声波装置、滤波器和多路复用器制造方法及图纸

声波装置、滤波器和多路复用器。一种声波装置包括：压电基板；电极，所述电极将压电基板夹在中间并激发压电基板中的厚度剪切振动；以及边缘区域，该边缘区域是围绕共振区域的中央区域的区域，其中，边缘区域的第一区域在大致平行于厚度剪切振动的位移方向的第一方向上位于中央区域的两侧，边缘区域的第二区域在与第一方向基本垂直的第二方向上位于中央区域的两侧，第二区域的宽度不同于第一区域的宽度，并且压电基板在第一区域和第二区域中的声波的声速小于压电基板在中央区域中的声波的声速。

Acoustic devices, filters and multiplexers

【技术实现步骤摘要】
声波装置、滤波器和多路复用器
本公开的一些方面涉及声波装置、滤波器和多路复用器。
技术介绍
诸如薄膜体声谐振器(FBAR)和固体安装谐振器(SMR)的体声波(BAW)谐振器已经用作无线终端(例如但不限于移动电话)的高频电路的滤波器和双工器。BAW谐振器被称为压电薄膜谐振器。压电薄膜谐振器具有在电极之间插入压电膜的同时设置一对电极的结构。一对电极跨过压电膜的至少一部分彼此面对的谐振区域是声波谐振的区域。已知梯形滤波器，其中，例如，如日本专利申请公开第2004-146861号(以下称为专利文献1)中所公开的，其中压电薄膜谐振器串联连接及压电薄膜谐振器并联连接在输入端子和输出端子之间。在压电薄膜谐振器中，当声波在谐振区域的周围反射并且由此在谐振区域形成驻波时，形成不必要的杂散(spurious)。因此，例如，如在日本专利申请公开第2007-6501号和第2008-42871号(以下，分别称为专利文献2和专利文献3)中所公开的，通过在谐振区域内的边缘区域增加附加结构以控制声速来减少杂散。通过例如溅射形成的多晶氮化铝(AlN)膜被用于压电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种声波装置，该声波装置包括：/n压电基板；/n一对电极，该一对电极将所述压电基板夹在中间并激发所述压电基板中的厚度剪切振动；/n边缘区域，该边缘区域是围绕谐振区域的中央区域的区域并且位于所述谐振区域的边缘部分，所述谐振区域是所述一对电极跨过所述压电基板的至少一部分彼此面对的区域；/n第一区域，该第一区域是所述边缘区域的一部分，并且在第一方向上位于所述中央区域的两侧，该第一方向与作为所述压电基板中的主模式的厚度剪切振动的位移方向基本平行，所述第一区域内的所述压电基板中的声波的声速小于所述中央区域内的所述压电基板中的声波的声速；以及/n第二区域，该第二区域是所述边缘区域的一部分，并且在与所述...

【技术特征摘要】
20181128 JP 2018-222055;20190617 JP 2019-1122211.一种声波装置，该声波装置包括：
压电基板；
一对电极，该一对电极将所述压电基板夹在中间并激发所述压电基板中的厚度剪切振动；
边缘区域，该边缘区域是围绕谐振区域的中央区域的区域并且位于所述谐振区域的边缘部分，所述谐振区域是所述一对电极跨过所述压电基板的至少一部分彼此面对的区域；
第一区域，该第一区域是所述边缘区域的一部分，并且在第一方向上位于所述中央区域的两侧，该第一方向与作为所述压电基板中的主模式的厚度剪切振动的位移方向基本平行，所述第一区域内的所述压电基板中的声波的声速小于所述中央区域内的所述压电基板中的声波的声速；以及
第二区域，该第二区域是所述边缘区域的一部分，并且在与所述第一方向基本垂直的第二方向上位于所述中央区域的两侧，所述第二区域在所述第二方向上的宽度与所述第一区域在所述第一方向上的宽度不同，所述压电基板在所述第二区域中的声波的声速小于所述压电基板在所述中央区域中的声波的声速。


2.根据权利要求1所述的声波装置，其中，
所述第二区域在所述第二方向上的宽度小于所述第一区域在所述第一方向上的宽度。


3.根据权利要求1或2所述的声波装置，其中，
所述压电基板在所述第一区域中的声波的声速基本上等于所述压电基板在所述第二区域中的声波的声速。


4.一种声波装置，该声波装置包括：
压电基板；
一对电极，该一对电极将所述压电基板夹在中间并激发所述压电基板中的厚度剪切振动；
边缘区域，该边缘区域是围绕谐振区域的中央区域的区域并且位于所述谐振区域的边缘部分，所述谐振区域是所述一对电极跨过所述压电基板的至少一部分彼此面对的区域；
第一区域，该第一区域是所述边缘区域的一部分，并且在第一方向上位于所述中央区域的两侧，该第一方向与作为所述压电基板中的主模式的厚度剪切振动的位移方向基本平行，所述压电基板在所述第一区域中的声波的声速小于所述压电基板在所述中央区域中的声波的声速；以及
第二区域，该第二区域是所述边缘区域的一部分，并且在与所述第一方向基本垂直的第二方向上位于所述中央区域的两侧，所述压电基板在所述第二区域中的声波的声速小于所述压电基板在所述中央区域中的声波的声速，并且与所述压电基板在所述第一区域中的声波的声速不同。


5.根据权利要求4所述的声波装置，其中，
所述压电基板在所述第二区域中的声波的声速大于所述压电基板在所述第一区域中的声波的声速。


6.根据权利要求4或5所述的声波装置，其中，
所述第一区域在所述第一方向上的宽度基本上等于所述第二区域在所述第二方向上的宽度。


7.根据权利要求1、2、4和5中的任一项所述的声波装置，该声波装置还包括：
第一附加膜，该第一附加膜设置在所述第一区域中；以及
第二附加膜，该第二附加膜设置在所述第二区域中。


8.根据权利要求1、2、4和5中的任一项所述的声波装置，其中，
所述压电基板是X切割钽酸锂基板。


9.根据权利要求1、2、4和5中的任一项所述的声波装置，其中，
压电基板是旋转的Y切割铌酸锂基板。


10.一种声波装置，该声波装置包括：
压电基板，该压电基板是X切割钽酸锂基板；
一对电极，所述一对电极将所述压电基板夹在中间并激发所述压电基板中的厚度剪切振动；
附加膜，该附加膜围绕谐振区域的中央区域并且位于所述谐振区域的边缘部分，所述谐振区域是...

【专利技术属性】
技术研发人员：松田隆志，佐藤良夫，石田守，
申请(专利权)人：太阳诱电株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP