【技术实现步骤摘要】
一种锯齿状电极及提高纳米紫外探测器性能的方法
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种锯齿状电极及提高纳米紫外探测器性能的方法。
技术介绍
紫外探测器是环境监控、紫外通讯、生命科学、导弹制导、预警等领域不可或缺的器件之一。采用纳米结构的材料可以极大的提升器件的性能。目前，对紫外探测器的研究大部分集中在探测器的材料和性能方面。以第三代宽禁带半导体材料ZnO为例，已有利用电子束光刻技术沉积电子触点的方法制备单根ZnO纳米线紫外探测器的研究，对比王怡等人制备的未掺杂MSM型氧化锌薄膜紫外探测器，单根ZnO纳米线紫外探测器的增益提高103，响应速度提高4倍以上，表明ZnO纳米线在紫外探测方面具有非常大的潜力。为了构建特殊尺寸、特殊图形的精密纳米器件，通常需要结合自上而下(Top-Down)和自下而上(Bottom-up)的纳米技术方法来实现，自上而下的纳米技术方法通过电子束曝光刻蚀等方法制备纳米结构，但电子束效率非常低，不适用于大规模产业化生产；对于自下而上的纳米技术方法，是在已有的微米甚至毫米结构的电极上制备纳米结构，制备的方...
【技术保护点】
1.一种锯齿状电极，其特征在于，所述锯齿状电极的形状由两个对称设置的图形组成；/n所述图形由长方形和多个等腰梯形组成，每个所述等腰梯形的上底边长度均小于下底边长度，每个所述等腰梯形的下底边均与所述长方形的同一条长边相接，相邻两个所述等腰梯形的中心线之间的距离等于所述等腰梯形的高；/n两个所述图形相对的一边为多个所述等腰梯形所在的一边；所述等腰梯形的等腰边和上底边用于生长纳米线；两个所述图形相对的一边对称的两个等腰梯形上底边生长的纳米线形成桥接。/n
【技术特征摘要】
1.一种锯齿状电极，其特征在于，所述锯齿状电极的形状由两个对称设置的图形组成；
所述图形由长方形和多个等腰梯形组成，每个所述等腰梯形的上底边长度均小于下底边长度，每个所述等腰梯形的下底边均与所述长方形的同一条长边相接，相邻两个所述等腰梯形的中心线之间的距离等于所述等腰梯形的高；
两个所述图形相对的一边为多个所述等腰梯形所在的一边；所述等腰梯形的等腰边和上底边用于生长纳米线；两个所述图形相对的一边对称的两个等腰梯形上底边生长的纳米线形成桥接。
2.根据权利要求1所述的锯齿状电极，其特征在于，所述锯齿状电极包括：电极衬底、种子层和复合电极层；
所述种子层设置在所述电极衬底上；
所述复合电极层包括：钛电极层和金电极层；
所述钛电极层设置在所述种子层上，所述金电极层设置在所述钛电极层上。
3.根据权利要求1所述的锯齿状电极，其特征在于，所述等腰梯形的上底边长度为2微米～10微米，下底边长度为5微米～25微米，高为5微米～25微米；相邻两个所述等腰梯形的中心线之间的距离为5微米～25微米。
4.根据权利要求2所述的锯齿状电极，其特征在于，所述种子层的厚度为50纳米～400纳米；所述钛电极层的厚度为15纳米～40纳米，所述金电极层的厚度为50纳米～400纳米。
5.一种提高纳米紫外探测器性能的方法，其特征在于，包括：
制备锯齿状电极；所述锯齿状电极的形状由两个对称设置的图形组成；所述图形由长方形和多个等腰梯形组成，每个所述等腰梯形的上底边长度均小于下底边长度，每个所述等腰梯形的下底边均与所述长方形的同一条长边相接，相邻两个所述等腰梯形的中心线之间的距离等于所述等腰梯形的高；两个所述图形相对的一边为多个所述等腰梯形所在的一边；所述等腰梯形的等腰边和上底边用于生长纳米线；两个所述图形相对的一边对称的两个等腰梯形上底边生长的纳米线形成桥接；所述锯齿状电极包括：电极衬底、种子层和复合电极层；所述种子层设置在所述电极衬底上；所述复合电极层包括：钛电极层和金电极层；所述钛电极层设置在所述种子层上，所述金电极层设置在所述钛电极层上；
采用水热法使所述锯齿状电极的所述种子层生长纳米线；所述种子层的等腰梯形的等腰边和上底边生长纳米线，两个所述图形...
【专利技术属性】
技术研发人员：高志远，陆利伟，赵立欢，邹德恕，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：北京;11
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