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本技术涉及能够抑制暗电流的摄像器件和电子设备。它们包括：被构造成执行光电转换的光电转换单元；在半导体基板中挖出的沟槽；在所述沟槽的侧壁上由氧化物膜、氮膜和氧化物膜构成的负固定电荷膜；以及形成在所述固定电荷膜内的电极膜。用于构成所述固定电荷膜...
该专利属于索尼半导体解决方案公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼半导体解决方案公司授权不得商用。

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