一种大尺寸单晶硅片、电池及组件制造技术

本实用新型专利技术提供一种太阳电池用大尺寸单晶硅片，包括硅片本体，硅片本体包括多个圆弧部和多个直壁部，圆弧部与直壁部依次交替连接，多个圆弧部在同一圆上，直壁部的边距为172‑230mm，圆弧部的弧长投影为0.50‑20.90mm，硅片本体的晶面指数为(100)。本实用新型专利技术的有益效果是通过减少弧长投影长度，使硅片形成准正方，减少组件空白区域；增大硅片尺寸，提高单片发电功率，摊薄单瓦系统成本。

A large size single crystal silicon chip, battery and module

【技术实现步骤摘要】
一种大尺寸单晶硅片、电池及组件
本技术属于直拉单晶
，尤其是涉及一种大尺寸单晶硅片、电池及组件。
技术介绍
现有太阳电池用单晶硅片包括M2硅片(直径210mm，边距156.75mm)、M4硅片(直径211mm，边距161.7mm)、M6硅片(直径223mm，边距166mm)，这些单晶硅片制作成太阳能电池，然后电池组装成组件，一般由60片组装成一个太阳能电池组件板，由于硅片为假方片，片与片之间存在间隙，如图4所示，K区域为空白区，G区域为硅片区域。太阳光线照射到空白区域上是不能发电的，属于无效区域，这样空白区域越大，单位面积上发电量越小。因此应尽可能使硅片为正方片，这样组装起来的组件空白区域就会越小，单位面积发电量越大，进而提升组件功率。
技术实现思路
鉴于上述问题，本技术要解决的问题是提供一种大尺寸单晶硅片、电池及组件，通过减少弧长投影长度，减少组件空白区域，增加硅片尺寸，提高单片发电功率。为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是：一种太阳电池用大尺寸单晶硅片，包括硅片本体，硅片本体包括多个圆弧部和多个直壁部，圆弧部与直壁部依次交替连接，多个圆弧部在同一圆上，直壁部的边距为172-230mm，圆弧部的弧长投影为0.50-20.90mm，硅片本体的晶面指数为(100)。进一步的，直壁部的边距为190-200mm。进一步的，圆的直径为240-320mm。进一步的，直壁部的边长为167.38-222.49mm。进一步的，直壁部的晶向指数均为{100}。r>进一步的，直壁部的数量至少为四个。进一步的，圆的直径为245-281mm。进一步的，直壁部的边长为154.68-197.39mm。一种大尺寸单晶硅片电池，由上述的大尺寸单晶硅片制备而成。一种大尺寸单晶硅片电池组件，由上述的大尺寸单晶硅片电池组成。由于采用上述技术方案，通过减少弧长投影长度，使硅片形成准正方，减少组件空白区域；增大硅片尺寸，提高单片发电功率，摊薄单瓦系统成本；与常规硅片相比，能有效减少组件空白区域，提高单位面积发电量，增加组件功率；预留一定量的弧长投影，改善硅片边缘质量，减少崩损；与常规硅片相比，面积增加60％以上，有效增加的单片的发电量，降低了在制造端和电站端的单位成本；大硅片可以降低电池与组件端的单瓦生产成本；在电站端，大硅片组件可以提升组件功率，减少建设用地、支架、汇流箱、电缆等成本，降低物流运输、现场施工成本，从而摊薄单瓦系统成本。附图说明图1是本技术的一实施例的结构示意图；图2是图1的A部的放大图；图3是本技术的一实施例的硅片的晶向指数和晶面指数示意图；图4是现有技术中太阳电池组件结构示意图。图中：D、圆的直径H、弧长投影B、边长J、边距具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步的说明。图1-4示出了本技术一实施例的结构示意图，本实施例涉及一种太阳电池用大尺寸单晶硅片，用于制备太阳电池及太阳电池组件，与常规硅片相比，减少了弧长投影长度，有效减少组件空白区域，提高单位面积发电量，增加组件功率，同时改善硅片边缘质量，减少崩损。实施例一一种太阳电池用大尺寸单晶硅片，包括硅片本体，硅片本体包括多个圆弧部和多个直壁部，圆弧部与直壁部依次交替连接，即，圆弧部、直壁部、圆弧部、直壁部等多个圆弧部与多个直壁部依次交替连接，构成闭环，形成硅片的形状。直壁部的数量与圆弧部的数量一致，且直壁部的数量至少为四个，也就是，硅片的形状可以是四边形，也可以是六边形，或者是其他的多边形，根据实际需求进行选择，这里不做具体要求。圆弧部的数量为多个，多个圆弧部在同一圆上，该圆的直径D为240-320mm。上述的圆弧部的弧长投影H为0.5-20.90mm。上述的直壁部的边长B为167.38-222.49mm。上述的直壁部的边距J为172-230mm。增大硅片的尺寸，减少弧长投影长度，减少电池组件的空白区域，提高单位面积发电量，增加组件功率，可以降低电池与组件端的单瓦生产成本；同时，在电站端，大尺寸硅片组件可以提升组件功率，减少建设用地、支架、汇流箱、电缆等成本，降低物流运输、现场施工成本，从而摊薄单瓦系统成本。上述的直壁部的晶向指数均为{100}，也就是每一个直壁部的晶向指数均为{100}。同时，该硅片本体的晶面指数为(100)，在制作电池过程中，利用单晶硅的择优腐蚀性对该(100)面进行碱腐蚀，腐蚀后形成金字塔形貌，以利于光的折射吸收。一种大尺寸单晶硅片电池，由大尺寸单晶硅片制备而成，该电池可采用叠瓦技术进行制备，或者PERC技术进行制备，或者是采用其他的电池技术进行制备，根据实际需求进行选择，这里不做具体要求。一种大尺寸单晶硅片电池组件，由多个大尺寸单晶硅片电池组成，采用多个大尺寸单晶硅片电池组装成电池组件，该电池组件的空白区的面积根据硅片的弧长投影长度确定。实施例二一种太阳电池用大尺寸单晶硅片，包括硅片本体，硅片本体包括多个圆弧部和多个直壁部，圆弧部与直壁部依次交替连接，即，圆弧部、直壁部、圆弧部、直壁部等多个圆弧部与多个直壁部依次交替连接，构成闭环，形成硅片的形状。直壁部的数量与圆弧部的数量一致，且直壁部的数量至少为四个，也就是，硅片的形状可以是四边形，也可以是六边形，或者是其他的多边形，根据实际需求进行选择，这里不做具体要求。圆弧部的数量为多个，多个圆弧部在同一圆上，该圆的直径D为245-281mm，上述的圆弧部的弧长投影H为0.50-20.90mm，上述的直壁部的边长B为154.68-197.39mm，上述的直壁部的边距J为190-200mm。上述的直壁部的晶向指数均为{100}，也就是每一个直壁部的晶向指数均为{100}。同时，该硅片本体的晶面指数为(100)，在制作电池过程中，利用单晶硅的择优腐蚀性对该(100)面进行碱腐蚀，腐蚀后形成金字塔形貌，以利于光的折射吸收。一种大尺寸单晶硅片电池，由大尺寸单晶硅片制备而成，该电池可采用叠瓦技术进行制备，或者PERC技术进行制备，或者是采用其他的电池技术进行制备，根据实际需求进行选择，这里不做具体要求。一种大尺寸单晶硅片电池组件，由多个大尺寸单晶硅片电池组成，采用多个大尺寸单晶硅片电池组装成电池组件，该电池组件的空白区的面积根据硅片的弧长投影长度确定。实施例三一种太阳电池用大尺寸单晶硅片，包括硅片本体，硅片本体包括多个圆弧部和多个直壁部，圆弧部与直壁部依次交替连接，即，圆弧部、直壁部、圆弧部、直壁部等多个圆弧部与多个直壁部依次交替连接，构成闭环，形成硅片的形状。直壁部的数量与圆弧部的数量一致，且直壁部的数量至少为四个，也就是，硅片的形状可以是四边形，也可以是六边形，或者是其他的多边形，根据实际需求进本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳电池用大尺寸单晶硅片，包括硅片本体，其特征在于：所述硅片本体包括多个圆弧部和多个直壁部，所述圆弧部与所述直壁部依次交替连接，所述多个圆弧部在同一圆上，所述直壁部的边距为172-230mm，所述圆弧部的弧长投影为0.50-20.90mm，所述硅片本体的晶面指数为(100)。/n

【技术特征摘要】
1.一种太阳电池用大尺寸单晶硅片，包括硅片本体，其特征在于：所述硅片本体包括多个圆弧部和多个直壁部，所述圆弧部与所述直壁部依次交替连接，所述多个圆弧部在同一圆上，所述直壁部的边距为172-230mm，所述圆弧部的弧长投影为0.50-20.90mm，所述硅片本体的晶面指数为(100)。


2.根据权利要求1所述的太阳电池用大尺寸单晶硅片，其特征在于：所述直壁部的边距为190-200mm。


3.根据权利要求1或2所述的太阳电池用大尺寸单晶硅片，其特征在于：所述圆的直径为240-320mm。


4.根据权利要求3所述的太阳电池用大尺寸单晶硅片，其特征在于：所述直壁部的边长为167.38-222.49mm。


5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：李建弘，郭俊文，危晨，刘晓伟，赵越，范猛，张雪囡，张海鹏，沈浩平，
申请(专利权)人：天津市环智新能源技术有限公司，
类型：新型
国别省市：天津;12