一种MWT太阳电池背电场结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种MWT太阳电池背电场结构，包括从上到下依次叠加的正面氮化硅膜、二氧化硅膜、PN结、硅片、三氧化二铝膜和背面氮化硅膜，硅片正面设有正电极银栅线和贯穿孔电极正面，背面设有全铝背场、贯穿孔电极背面和均匀分布的背电极，全铝背场上设有铝栅线背场，铝栅线背场与背面贯穿孔电极之间设有贯穿孔隔离槽。一种MWT太阳电池背电场制造方法，包括以下步骤：激光打孔；制绒；扩散；掩膜印刷；刻蚀；退火；镀膜；背面激光开槽；丝网印刷；烧结。在MWT电池背面开创了全铝背场与铝栅线相结合设计的方式，在不影响转换效率的同时，降低了Al金属浆料的消耗，极大避免Al金属粉末残留影响贯穿孔电极，保证了MWT太阳电池的安全高效地持续运行。

Back electric field structure and manufacturing method of MWT solar cell

【技术实现步骤摘要】
一种MWT太阳电池背电场结构及其制造方法
本专利技术涉及太阳能电池
，尤其涉及一种MWT太阳电池背电场结构及其制造方法。
技术介绍
有资料显示，让晶硅太阳能电池达到更高转换效率的同时降低生产成本，是光伏产业一直所面临的技术挑战。根据晶硅太阳电池的基础结构和工作过程分析，影响晶硅太阳电池转换效率的技术因素包括三个方面：1、吸收过程的光学损失，简称光学损失；2、光转换过程的光激发电子空穴对的复合，简称复合损失；3、电流输出过程的损耗，简称电学损失。其中光学损失的影响因素包括太阳电池浅表面反射损失、长波段的非吸收损失和接触栅线的阴影损失，而接触栅线的阴影损失是由于电池的正面栅线电极所覆盖，由此遮蔽阳光而造成一部分光学损失，普通晶硅电池由于正表面存在主栅线和副栅线，遮光面积一般在7％左右。MWT电池是金属穿孔卷绕(metallizationwrap-through,MWT)硅太阳能电池的简称，它的特点是将电池正面收集的电子通过空洞中填充的金属转移至电池背面(简称贯穿孔电极)，它无需在电池正面制作主栅，因此电池表面就有更大的面积来收集光子并将它转化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MWT太阳电池背电场结构，包括从上到下依次叠加的正面氮化硅膜(4)、二氧化硅膜(3)、PN结(2)、硅片(1)、三氧化二铝膜(7)和背面氮化硅膜(8)，所述硅片(1)正面设有正电极银栅线(5)和贯穿孔电极正面(6)，背面设有全铝背场(9)、贯穿孔电极背面(11)和均匀分布的背电极(12)，其特征在于，所述全铝背场(9)上设有铝栅线背场(91)，所述铝栅线背场(91)与背面贯穿孔电极(11)之间设有贯穿孔隔离槽(10)。/n

【技术特征摘要】
1.一种MWT太阳电池背电场结构，包括从上到下依次叠加的正面氮化硅膜(4)、二氧化硅膜(3)、PN结(2)、硅片(1)、三氧化二铝膜(7)和背面氮化硅膜(8)，所述硅片(1)正面设有正电极银栅线(5)和贯穿孔电极正面(6)，背面设有全铝背场(9)、贯穿孔电极背面(11)和均匀分布的背电极(12)，其特征在于，所述全铝背场(9)上设有铝栅线背场(91)，所述铝栅线背场(91)与背面贯穿孔电极(11)之间设有贯穿孔隔离槽(10)。


2.根据权利要求1所述的一种MWT太阳电池背电场制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)激光打孔：利用激光的热效应在硅片(1)上开孔；
(2)制绒：通过双氧水溶液、氢氧化钠或氢氧化钾溶液、氢氟酸与盐酸混合溶液依次对硅片(1)表面进行清洗；
(3)扩散：在高温扩散炉中通入三氯氧磷、氧气、氮气在硅片表面制PN结(2)；
(4)掩膜印刷：在激光开孔上采用石蜡掩膜，开孔处形成保护层；
(5)刻蚀：利用碱溶液、二乙二醇丁醚溶液去除硅片(1)表面的PSG、石蜡掩膜物；
(6)退火：将硅片(1)背靠背置于石英舟里，在高温氧化炉中通入氧气、氮气，表面生产二氧化硅膜(3)；
(7)镀膜：硅片(1)背面依次镀三氧化二铝膜(7)和背面氮化硅膜(8)，硅片(1)正面镀正面氮化硅膜(4)；
(8)背面激光开槽：利用激光在硅片(1)背面刻线，刻线区域不包括贯穿孔隔离槽(10)和背电极(12)；
(9)丝网印刷：对硅片(1)依次进行背电极(12)、贯穿孔电极、背场和正电极银栅线(5)印刷，所述背场分为全铝背场(9)和铝栅线背场(91)；
(10)烧结。


3.根据权利要求2所述的一种MWT太阳电池背电场制造方法，其特征在于，所述步骤(1)在硅片(1)上开孔20个-50个，硅片(1)正面孔径120um-360um，硅片(1)背面孔径100um-260um。


4.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎剑骑，孙涌涛，许成德，王富强，楼诚侃，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33