摄像器件和电子设备制造技术

本技术涉及能够抑制暗电流的摄像器件和电子设备。它们包括：被构造成执行光电转换的光电转换单元；在半导体基板中挖出的沟槽；在所述沟槽的侧壁上由氧化物膜、氮膜和氧化物膜构成的负固定电荷膜；以及形成在所述固定电荷膜内的电极膜。用于构成所述固定电荷膜的所述氧化物膜包括SiO(一氧化硅)，用于构成所述固定电荷膜的所述氮膜包括SiN(氮化硅)。用于构成所述固定电荷膜的所述氮膜也可以包括多晶硅膜或高k膜(高介电常数膜)。本技术可以应用于例如背面照射型CMOS图像传感器。

Camera and electronic equipment

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摄像器件和电子设备
本技术涉及摄像器件和电子设备，并且特别地涉及能够抑制暗电流的摄像器件和电子设备。
技术介绍
配备于固态摄像装置中的互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器通常包括与各个像素对应设置着的例如光电二极管和晶体管等器件。此外，作为CMOS图像传感器，已经提出了以下两种构造(请参考专利文献1)：在一种构造中，包括位于各个像素之间的用于将相邻的像素电气隔离的深沟槽隔离部(DTI：deeptrenchisolation)，而在另一种构造中，包括将像素中带电的静电传导到像素外部的子接点(sub-contact)。如果各个像素都设置有DTI和子接点，则各个像素中的器件形成面积就减小了。曾经提出了一种促使各个像素中的器件形成面积增大且将像素中带电的静电排出到像素外部的构造(请参考专利文献2)。专利文献2中的固态摄像装置被构造成包括：光电二极管；像素隔离部；导电性构件；以及绝缘膜，其覆盖着该导电性构件的除了该导电性构件的另一表面侧上的一部分之外的周向表面。该导电性构件的端部连接至接地。引用文献列表<br>专利文献...

【技术保护点】
1.摄像器件，包括：/n被构造成执行光电转换的光电转换单元；/n在半导体基板中挖出的沟槽；/n在所述沟槽的侧壁上由氧化物膜、氮膜和氧化物膜构成的负固定电荷膜；和/n在所述固定电荷膜内形成的电极膜。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171109 JP 2017-2160761.摄像器件，包括：
被构造成执行光电转换的光电转换单元；
在半导体基板中挖出的沟槽；
在所述沟槽的侧壁上由氧化物膜、氮膜和氧化物膜构成的负固定电荷膜；和
在所述固定电荷膜内形成的电极膜。


2.根据权利要求1所述的摄像器件，
其中，用于构成所述固定电荷膜的所述氧化物膜包括一氧化硅(SiO)，并且用于构成所述固定电荷膜的所述氮膜包括氮化硅(SiN)。


3.根据权利要求1所述的摄像器件，
其中，用于构成所述固定电荷膜的所述氮膜包括多晶硅膜或高介电常数膜(高k膜)。


4.根据权利要求1所述的摄像器件，
其中，用于构成所述固定电荷膜的所述氮膜包括使用如下任何一种材料的膜：氮化硅、铪、锆、铝、钽、钛、镁、钇、镧系元素。


5.根据权利要求1所述的摄像器件，还包括：
与施加电压的电源连接的配线；...

【专利技术属性】
技术研发人员：平松克规，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP