【技术实现步骤摘要】
介质滤波器和无线电收发设备
本申请涉及通信
,具体涉及介质滤波器和无线电收发设备。
技术介绍
随着5G基站MassiveMIMO架构的推广,介质滤波器凭借小体积、高性能、高可靠性、低成本、易于大批量生产等特性,取代了传统的大体积腔体滤波器成为了5G基站的首选滤波器方案。同时由于频谱资源的紧缺,使得滤波器的带外抑制要求越来越高。而介质滤波器由于其内部被介质材料填充,无法加工类似于传统腔体滤波器所采用的飞杆来实现负耦合,给滤波器设计特别是零点设计带来了不利影响。当前,市场上出现了一些介质滤波器负耦合的设计加工方法,如国际专利申请WO2018148905A1就公开了一种通过在介质块上设置负耦合孔和导电隔断层实现谐振腔之间电容耦合的介质滤波器,但该专利加工工艺复杂,需采用表面印刷或激光蚀刻等工艺额外设置导电隔断层,又如中国专利技术专利CN104604022B就公开了一种通过在由固态介电材料制成的本体上打盲孔的方式实现盲孔两侧谐振器之间电容耦合的介质滤波器,但该盲孔需要精准控制孔深,使得介质滤波器的性能不稳定,调试量大; ...
【技术保护点】
1.一种介质滤波器,其特征在于,包括至少两个介质谐振器,分别为第一介质谐振器和第二介质谐振器,所述介质谐振器包括由陶瓷材料制成的介质谐振器本体和位于所述介质谐振器本体表面的调试孔,所述调试孔为盲孔,所述调试孔用于调试其所在的介质谐振器的谐振频率,所述第一介质谐振器的调试孔位于所述第一介质谐振器本体的上表面,所述第二介质谐振器的调试孔位于所述第二介质谐振器本体的上表面或下表面;所有所述介质谐振器本体构成所述介质滤波器本体,所述介质滤波器还包括:/n负耦合孔,所述负耦合孔为直孔,所述负耦合孔开设于所述第一介质谐振器的上表面并向下倾斜地延伸直至贯穿所述第二介质谐振器的下表面,使所 ...
【技术特征摘要】
20191231 CN 20191140456171.一种介质滤波器,其特征在于,包括至少两个介质谐振器,分别为第一介质谐振器和第二介质谐振器,所述介质谐振器包括由陶瓷材料制成的介质谐振器本体和位于所述介质谐振器本体表面的调试孔,所述调试孔为盲孔,所述调试孔用于调试其所在的介质谐振器的谐振频率,所述第一介质谐振器的调试孔位于所述第一介质谐振器本体的上表面,所述第二介质谐振器的调试孔位于所述第二介质谐振器本体的上表面或下表面;所有所述介质谐振器本体构成所述介质滤波器本体,所述介质滤波器还包括:
负耦合孔,所述负耦合孔为直孔,所述负耦合孔开设于所述第一介质谐振器的上表面并向下倾斜地延伸直至贯穿所述第二介质谐振器的下表面,使所述负耦合孔的上孔口全部位于所述第一介质谐振器本体的上表面,并使所述负耦合孔的下孔口全部位于所述第二介质谐振器本体的下表面,所述负耦合孔连接所述第一介质谐振器和所述第二介质谐振器,所述负耦合孔用于实现所述第一介质谐振器和所述第二介质谐振器之间的电容耦合;
覆盖所述介质滤波器本体表面、所述调试孔内壁表面和所述负耦合孔内壁表面的导电层。
2.根据权利要求1所述的介质滤波器,其特征在于,所述负耦合孔上孔口的孔口部与所述第一介质谐振器的调试孔的孔口部相贯通连接,使所述负耦合孔的内腔与所述第一介质谐振器的调试孔的内腔相连通。
3.根据权利要求1所述的介质滤波器,其特征在于,所述第二介质谐振器的调试孔位于所述第二介质谐振器本体的下表面,所述负耦合孔下孔口的孔口部与所述第二介质谐振器的调试孔的孔口部相贯通连接,使所述负耦合孔的内腔与所述第二介质谐振器的调试孔的内腔相连通。
4.根据权利要求1所述的介质滤波器,其特征在于,所述负耦合孔的轴心线位于所述第一介质谐振器调试孔的轴心线和所述第二介质谐振器调试孔的轴心线形成的虚拟平面上。
5.根据权利要求1所述的介质滤波器,其特征在于,所述负耦合孔的横截面为圆形、椭圆形或多边形中的任意一种。
6.根据权利要求1所述的介质滤波器,其特征在于,所述介质滤波器还包括耦合槽,所述耦合槽开设于所述介质滤波器本体的上表面并向下延伸贯穿所述介质滤波器本体的下表面,所述耦合槽在所述介质滤波器本体的上表面和下表面均具有开口,所述耦合槽还在所述介质滤波器本体的前表面或后表面具有开口,所述耦合槽位于所述第一介质谐振器本体和所述第二介质谐振器本体的连接位置,所述耦合槽的内壁表面覆盖有所述导电层,所述耦合槽和所述负耦合孔共同作用实现所述第一介质谐振器和所述第二介质谐...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱琦,周鑫童,
申请(专利权)人:江苏灿勤科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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