衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。要解决的课题为，提供在从衬底的侧方供给气体的装置中，在衬底的上游侧和下游侧处实现均匀的膜质的技术。解决手段为衬底处理装置，其具有：衬底载置部，其具有载置衬底的载置面；处理室，其对所述衬底进行处理；气体供给部，其设置于所述处理室的上游、向所述处理室供给气体；排气部，其设置于所述处理室的下游、将所述处理室的气氛排气；和倾斜部，其为所述处理室的一部分，并且在与所述衬底载置面相对的位置处、在从所述衬底载置面的上游侧至下游侧的范围内，所述倾斜部以没有凹凸、孔、且使得所述处理室的截面积逐渐减小的方式连续地构成。

Substrate processing device, semiconductor device manufacturing method and recording medium

【技术实现步骤摘要】
衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质
本专利技术涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。
技术介绍
在制造半导体器件的半导体制造装置中，需要提高生产率。为了实现提高生产率，对衬底均匀地进行处理来提高良品率。
技术实现思路
专利技术要解决的课题作为对衬底进行处理的装置，例如存在如专利文献1那样从衬底侧方供给气体的装置、或如专利文献2那样从衬底的上方供给气体的装置。在从衬底的上方供给气体的装置的情况下，气体与衬底表面直接碰撞。因此，例如在进行形成膜的处理的情况下，气体碰撞的部分的膜厚变厚等，由此可能无法对衬底面内均匀地进行处理。在从侧方供给气体的装置的情况下，由于气体不直接碰撞衬底，因此，上述部分变厚等问题不会发生。然而，对于气体而言，存在气体的状态从衬底的上游至下游发生变化的情况，若如此，则在衬底的上游侧和下游侧处，膜质可能变得不同。因此，本专利技术的目的在于，提供在从衬底的侧方供给气体的装置中，在衬底的上游侧和下游侧处实现均匀的膜质的技术。专利文献1：日本特开2011-28340专利文献2：日本专利5961297用于解决课题的手段提供一种技术，其具有：衬底载置部，其具有载置衬底的载置面；处理室，对所述衬底进行处理；气体供给部，其设置于所述处理室的上游、向所述处理室供给气体；排气部，其设置于所述处理室的下游、将所述处理室的气氛排气；倾斜部，其为所述处理室的一部分，并且在与所述衬底载置面相对的位置处、在从所述衬底载置面的上游侧至下游侧的范围内，所述倾斜部以没有凹凸、孔、且使得所述处理室的截面积逐渐减小的方式连续地构成。专利技术效果在从衬底的侧方供给气体的装置中，能够在衬底的上游侧与下游侧实现均匀的膜质。附图说明图1：为说明衬底处理装置的说明图。图2：为说明衬底处理装置的说明图。图3：为说明衬底处理装置的说明图。图4：为说明气体的流动的说明图。图5：为气体的流速的模拟图。图6：为说明第一气体供给部的说明图。图7：为说明第二气体供给部的说明图。图8：为说明第三气体供给部的说明图。图9：为说明衬底处理装置的控制器的说明图。图10：为说明衬底处理流程的说明图。图11：为说明衬底的处理状态的说明图。图12：为说明衬底的处理状态的说明图。图13：为说明比较例中的衬底的处理状态的说明图。附图标记说明100衬底200衬底处理装置具体实施方式使用图1至图9，对供给气体从而处理衬底的衬底处理装置200的一例进行说明。图1为从横侧观察衬底处理装置200而得到的剖视图。图2为在图1的α-α线上、从上方观察衬底处理装置200而得到的剖视图。图3为在图1的β-β线上、从上方观察衬底处理装置200而得到的剖视图。图4为说明衬底处理装置200中的气流的说明图。图5为衬底处理装置200中的气体流速的模拟图。图6为说明第一气体供给部的说明图。图7为说明第二气体供给部的说明图。图8为说明第三气体供给部的说明图。图9为说明控制器的说明图。(腔室)如图1所记载的，衬底处理装置200具有腔室202。腔室202构成为密闭容器。另外，腔室202由例如铝(Al)、不锈钢(SUS)等金属材料构成。在腔室202内，形成有对硅晶片等衬底100进行处理的处理空间205、和当将衬底100向处理空间205搬送时供衬底100通过的搬送空间206。腔室202由上部容器202a和下部容器202b构成。在上部容器202a与下部容器202b之间设置有分隔板208。在下部容器202b的侧面，设置有与闸阀149邻接的衬底搬入搬出148，衬底100经由衬底搬入搬出口148而在下部容器与未图示的真空搬送室之间移动。在下部容器202b的底部，设置有多个提升销207。此外，下部容器202b接地。构成处理空间205的处理室201例如由后文所述的衬底载置台212和顶壁230构成。在处理空间205内，设置有支承衬底100的衬底载置部210。衬底载置部210主要具有：载置衬底100的衬底载置面211、在表面具有衬底载置面211的衬底载置台212、内置于衬底载置台212的作为加热源的加热器213。在衬底载置台212中，供提升销207贯通的贯通孔214分别设置于与提升销207对应的位置。在加热器213上，连接有对加热器213的温度进行控制的温度控制部220。衬底载置台212被轴217支承。轴217的支承部贯通设置于腔室202的底壁的孔、进一步经由支承板216而在腔室202的外部连接于升降部218。通过使升降部218工作从而使轴217及衬底载置台212升降，由此，能够使载置于衬底载置面211上的衬底100升降。需要说明的是，轴217下端部的周围被波纹管219覆盖。腔室202内被保持气密。升降部218主要具有：对轴217进行支承的支承轴218a；和使支承轴218a升降的工作部218b。在升降部218中，可以设置用于对工作部218b发出升降指示的指示部218e作为升降部218的一部分。指示部218电连接于控制器400。指示部218e基于控制器400的指示对工作部218b进行控制。如后文所述，工作部218以使得衬底载置台212向衬底搬送位置、衬底处理位置的位置移动的方式进行控制。对于衬底载置台212而言，当搬送衬底100时，衬底载置台212下降到衬底载置面211与衬底搬入搬出口148相对的位置，当对衬底100处理时，如图1所示，衬底载置台212到使得衬底100处于处理空间205内的处理位置。顶壁230被支承于分隔板208之上。顶壁230设置有具有倾斜面的倾斜部231。倾斜部231的倾斜面形成于与衬底载置面211相对的位置。需要说明的是，倾斜部231可以与顶壁230为一体的，但在加工上繁杂的情况下，也可以做成独立部件。在顶壁230的侧面，设置有第一气体供给孔235、第二气体供给孔236、第三气体供给孔237。将第一气体供给孔235、第二气体供给孔236、第三气体供给孔237概括起来称为气体供给孔232。这里，以将气体供给孔232(第一气体供给孔235、第二气体供给孔236、第三气体供给孔237)设于顶壁230的方式进行了说明，但只要是能够从处理室201的侧方供给气体的结构即可，例如，也可以设置独立于顶壁230的结构(例如供给孔232专用的区块(block))，在该结构中形成供给孔232、或在区块与顶壁230之间形成供给孔232。如图1所记载的，第一气体供给孔235、第二气体供给孔236、第三气体供给孔237被配置于高于衬底载置面211的位置。另外，上述供给孔被配置于相同高度。另一方面，如图2所记载的，在水平方向上，第一气体供给孔235、第二气体供给孔236、第三气体供给孔237以邻接的方式构成。第一气体供给孔235与后文所述的第一气体供给部240(管线A)连通。第二气体供给孔236与第二气本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.衬底处理装置，其具有：/n衬底载置部，其具有载置衬底的载置面；/n处理室，其对所述衬底进行处理；/n气体供给部，其设置于所述处理室的上游、向所述处理室供给气体；/n排气部，其设置于所述处理室的下游、将所述处理室的气氛进行排气；和/n倾斜部，其为所述处理室的一部分，并且在与所述衬底载置面相对的位置处、在从所述衬底载置面的上游侧至下游侧的范围内，所述倾斜部以没有凹凸、孔、且使得所述处理室的截面积逐渐减小的方式连续地构成。/n

【技术特征摘要】
20181129 JP 2018-2231881.衬底处理装置，其具有：
衬底载置部，其具有载置衬底的载置面；
处理室，其对所述衬底进行处理；
气体供给部，其设置于所述处理室的上游、向所述处理室供给气体；
排气部，其设置于所述处理室的下游、将所述处理室的气氛进行排气；和
倾斜部，其为所述处理室的一部分，并且在与所述衬底载置面相对的位置处、在从所述衬底载置面的上游侧至下游侧的范围内，所述倾斜部以没有凹凸、孔、且使得所述处理室的截面积逐渐减小的方式连续地构成。


2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述气体供给部的供给孔的高度位置构成为高于所述衬底载置部。


3.如权利要求2所述的衬底处理装置，其中，所述气体供给部具有从所述衬底的侧方供给原料气体的原料气体供给部、和从所述衬底的侧方供给与所述原料气体反应的反应气体的反应气体供给部。


4.如权利要求3所述的衬底处理装置，其中，所述气体供给部构成为使得气体的主流的着陆点被设定于所述衬底的面内。


5.如权利要求3所述的衬底处理装置，其中，所述反应气体以等离子体状态被供给至所述衬底上，从所述着陆点至所述衬底的下游端部的距离构成为使得所述等离子体不失活的距离。


6.如权利要求5所述的衬底处理装置，其中，
所述原料气体为易热分解的气体，
加热所述衬底的加热器沿所述衬底载置面设置于所述载置部。


7.如权利要求5所述的衬底处理装置，其中，所述气体供给部构成为使得气体的主流的着陆点被设定于所述衬底的面内。


8.如权利要求3所述的衬底处理装置，其中，所述原料气体为易热分解的气体，
加热所述衬底的加热器沿所述衬底载置面设置于所述载置部。


9.如权利要求8所述的衬底处理装置，其中，所述气体供给部构成为使得气体的主流的着陆点被设定于所述衬底的面内。


10.如权利要求2所述的衬底处理装置，其中，所述气体供给部构成为使得气体的主流的着陆点被设定于所述衬底的面内。


11.如权利要求3所述的衬底处理装置，其中，所述气体供给部具有从所述衬底的侧方供给原料气体的原料气体供给部、和从所述衬底的侧方供给与所述原料气体反应的反应气体的反应气体供给部。


12.如权利要求11所述的衬底处理装置，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：西堂周平，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本;JP