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本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。要解决的课题为，提供在从衬底的侧方供给气体的装置中，在衬底的上游侧和下游侧处实现均匀的膜质的技术。解决手段为衬底处理装置，其具有：衬底载置部，其具有载置衬底的载置面；处理室，其对所述衬...
该专利属于株式会社国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社国际电气授权不得商用。

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