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本发明涉及光电子材料技术领域，公开了一种8英寸铌酸锂晶片的制备方法，包括如下步骤：（1）切割及一次腐蚀：将8英寸铌酸锂晶体切割成晶片后放入腐蚀液中进行一次腐蚀；（2）还原黑化；（3）减薄及二次腐蚀：将还原黑化后的晶片双面减薄，清洗干净后再放...该专利属于德清晶辉光电科技股份有限公司;杭州雨晶电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德清晶辉光电科技股份有限公司;杭州雨晶电子科技有限公司授权不得商用。