反向电压40V或60V桥式整流电路的集成制作方法技术

本发明专利技术是一种反向电压40V或60V桥式整流电路的集成制作方法，步骤为：a、衬底硅片清洗b、初始氧c、埋层光d、注入砷e、砷退火f、漂片g、清洗：h、初始氧化i、下隔离光刻j、注入硼，k、下隔离推结m、漂片n、清洗o、外延，P、衬底硅片清洗Q、初始氧化R、上隔离光刻T、硼扩散U、隔离扩散V、漂硼硅玻璃W、清洗X、氧化Y、N+光刻Z、清洗AA、磷扩散BB、磷再扩散CC、P+环光刻DD、硼离子注入EE、退火FF、引线孔光刻GG、清洗HH、Ni势垒金属蒸发II、硅化物形成JJ、Ni硅化物腐LL、正面金属Al蒸发MM、金属反刻。优点：采用这种工艺电路一致性好，封装体积小，封装良率高。

Integrated fabrication method of 40 V or 60 V bridge rectifier with reverse voltage

【技术实现步骤摘要】
反向电压40V或60V桥式整流电路的集成制作方法
本专利技术涉及反向电压40V或60V桥式整流电路的集成制作方法工艺
，具体涉及反向电压40V或60V桥式整流电路的集成制作工艺。
技术介绍
目前使用的肖特基二极管桥式整流电路主要制作工艺：将四个相同电流的单个40V或60V肖特基二极管，分别焊接在封装支架上，然后将四个40V或60V肖特基二极管通过铜线连接成桥式电路。此工艺缺点：封装体积大。封装良率低。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中的缺点而提供反向电压40V或60V桥式整流电路的集成制作方法工艺。为解决本专利技术的技术问题采用如下技术方案：反向电压40V或60V桥式整流电路的集成制作方法，步骤为：a、衬底硅片清洗:衬底硅片采用体积比为NH3H2O:H2O2:H2O＝1:1:5的清洗液和体积比为HCl:H2O2:H2O＝1:1:5的清洗液在75±5℃各清洗10分钟，清洗后的衬底硅片冲水10±1分钟，甩干后待用；b、初始氧化：完成步骤a的衬底硅片进行初始氧化工艺，首先将硅片放入石英舟，然后进舟到石英炉管，舟速20±1cm/s，进舟结束，盖好磨口，在750±3℃通入氮气，氮气通入量每分钟6±1升，氮气通入时长30±1分钟；温度从750℃升至1050℃，温度保持在1050℃±3℃，停止通氮气改通氧气；氧气通入20±1分钟后，改为通氧气、氢气进行氢氧合成，氢氧合成时间为240±1分钟，其中氧气通入速度为每分钟3.5±1升，氢气通入速度为每分钟6.5±1升；氢氧合成结束后再通入氧气20±1分钟，其中氧气通入速度为每分钟3.5±1升；然后通入三氯乙烷10±1分钟，其中三氯乙烷每分钟为80±1毫升；再通干氧120±1分钟，温度由1050℃降到750℃；取下磨口，出石英舟，舟速20±1cm/s，在石英舟上取硅片，工艺结束；c、埋层光刻：对完成步骤b的具有氧化层的衬底硅片进行光刻，其步骤为：①涂胶：光刻胶粘度为100±1cp，涂胶厚度为②前烘：将涂胶后的衬底硅片在85±5℃的烘箱中烘干30±1分钟；③对位：在衬底硅片上设置掩膜版，将设置好的掩膜版的衬底硅片在光刻机的汞灯下曝光22±1秒，使掩膜版图形成像到衬底硅片表面；④显影、定影：先用二甲苯显影10±1秒，然后用乙酸丁脂定影8±1秒；⑤坚膜：将定影后的衬底硅片在140-155℃烘箱中烘干30±1分钟；⑥氧化层腐蚀：将坚膜的衬底硅片用体积比为NH4F：HF＝6：1的腐蚀液腐蚀10±1分钟；⑦去胶：将氧化层腐蚀后的衬底硅片用体积比为H2SO4：H2O2＝3：1浸泡液浸泡10±1分钟去除光刻胶；d、注入：完成步骤c埋层光刻后进行注入，砷注入剂量为5×1015cm-2，能量为50Kev；e、砷退火：将完成步骤d砷注入的晶片放入石英管中，然后进舟到石英炉管，舟速20±1cm/s，，进舟结束，盖好磨口，在750±3℃通入氮气，氮气通入量每分钟4±1升，通氮气时间80±1分钟，温度从750℃升至1200℃，温度保持在1200±3℃；停止通氮气改通氧气，氧气通入90±1分钟后，其中氧气通入速度为每分钟0.4±0.1升，改为通氮气，通氮气时间为240±1分钟，氮气通入速度为每分钟0.4±0.1升，温度由1200℃降到750℃，取下磨口，出舟，舟速20±1cm/s，在石英舟上取片，工艺结束；f、漂片：将完成步骤e砷退火的晶片放入体积比为NH4F：HF＝6：1的液体中漂15±1分钟；离子水溢流冲水10±1分钟，甩干；g、清洗：将完成步骤f的晶片放入体积比为HCl:H2O2:H2O＝1:1:5的清洗液，在75±5℃清洗10分钟，清洗后的衬底晶片冲水10±1分钟，甩干后待用；h、初始氧化：完成步骤g的衬底硅片进行初始氧化工艺，首先将硅片放入石英舟，然后进舟到石英炉管，舟速20±1cm/s；进舟结束，盖好磨口，在750±3℃通入氮气，氮气通入量每分钟6±1升，通氮气时间30±1分钟，温度从750℃升至1050℃，温度保持在1050℃±3℃；停止通氮气改通氧气，氧气通入20±1分钟后，改为通氧气、氢气进行氢氧合成，氢氧合成时间为240±1分钟，其中氧气通入速度为每分钟3.5±1升，氢气通入速度为每分钟6.5±1升；氢氧合成结束后再通入氧气20±1分钟，其中氧气通入速度为每分钟3.5±1升；然后通入三氯乙烷10±1分钟，其中三氯乙烷每分钟为80±1毫升；再通干氧120±1分钟，温度由1050℃降到750℃，取下磨口，出舟，舟速20±1cm/s，在石英舟上取片，工艺结束；i、下隔离光刻：对完成步骤h的具有氧化层的衬底硅片进行光刻，其步骤为：①涂胶：光刻胶粘度为100±1cp，涂胶厚度为②前烘：将涂胶后的衬底硅片在85±5℃的烘箱中烘干30±1分钟；③对位：在衬底硅片上设置掩膜版，将设置好的掩膜版的衬底硅片在光刻机的汞灯下曝光22±1秒，使掩膜版图形成像到衬底硅片表面；④显影、定影：先用二甲苯显影10±1秒，然后用乙酸丁脂定影8±1秒；⑤坚膜：将定影后的衬底硅片在140-155℃烘箱中烘干30±1分钟；⑥氧化层腐蚀：将坚膜的衬底硅片用体积比为NH4F：HF＝6：1的腐蚀液腐蚀10±1分钟；⑦去胶：将氧化层腐蚀后的衬底硅片用体积比为H2SO4：H2O2＝3：1浸泡液浸泡10±1分钟去除光刻胶；j、注入：完成步骤i下隔离光刻后进行注入，硼注入剂量为5×1015cm-2，能量为50Kev；k、下隔离推结：首先将硅片放入石英舟，然后进舟到石英炉管，舟速20±1cm/s，进舟结束，盖好磨口；在750±3℃通入氮气，氮气每分钟6±1升，通氮气时间30±1分钟，温度从750℃升至1050℃，温度保持在1050℃±3℃；停止通氮气改通氧气10分钟后，改为通氧气、氢气进行氢氧合成，氢氧合成时间为20±1分钟，其中氧气通入速度为每分钟3.5±1升，氢气通入速度为每分钟6.5±1升；氢氧合成结束后温度由1050℃降到750℃，取下磨口，出舟，舟速20±1cm/s，在石英舟上取片，工艺结束；m、漂片：将完成步骤k的晶片放入体积比为NH4F：HF＝6：1液体中漂15±1分钟；离子水溢流冲水10±1分钟，甩干；n、清洗：将完成步骤m的晶片放入体积比为HCl:H2O2:H2O＝1:1:5的清洗液在75±5℃清洗10分钟，清洗后的衬底晶片冲水10±1分钟，甩干后待用；o、外延:将完成步骤n的晶片放入外延炉石墨舟，盖好钟罩，温度升到1080±3℃，生长速率0.5um/min；外延厚度6.5-7.5um，电阻率1.0Ωcm-1.4Ωcm，温度降到700±3℃，通入氮气等待外延炉钟罩自动打开；取片；测试外延厚度6.5-7.5um，电阻率1.0Ωcm-1.4Ωcm范围，工艺结束；P、衬底硅片清洗:将完成步骤o的衬底硅片采用体积比为NH3H2O:H2O2:H2O＝1:1:5的清洗液和体积比为HCl:H2O2:H2O＝1:1:本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.反向电压40V或60V桥式整流电路的集成制作方法，其特征在于步骤为：/na、衬底硅片清洗:衬底硅片采用体积比为NH

【技术特征摘要】
1.反向电压40V或60V桥式整流电路的集成制作方法，其特征在于步骤为：
a、衬底硅片清洗:衬底硅片采用体积比为NH3H2O:H2O2:H2O＝1:1:5的清洗液和HCl:H2O2:H2O＝1:1:5的清洗液在75±5℃各清洗10分钟，清洗后的衬底硅片冲水10±1分钟，甩干后待用；
b、初始氧化：完成步骤a的衬底硅片进行初始氧化工艺，首先将硅片放入石英舟，然后进舟到石英炉管，舟速20±1cm/s，进舟结束，盖好磨口，在750±3℃通入氮气，氮气通入量每分钟6±1升，氮气通入时长30±1分钟；温度从750℃升至1050℃，温度保持在1050℃±3℃，停止通氮气改通氧气；氧气通入20±1分钟后，改为通氧气、氢气进行氢氧合成，氢氧合成时间为240±1分钟，其中氧气通入速度为每分钟3.5±1升，氢气通入速度为每分钟6.5±1升；氢氧合成结束后再通入氧气20±1分钟，其中氧气通入速度为每分钟3.5±1升；然后通入三氯乙烷10±1分钟，其中三氯乙烷每分钟为80±1毫升；再通干氧120±1分钟，温度由1050℃降到750℃；取下磨口，出石英舟，舟速20±1cm/s，在石英舟上取硅片，工艺结束；
c、埋层光刻：对完成步骤b的具有氧化层的衬底硅片进行光刻，其步骤为：
①涂胶：光刻胶粘度为100±1cp，涂胶厚度为
②前烘：将涂胶后的衬底硅片在85±5℃的烘箱中烘干30±1分钟；
③对位：在衬底硅片上设置掩膜版，将设置好的掩膜版的衬底硅片在光刻机的汞灯下曝光22±1秒，使掩膜版图形成像到衬底硅片表面；
④显影、定影：先用二甲苯显影10±1秒，然后用乙酸丁脂定影8±1秒；
⑤坚膜：将定影后的衬底硅片在140-155℃烘箱中烘干30±1分钟；
⑥氧化层腐蚀：将坚膜的衬底硅片用体积比为NH4F：HF＝6：1的腐蚀液腐蚀10±1分钟；
⑦去胶：将氧化层腐蚀后的衬底硅片用体积比为H2SO4：H2O2＝3：1浸泡液浸泡10±1分钟去除光刻胶；
d、注入：完成步骤c埋层光刻后进行注入，砷注入剂量为5×1015cm-2，能量为50Kev；
e、砷退火：将完成步骤d砷注入的晶片放入石英管中，然后进舟到石英炉管，舟速20±1cm/s，，进舟结束，盖好磨口，在750±3℃通入氮气，氮气通入量每分钟4±1升，通氮气时间80±1分钟，温度从750℃升至1200℃，温度保持在1200±3℃；停止通氮气改通氧气，氧气通入90±1分钟后，其中氧气通入速度为每分钟0.4±0.1升，改为通氮气，通氮气时间为240±1分钟，氮气通入速度为每分钟0.4±0.1升，温度由1200℃降到750℃，取下磨口，出舟，舟速20±1cm/s，在石英舟上取片，工艺结束；
f、漂片：将完成步骤e砷退火的晶片放入体积比为NH4F：HF＝6：1的液体中漂15±1分钟；离子水溢流冲水10±1分钟，甩干；
g、清洗：将完成步骤f的晶片放入体积比HCl:H2O2:H2O＝1:1:5的清洗液，在75±5℃清洗10分钟，清洗后的衬底晶片冲水10±1分钟，甩干后待用；
h、初始氧化：完成步骤g的衬底硅片进行初始氧化工艺，首先将硅片放入石英舟，然后进舟到石英炉管，舟速20±1cm/s；进舟结束，盖好磨口，在750±3℃通入氮气，氮气通入量每分钟6±1升，通氮气时间30±1分钟，温度从750℃升至1050℃，温度保持在1050℃±3℃；停止通氮气改通氧气，氧气通入20±1分钟后，改为通氧气、氢气进行氢氧合成，氢氧合成时间为240±1分钟，其中氧气通入速度为每分钟3.5±1升，氢气通入速度为每分钟6.5±1升；氢氧合成结束后再通入氧气20±1分钟，其中氧气通入速度为每分钟3.5±1升；然后通入三氯乙烷10±1分钟，其中三氯乙烷每分钟为80±1毫升；再通干氧120±1分钟，温度由1050℃降到750℃，取下磨口，出舟，舟速20±1cm/s，在石英舟上取片，工艺结束；
i、下隔离光刻：对完成步骤h的具有氧化层的衬底硅片进行光刻，其步骤为：
①涂胶：光刻胶粘度为100±1cp，涂胶厚度为
②前烘：将涂胶后的衬底硅片在85±5℃的烘箱中烘干30±1分钟；
③对位：在衬底硅片上设置掩膜版，将设置好的掩膜版的衬底硅片在光刻机的汞灯下曝光22±1秒，使掩膜版图形成像到衬底硅片表面；
④显影、定影：先用二甲苯显影10±1秒，然后用乙酸丁脂定影8±1秒；
⑤坚膜：将定影后的衬底硅片在140-155℃烘箱中烘干30±1分钟；
⑥氧化层腐蚀：将坚膜的衬底硅片用体积比为NH4F：HF＝6：1的腐蚀液腐蚀10±1分钟；
⑦去胶：将氧化层腐蚀后的衬底硅片用体积比为H2SO4：H2O2＝3：1浸泡液浸泡10±1分钟去除光刻胶；
j、注入：完成步骤i下隔离光刻后进行注入硼注入剂量为8×1014cm-2-5×1015cm-2，能量为50Kev；
k、下隔离推结：首先将硅片放入石英舟，然后进舟到石英炉管，舟速20±1cm/s，进舟结束，盖好磨口；在750±3℃通入氮气，氮气每分钟6±1升，通氮气时间30±1分钟，温度从750℃升至1050℃，温度保持在1050℃±3℃；停止通氮气改通氧气10分钟后，改为通氧气、氢气进行氢氧合成，氢氧合成时间为20±1分钟，其中氧气通入速度为每分钟3.5±1升，氢气通入速度为每分钟6.5±1升；氢氧合成结束后温度由1050℃降到750℃，取下磨口，出舟，舟速20±1cm/s，在石英舟上取片，工艺结束；
m、漂片：将完成步骤k的晶片放入体积比为NH4F：HF＝6：1液体中漂15±1分钟；离子水溢流冲水10±1分钟，甩干；
n、清洗：将完成步骤m的晶片放入体积比为HCl:H2O2:H2O＝1:1:5的清洗液在75±5℃清洗10分钟，清洗后的衬底晶片冲水10±1分钟，甩干后待用；
o、外延:将完成步骤n的晶片放入外延炉石墨舟，盖好钟罩，温度升到1080±3℃，生长速率0.5um/min；外延厚度6.5-7.5um，电阻率1.0Ωcm-1.4Ωcm，温度降到700±3℃，通入氮气等待外延炉钟罩自动打开；取片；测试外延厚度6.5-7.5um，电阻率1.0Ωcm-1.4Ωcm范围，工艺结束；
P、衬底硅片清洗:将完成步骤o的衬底硅片采用体积比为NH3H2O:H2O2:H2O＝1:1:5的清洗液和体积比为HCl:H2O2:H2O＝1:1:5的清洗液在75±5℃各清洗10分钟，清洗后的衬底硅片冲水10±1分钟，甩干后待用；
Q、初始氧化：完成步骤P的衬底硅片进行初始氧化工艺，首先将硅片放入石英舟，然后进舟到石英炉管，舟速20±1cm/s，进舟结束，盖好磨口；在750±3℃通入氮气，氮气每分钟6±1升，通氮气时间30±1分钟，温度从750℃升至1050℃，温度保持在1050℃±3℃；停止通氮气改通氧气，氧气通入20±1分钟后，改为通氧气、氢气进行氢氧合成，氢氧合成时间为240±1分钟，其中氧气通入速度为每分钟3.5±1升，氢气通入速度为每分钟6.5±1升；氢氧合成结束后再通入氧气20±1分钟，其中氧气通入速度为每分钟3.5±1升；然后通入三氯乙烷10±1分钟，其中三氯乙烷每分钟为80±1毫升，再通干氧120±1分钟，温度由1050℃降到750℃，取下磨口，出舟，舟速20±1cm/s，在石英舟上取片，工艺结束；
R、上隔离光刻:完成步骤Q的的具有氧化层的衬底硅片进行光刻，其步骤为：
①涂胶：光刻胶粘度为100±1cp，涂胶厚度为
②前烘：将涂胶后的衬底硅片在85±5℃的烘箱中烘干30±1分钟；
③对位：在衬底硅片上设置掩膜版，将设置好的掩膜版的衬底硅片在光刻机的汞灯下曝光22±1秒，使掩膜版图形成像到衬底硅片表面；
④显影、定影：先用二甲苯显影10±1秒，然后用乙酸丁脂定影8±1秒；
⑤坚膜：将定影后的衬底硅片在140-155℃烘箱中烘干30±1分钟；
⑥氧化层腐蚀：将坚膜的衬底硅片用体积比为NH4F：HF＝6：1的腐蚀液腐蚀10±1分钟；
⑦去胶：将氧化层腐蚀后的衬底硅片用体积比为H2SO4：H2O2＝3：1浸泡液浸泡10±1分钟去除光刻胶；
S、清洗：将完成步骤R的晶片放入体积比为HCl:H2O2:H2O＝1:1:5的清洗液在75±5℃清洗10分钟，清洗后的衬底晶片冲水10±1分钟，甩干后待用；
T、硼隔离预扩散：将完成步骤S的衬底硅片进行硼隔离预扩散工艺，首先将硅片放入石英舟，然后进舟到石英炉管，舟速20±1cm/s，进舟结束，盖好磨口；在750±3℃通入氮气，氮气每分钟6±1升，通氮气时间30±1分钟，温度从750℃升至975℃，温度保持在975℃±3℃；氮气通入70±1分钟后，温度由975℃降到750℃，取下磨口，出舟，舟速20±1cm/s，在石英舟上取片，测试方块电阻15-20Ω/□，工艺结束；
U、硼隔离再扩散：将完成步骤T的衬底硅片进行硼隔离再扩散，首先将硅片放入石英舟，然后进舟到石英炉管，舟速20±1cm/s，进舟结束，盖好磨口，在750±3℃通入氮气，氮气每分钟6±1升，通氮气时间30±1分钟，温度从750℃升至1200℃，温度保持在1200℃±3℃；氮气通入120±1分钟后，温度由1200℃降到750℃，取下磨口，出舟，舟速20±1cm/s，在石英舟上取片，工艺结束；
V、漂硼硅玻璃：将完成步骤U的晶片放入体积比为NH4F：HF＝6：1液体中漂15±1分钟；离子水溢流冲水10±1分钟，甩干待用；
W、清洗：将完成步骤V的晶片放入体积比为HCl:H2O2:H2O＝1:1:5的清洗液在75±5℃清洗10分钟，清洗后的衬底晶片冲水10±1分钟，甩干后待用；
X、氧化：完成步骤W的衬底硅片进行初始氧化工艺，首先将硅片放入石英舟，然后进舟到石英炉管，舟速20±1cm/s，进舟结束，盖好磨口；在750±3℃通入氮气，氮气每分钟6±1升，通氮气时间30±1分钟，温度从750℃升至1050℃，温度保持在1050℃±3℃；停止通氮气改通氧气，通氧气通入20±1分钟后，改为通氧气、氢气进行氢氧合成，氢氧合成时间为40±1分钟，其中氧气通入速度为每分钟3.5±1升，氢气通入速度为每分钟6.5±1升；氢氧合成结束后再通入氧气20±1分钟，其中氧气通入速度为每分钟3.5±1升；然后通入三氯乙烷10±1分钟，其中三氯乙烷每分钟为80±1毫升；再通干氧120±1分钟，温度由1050℃降到750℃，取下磨口，出舟，舟速20±1cm/s，在石英舟上取片，工艺结束；
Y、N+光刻：完成步骤Q的的具有氧化层的衬底硅片进行光刻，其步骤为：
①涂胶：光刻胶粘度为100±1cp，涂胶厚度为
②前烘：将涂胶后的衬底硅片在85±5℃的烘箱中烘干30±1分钟；
③对位：在衬底硅片上设置掩膜版，将设置好的掩膜版的衬底硅片在光刻机的汞灯下曝光22±1秒，使掩膜版图形成像到衬底硅片表面；
④显影、定影：先用二甲苯显影10±1秒，然后用乙酸丁脂定影8±1秒；
⑤坚膜：将定影后的衬底硅片在140-155℃烘箱中烘干30±1分钟；
⑥氧化层腐蚀：将坚膜的衬底硅片用体积比为NH4F：HF＝6：1的腐蚀液腐蚀10±1分钟；
⑦去胶：将氧化层腐蚀后的衬底硅片用体积比为H2SO4：H2O2＝3：1浸泡液浸泡10±1分钟去除光刻胶；
Z、清洗：将完成步骤Y的晶片放入体积比为HCl:H2O2:H2O＝1:1:5的清洗液在75±5℃清洗10分钟，清洗后的衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：张志向，邓春茂，
申请(专利权)人：天水天光半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：甘肃;62