一种太阳能电池片制造技术

本实用新型专利技术提供了一种太阳能电池片，该太阳能电池片包括：硅片，该硅片包括上表面和下表面分别与硅片的正面和背面齐平的第一区、以及环绕该第一区的第二区；钝化层，该钝化层形成于硅片的背面；背电场，该背电场包括主体部和延伸部，其中，主体部环绕硅片的侧壁以及钝化层的侧壁设置，延伸部从主体部的底部延伸至钝化层的表面；正面电极，该正面电极形成于硅片的正面与第一区形成欧姆接触，又或者该正面电极形成于硅片的背面透过钝化层与第一区形成欧姆接触；背面电极，该背面电极形成于背电场的延伸部上。本实用新型专利技术所提供的太阳能电池片具有隐裂风险低、抗剪切能力高、工艺简单、成本低的特点。

A solar cell

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池片
本技术涉及光伏
，尤其涉及一种太阳能电池片。
技术介绍
现有技术中，常见的太阳能电池片呈层式结构，即从上至下依次包括正面电极、硅片、钝化层、背电场以及背面电极，其中，硅片从上至下又依次包括P区和N区(或N区和P区)。层式结构的缺点在于：(1)受到外力容易分层，(2)容易裂纹扩展。也就是说，现有的太阳能电池片的抗剪切能力较差。
技术实现思路
为了克服现有技术中的上述缺陷，本技术提供了一种太阳能电池片，该太阳能电池片包括：硅片，该硅片包括上表面和下表面分别与所述硅片的正面和背面齐平的第一区、以及环绕该第一区的第二区，其中，所述第一区是N区所述第二区是P区、或所述第一区是P区所述第二区是N区；钝化层，该钝化层形成于所述硅片的背面；背电场，该背电场包括主体部和延伸部，其中，所述主体部环绕所述硅片的侧壁以及所述钝化层的侧壁设置，所述延伸部从所述主体部的底部延伸至所述钝化层的表面；正面电极，该正面电极形成于所述硅片的正面与所述第一区形成欧姆接触，又或者该正面电极形成于所述硅片的背面透过所述钝化层与所述第一区形成欧姆接触；背面电极，该背面电极形成于所述背电场的所述延伸部上。根据本技术的一个方面，在该太阳能电池片中，所述硅片和所述第一区均呈正方形形状，所述第二区呈正方形环形状。根据本技术的另一个方面，在该太阳能电池片中，所述硅片和所述第一区的形状相同且同心设置。根据本技术的又一个方面，在该太阳能电池片中，所述正方形环的环体宽度是硅片边长的1％至9％。根据本技术的又一个方面，在该太阳能电池片中，所述钝化层的厚度是硅片厚度的0.1％至1％。根据本技术的又一个方面，在该太阳能电池片中，所述延伸部中延伸至所述钝化层表面的部分位于所述第二区的下方。根据本技术的又一个方面，在该太阳能电池片中，所述背电场的厚度是硅片边长的0.5％至1％。根据本技术的又一个方面，所述太阳能电池片还包括绒面结构，该绒面结构形成于所述硅片的正面。根据本技术的又一个方面，所述太阳能电池片还包括结合层，该结合层填充在所述背电场的延伸部与所述钝化层所形成的凹槽内；所述正面电极透过所述结合层以及所述钝化层与所述第一区形成欧姆接触。根据本技术的又一个方面，在该太阳能电池片中，所述结合层的材料是EVA、POE或PVB。本技术所提供的太阳能电池片包括硅片、钝化层、背电场、正面电极以及背面电极，其中，硅片进一步包括第一区以及环绕第一区设置的第二区(第一区为N区第二区为P区、或第一区为P区第二区为N区)，钝化层形成于硅片的背面，背电场中的主体部环绕硅片的侧壁以及钝化层的侧壁设置、延伸部则从主体部的底部延伸至钝化层的表面，正面电极设置在硅片正面与第一区形成欧姆接触、又或者设置在硅片背面透过钝化层与第一区形成欧姆接触，背面电极形成于背电场的延伸部上。相较于现有技术中层式结构的太阳能电池片，本技术所提供的太阳能电池片中的硅片、钝化层以及背电场构成环式结构，位于环式结构最外层的的背电场可以很好地对位于其内侧的结构进行保护，从而可以有效地提高太阳能电池片的抗剪切能力。此外，针对于正面电极和背面电极形成于太阳能电池片同一侧(即太阳能电池片背面)的设计方式，一方面便于太阳能电池片之间的连接，可以有效地降低太阳能电池片的隐裂风险，从而降低电极断路的风险，另一方面，便于同时丝网印刷形成正面电极和背面电极，有利于减少电池片的制造步骤，从而降低生产成本。附图说明通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1和图2分别是根据本技术的一个具体实施例的太阳能电池片中硅片的立体结构示意图和俯视结构示意图；图3至图5分别是根据本技术的一个具体实施例的太阳能电池片的剖面结构示意图、俯视结构示意图以及仰视结构示意图；图6至图8分别是根据本技术的另一个具体实施例的太阳能电池片的剖面结构示意图、俯视结构示意图以及仰视结构示意图；图9是根据本技术的又一个具体实施例的太阳能电池片的剖面结构示意图；图10是根据本技术的又一个具体实施例的太阳能电池片的剖面结构示意图。附图中相同或相似的附图标记代表相同或相似的部件。具体实施方式为了更好地理解和阐释本技术，下面将结合附图对本技术作进一步的详细描述。本技术提供了一种太阳能电池片，该太阳能电池片包括：硅片，该硅片包括上表面和下表面分别与所述硅片的正面和背面齐平的第一区、以及环绕该第一区的第二区，其中，所述第一区是N区所述第二区是P区、或所述第一区是P区所述第二区是N区；钝化层，该钝化层形成于所述硅片的背面；背电场，该背电场包括主体部和延伸部，其中，所述主体部环绕所述硅片的侧壁以及所述钝化层的侧壁设置，所述延伸部从所述主体部的底部延伸至所述钝化层的表面；正面电极，该正面电极形成于所述硅片的正面与所述第一区形成欧姆接触，又或者该正面电极形成于所述硅片的背面透过所述钝化层与所述第一区形成欧姆接触；背面电极，该背面电极形成于所述背电场的所述延伸部上。下面，将结合图1至图8对上述太阳能电池片的各个构成部分进行详细说明。具体地，如图1和图2所示，本技术所提供的太阳能电池片包括硅片。本技术对于硅片的类型并没有任何限定，可以是单晶硅、多晶硅等，凡是适用于形成太阳能电池的硅片均包括在本技术的保护范围内。在本实施例中，硅片的厚度范围是180μm至200μm。进一步地，如图所示，硅片包括掺杂类型相反的第一区101和第二区102。其中，第一区101位于硅片的中间区域，其上表面和下表面分别与硅片的正面和背面齐平；第二区102则位于硅片的外侧周边区域，对第一区102形成环绕。第一区101和第二区102的交界面处形成PN结。在本实施例中，第一区101是N区(即掺杂了例如磷等五价元素的区域)，第二区102是P区(即掺杂了例如硼等三价元素的区域)。在其他实施例中，第一区101也可以是P区，相应地第二区102是N区。优选地，硅片和第一区的形状相同且同心设置，第二区呈环形形状，该环形形状沿环向宽度相同。在本实施例中，硅片和第一区101均呈正方形形状，第二区102呈正方形环形状，其中，该正方形环的环体宽度(图2中以W1表示)优选是硅片边长的1％至9％。本领域技术人员应该可以理解的是，硅片、第一区以及第二区的形状并不仅仅限于上述正方形形状以及正方形环形状，在其他实施例中，硅片、第一区、第二区还可以根据实际需求来确定，例如第一区还可以设计为圆形、长方向、三角形等，为了简明起见，在此不再对硅片、第一区以及第二区所有可能的形状进行一一列举。优选地，硅片的正面还形成有绒面结构(未示出)。如图3和图6所示，本技术所提供的太阳能电池片还包括钝化层103，该钝化层103形成于硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池片，该太阳能电池片包括：/n硅片，该硅片包括上表面和下表面分别与所述硅片的正面和背面齐平的第一区、以及环绕该第一区的第二区，其中，所述第一区是N区所述第二区是P区、或所述第一区是P区所述第二区是N区；/n钝化层，该钝化层形成于所述硅片的背面；/n背电场，该背电场包括主体部和延伸部，其中，所述主体部环绕所述硅片的侧壁以及所述钝化层的侧壁设置，所述延伸部从所述主体部的底部延伸至所述钝化层的表面；/n正面电极，该正面电极形成于所述硅片的正面与所述第一区形成欧姆接触，又或者该正面电极形成于所述硅片的背面透过所述钝化层与所述第一区形成欧姆接触；/n背面电极，该背面电极形成于所述背电场的所述延伸部上。/n

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池片，该太阳能电池片包括：
硅片，该硅片包括上表面和下表面分别与所述硅片的正面和背面齐平的第一区、以及环绕该第一区的第二区，其中，所述第一区是N区所述第二区是P区、或所述第一区是P区所述第二区是N区；
钝化层，该钝化层形成于所述硅片的背面；
背电场，该背电场包括主体部和延伸部，其中，所述主体部环绕所述硅片的侧壁以及所述钝化层的侧壁设置，所述延伸部从所述主体部的底部延伸至所述钝化层的表面；
正面电极，该正面电极形成于所述硅片的正面与所述第一区形成欧姆接触，又或者该正面电极形成于所述硅片的背面透过所述钝化层与所述第一区形成欧姆接触；
背面电极，该背面电极形成于所述背电场的所述延伸部上。


2.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述硅片和所述第一区的形状相同且同心设置。


3.根据权利要求2所述的太阳能电池片，其特征在于：
所述硅片和所述第一区均呈正方形形状，所述第二区呈正方形环形状。


4.根据权利要求3所述的太阳能电池...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈创修，任通，李科庆，李春阳，罗易，周承军，陆川，
申请(专利权)人：浙江正泰新能源开发有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33