【技术实现步骤摘要】
衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质
本专利技术涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。
技术介绍
在制造半导体器件的半导体制造装置中，需要提高生产率。为了实现提高生产率，对衬底均匀地进行处理来提高良品率。
技术实现思路
专利技术要解决的课题作为对衬底进行处理的装置，例如存在如专利文献1那样从衬底侧方供给气体的装置、或如专利文献2那样从衬底的上方供给气体的装置。在从衬底的上方供给气体的装置的情况下，气体与衬底表面直接碰撞。因此，例如在进行形成膜的处理的情况下，气体碰撞的部分的膜厚变厚等，由此可能无法对衬底面内均匀地进行处理。在从侧方供给气体的装置的情况下，由于气体不直接碰撞衬底，因此，上述部分变厚等问题不会发生。然而，对于气体而言，存在气体的状态从衬底的上游至下游发生变化的情况，若如此，则在衬底的上游侧和下游侧处，膜质可能变得不同。因此，本专利技术的目的在于，提供在从衬底的侧方供给气体的装置中，在衬底的上游侧和下游侧处实现均匀的膜质的技术。专利文献...
【技术保护点】
1.衬底处理装置，其具有：/n衬底载置部，其具有载置衬底的载置面；/n处理室，其对所述衬底进行处理；/n气体供给部，其设置于所述处理室的上游、向所述处理室供给气体；/n排气部，其设置于所述处理室的下游、将所述处理室的气氛进行排气；和/n倾斜部，其为所述处理室的一部分，并且在与所述衬底载置面相对的位置处、在从所述衬底载置面的上游侧至下游侧的范围内，所述倾斜部以没有凹凸、孔、且使得所述处理室的截面积逐渐减小的方式连续地构成。/n
【技术特征摘要】
20181129 JP 2018-2231881.衬底处理装置，其具有：
衬底载置部，其具有载置衬底的载置面；
处理室，其对所述衬底进行处理；
气体供给部，其设置于所述处理室的上游、向所述处理室供给气体；
排气部，其设置于所述处理室的下游、将所述处理室的气氛进行排气；和
倾斜部，其为所述处理室的一部分，并且在与所述衬底载置面相对的位置处、在从所述衬底载置面的上游侧至下游侧的范围内，所述倾斜部以没有凹凸、孔、且使得所述处理室的截面积逐渐减小的方式连续地构成。
2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述气体供给部的供给孔的高度位置构成为高于所述衬底载置部。
3.如权利要求2所述的衬底处理装置，其中，所述气体供给部具有从所述衬底的侧方供给原料气体的原料气体供给部、和从所述衬底的侧方供给与所述原料气体反应的反应气体的反应气体供给部。
4.如权利要求3所述的衬底处理装置，其中，所述气体供给部构成为使得气体的主流的着陆点被设定于所述衬底的面内。
5.如权利要求3所述的衬底处理装置，其中，所述反应气体以等离子体状态被供给至所述衬底上，从所述着陆点至所述衬底的下游端部的距离构成为使得所述等离子体不失活的距离。
6.如权利要求5所述的衬底处理装置，其中，
所述原料气体为易热分解的气体，
加热所述衬底的加热器沿所述衬底载置面设置于所述载置部。
7.如权利要求5所述的衬底处理装置，其中，所述气体供给部构成为使得气体的主流的着陆点被设定于所述衬底的面内。
8.如权利要求3所述的衬底处理装置，其中，所述原料气体为易热分解的气体，
加热所述衬底的加热器沿所述衬底载置面设置于所述载置部。
9.如权利要求8所述的衬底处理装置，其中，所述气体供给部构成为使得气体的主流的着陆点被设定于所述衬底的面内。
10.如权利要求2所述的衬底处理装置，其中，所述气体供给部构成为使得气体的主流的着陆点被设定于所述衬底的面内。
11.如权利要求3所述的衬底处理装置，其中，所述气体供给部具有从所述衬底的侧方供给原料气体的原料气体供给部、和从所述衬底的侧方供给与所述原料气体反应的反应气体的反应气体供给部。
12.如权利要求11所述的衬底处理装置，其中，...
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