一种8英寸铌酸锂晶片的制备方法技术

本发明专利技术涉及光电子材料技术领域，公开了一种8英寸铌酸锂晶片的制备方法，包括如下步骤：（1）切割及一次腐蚀：将8英寸铌酸锂晶体切割成晶片后放入腐蚀液中进行一次腐蚀；（2）还原黑化；（3）减薄及二次腐蚀：将还原黑化后的晶片双面减薄，清洗干净后再放入腐蚀液中进行二次腐蚀；（4）抛光；（5）三次腐蚀：将抛光后的晶片放入腐蚀液中进行三次腐蚀，清洗后得所述8英寸铌酸锂晶片。本发明专利技术采用三次腐蚀法解决了铌酸锂晶片内部应力变形严重及因此产生的晶片生产过程中容易碎裂的问题；抛光过程中采用多孔陶瓷盘吸附，解决了传统的贴蜡工艺引起的TTV不易控制的问题；加工过程中不用粘合剂，不接触有机物，晶片比较容易清洗。

A preparation method of 8-inch LiNbO 3 wafer

【技术实现步骤摘要】
一种8英寸铌酸锂晶片的制备方法
本专利技术涉及光电子材料
，尤其是涉及一种8英寸铌酸锂晶片的制备方法。
技术介绍
铌酸锂晶体作为一种非线性光学材料，应用范围很广，被称为是一种万能光电子材料，以其优良的非线性光学效应、电光效应、压电效应和光折变效应被广泛用于激光器的电光调Q元件、激光倍频器、光学开关、光参量放大器、高频宽带滤波器和超大容量存储器件、集成光学调制器等，在军事、民用领域有着广泛的用途，随着光电技术的发展，铌酸锂晶体在国防技术中的应用越来越受到重视。随着IT器件的半导体平面工艺的进一步集成、器件频率的进一步提高，不仅要求铌酸锂晶片在大尺寸高精度的平面工艺设备上流片，也希望晶片能适应因频率提高带来的指条变细，进而要求晶片具有低的热释电性，为了适应器件的低成本、高效率的生产需求，晶片积极的向着大尺寸、黑化等发展方向发展。传统的铌酸锂晶片的制备方法一般包括切割、研磨、抛光等步骤，例如，在中国专利文献上公开的“一种铌酸锂晶片的制作工艺”，其公告号CN106094106A，依次包括如下步骤：A、铌酸锂毛坯的处理，B、毛坯上盘本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种8英寸铌酸锂晶片的制备方法，其特征是，包括如下步骤：/n（1）切割及一次腐蚀：将8英寸铌酸锂晶体切割成晶片后放入腐蚀液中进行一次腐蚀；/n（2）还原黑化；/n（3）减薄及二次腐蚀：将还原黑化后的晶片双面减薄，清洗干净后再放入腐蚀液中进行二次腐蚀；/n（4）抛光；/n（5）三次腐蚀：将抛光后的晶片放入腐蚀液中进行三次腐蚀，清洗后得所述8英寸铌酸锂晶片。/n

【技术特征摘要】
1.一种8英寸铌酸锂晶片的制备方法，其特征是，包括如下步骤：
（1）切割及一次腐蚀：将8英寸铌酸锂晶体切割成晶片后放入腐蚀液中进行一次腐蚀；
（2）还原黑化；
（3）减薄及二次腐蚀：将还原黑化后的晶片双面减薄，清洗干净后再放入腐蚀液中进行二次腐蚀；
（4）抛光；
（5）三次腐蚀：将抛光后的晶片放入腐蚀液中进行三次腐蚀，清洗后得所述8英寸铌酸锂晶片。


2.根据权利要求1所述的一种8英寸铌酸锂晶片的制备方法，其特征是，步骤（1）、（3）、（5）中所述的腐蚀液为体积比为1：（1~2）的硝酸和氢氟酸。


3.根据权利要求1或2所述的一种8英寸铌酸锂晶片的制备方法，其特征是，步骤（1）中切割成的晶片厚度为0.55~0.6mm，用倒角机倒成C型边。


4.根据权利要求1或2所述的一种8英寸铌酸锂晶片的制备方法，其特征是，步骤（1）中一次腐蚀去除晶片质量2.8~3.2g。


5.根据权利要求1所述的一种8...

【专利技术属性】
技术研发人员：李春忠，吴皓，朱莉，
申请(专利权)人：德清晶辉光电科技股份有限公司，杭州雨晶电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33