一种原子层沉积技术制备银薄膜的方法技术

本发明专利技术涉及一种原子层沉积技术制备银薄膜的方法，包括银前躯体、肼类还原剂、待镀基料、银源罐、还原剂钢瓶、反应室、运输管道、ALD脉冲阀门，所述银前驱提选用液态银源，作为金属有机化合物前驱体与所述待镀基料表面发生化学自饱和吸附并发生交换反应，在所述待镀基料表面生成银置换前驱体，所述银置换前驱体再与肼类还原剂发生还原反应，生成银薄膜。本发明专利技术选用液态银源为银前驱体，可以避免银源在使用过程中冷凝从而堵塞阀门，并且可以良好的控制沉积工艺，降低生产成本；选用肼类还原剂为还原性前驱体，可以直接利用热型原子层沉积技术即可沉积单质银薄膜；采用本发明专利技术中的方法，在使用过程中，更方便、更安全、更容易操作。

A method of preparing silver film by atomic layer deposition

【技术实现步骤摘要】
一种原子层沉积技术制备银薄膜的方法
本专利技术属于原子层沉积
，具体涉及一种原子层沉积技术制备银薄膜的方法。
技术介绍
超薄金属银纳米纹理涂层对于包括抗菌表面，等离激元增强薄膜PV，催化剂和气体传感器在内的一系列应用具有重大意义。在这些应用中，控制表面上纳米级特征的尺寸，形状和分布通常对于该层的功能性能至关重要。尽管可以轻松地使用各种技术(包括湿化学，电化学，化学气相沉积和物理气相沉积)来沉积纳米结构化薄膜，但是每种方法在精确，可重复地控制纳米涂层方面都存在局限性。当在复杂的三维表面上生产高度保形的涂层时，这些技术也有局限性，这在生物医学植入物或非平面半导体器件中可能会发现。原子层沉积(ALD)是一种出色的沉积技术，可对超薄薄膜提供高度可重复的纳米级控制，并且在复杂的三维结构上具有出色的保形性，并且可与大规模生产兼容。ALD是一种循环过程，使用两个或多个气态前驱物的交替脉冲，将其化学吸附到基底上以形成所需的膜并消除不希望的反应副产物。前驱物脉冲通过惰性气体吹扫来分离，这有助于除去反应副产物，最重要的是抑制不需要的气相或预反应。在适本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种原子层沉积技术制备银薄膜的方法，包括银前躯体、肼类还原剂、待镀基料、银源罐、还原剂钢瓶、反应室、运输管道、ALD脉冲阀门，其特征在于：所述银前驱提选用液态银源，作为金属有机化合物前驱体与所述待镀基料表面发生化学自饱和吸附并发生交换反应，在所述待镀基料表面生成银置换前驱体，所述银置换前驱体再与肼类还原剂发生还原反应，生成银薄膜；所述银前驱体初始加热温度为150℃，所述肼类还原剂初始加热温度为30-70℃，所述反应室反应温度为50-400℃，所述运输管路及ALD阀门的工作温度为180-200℃，以保证前驱体源在气相下运输而不发生冷凝；/n所述原子层沉积技术制备银薄膜的方法还包括以下步骤：/...

【技术特征摘要】
1.一种原子层沉积技术制备银薄膜的方法，包括银前躯体、肼类还原剂、待镀基料、银源罐、还原剂钢瓶、反应室、运输管道、ALD脉冲阀门，其特征在于：所述银前驱提选用液态银源，作为金属有机化合物前驱体与所述待镀基料表面发生化学自饱和吸附并发生交换反应，在所述待镀基料表面生成银置换前驱体，所述银置换前驱体再与肼类还原剂发生还原反应，生成银薄膜；所述银前驱体初始加热温度为150℃，所述肼类还原剂初始加热温度为30-70℃，所述反应室反应温度为50-400℃，所述运输管路及ALD阀门的工作温度为180-200℃，以保证前驱体源在气相下运输而不发生冷凝；
所述原子层沉积技术制备银薄膜的方法还包括以下步骤：
步骤一：布设基料，在所述银源罐布设所述液态银源，还原剂钢瓶布设肼类还原剂，反应室内布设待镀基料；
步骤二：设备加热，将所述液态银源初始加热温度为150℃，所述肼类还原剂初始加热温度为30-70℃，所述反应室反应温度为50-400℃，所述运输管路及ALD阀门的工作温度为180-200℃，且将所述反应室和运输管路抽真空至压力为10～200Pa；
步骤三：开启流量，ALD系统受热均匀后，开启所述银源罐的载气流量为10-200sccm；
步骤四：施加液态银源，打开所述银源罐设有的所述ALD脉冲阀门50-2000ms，使得液态银源进入反应室，与所述待镀基料表面发生自饱和吸附并发生反应，生成镀银基料；
步骤五：清洗余料，采用向所述反应室通入惰...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：江苏迈纳德微纳技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32