堆叠上，其中所述保护层在与所述第一方向不同的第二方向上延伸；/n其中，所述保护层与所述连接结构电绝缘。/n

【技术特征摘要】
20181019 US 62/747,708;20190613 US 16/440,7161.一种集成电路装置，包括：
半导体衬底，具有电路区域和围绕所述电路区域的保护区域；
保护结构，位于所述保护区域中，所述保护结构包括：
扩散区域，位于所述半导体衬底中；
栅堆叠，设置在所述半导体衬底上，并且与所述扩散区域相邻，其中所述栅堆叠在第一方向上延伸；
连接结构，设置在所述扩散区域上并且与所述扩散区域电连接；以及
保护层，设置在所述栅堆叠上，其中所述保护层在与所述第一方向不同的第二方向上延伸；
其中，所述保护层与所述连接结构电绝缘。


2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，在所述第一方向上所述保护层与所述连接结构隔开第一距离。


3.根据权利要求2所述的集成电路装置，其中，所述扩散区域是第一扩散区域，所述连接结构是第一连接结构，以及所述保护结构进一步包括：
第二扩散区域，位于所述半导体衬底中，其中，所述栅堆叠位于所述第一扩散区域和所述第二扩散区域之间；以及
第二连接结构，设置在所述第二扩散区域上并与所述第二扩散区域电连接，其中，所述保护层与所述第二连接结构电绝缘，以及在所述第一方向上所述保护层与所述第二连接结构隔开第二距离。


4.根据权利要求3所述的集成电路装置，其中，在所述第一方向上所述保护层与所述第一扩散区域隔开第三距离，以及在所述第一方向上所述保护层与所述第二扩散区域隔开第四距离。


5.根据权利要求3所述的集成电路装置，其中，所述保护结构包括所述第一扩散区域和所述第二扩散区域之间的沟道区，以及在所述第一方向上所述保护层与所述沟道区隔开。


6.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述栅堆叠包括：
第一部分；以及
与所述第一部分连接的第二部分，所述第二部分在所述第一方向上延伸，其中，所述保护层设置在所述栅堆叠的所述第二部分上。


7.根据权利要求6所述的集成电路装置，其中，所述半导体衬底包括彼此分离且平行的第一鳍和第二鳍，其中，所述第一鳍和所述第二鳍在所述第二方向上延伸，其中，所述栅堆叠的所述第二部分设置在所述第一鳍上，所述栅堆叠的所述第一部分设置在所述第二鳍上。


8.根据权利要求7所述的集成电路装置，其中，当所述半导体衬底被俯视时，所述栅堆叠的所述第二部分上的保护层位于所述第一鳍的上方，以及与所述第一鳍完全重叠或者部分重叠。


9.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述保护结构进一步包括在所述保护层上的接触通孔，所述接触通孔通过所述保护层电连接到所述栅堆叠的所述第二部分。


10.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中，所述保护结构进一步包括：在所述连接结...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾峥，黄国恩，
申请(专利权)人：联发科技新加坡私人有限公司，
类型：发明
国别省市：新加坡;SG