【技术实现步骤摘要】
一种基于忆阻器阵列的紫外光辐射累积测量电路
本专利技术属于紫外光辐射累积测量
，具体涉及一种基于忆阻器阵列的紫外光辐射累积测量电路。
技术介绍
紫外辐射(ultravioletradiation)是指波长小于可见辐射波长的光学辐射，对于紫外辐射，通常将100～400nm之间的光谱分为：UVA波段(315～400nm)；UVB波段(280～315nm)；UVC波段(100～280nm)而紫外光辐射累积测量电路是一种能够测量物体在一定时间段内，在紫外光辐射的一次连续照射下或多次反复照射所受到的总的紫外辐射剂量的测量电路。但是目前紫外光辐射累积测量电路存在着一些不足，因为紫外辐射的测量比较复杂，环境的不同导致最终的紫外辐射累积测量的电路也有所不同。目前存在以下几个缺点：大部分紫外探测器测量都是一次性的，然后还需要通过单片机等处理才能完成测量检测。但是紫外辐射会因为天气、温度等非人为因素造成测量时辐射强度会不停地变化，在后续的累积测量的时候会造成测量数据不稳定，在复杂环境情况下，虽然可以测量出紫外光辐射累积剂量，但是测...
【技术保护点】
1.一种基于忆阻器阵列的紫外光辐射累积测量电路，其特征在于，包括紫外光接收模块、忆阻器放大模块、测量开关S1、忆阻器阵列模块、忆阻器复位模块和忆阻器误差调理模块；其中：/n所述紫外光接收模块的输出端连接忆阻器放大模块的输入端，忆阻器放大模块的输出端连接测量开关S1，开关S1的另一端分别连接忆阻器阵列模块和忆阻器组织复位模块的输入端，忆阻器阵列模块的输出端与忆阻器复位模块的输出端连接，再与忆阻器误差调理模块的输入端连接；/n所述紫外光接收模块包括偏置电压V1、保护电阻R1、雪崩二极管APD和紫外偏振片；其中：偏置电压V1的输出端连接保护电阻R1，保护电阻R1的另一端连接雪崩二...
【技术特征摘要】
1.一种基于忆阻器阵列的紫外光辐射累积测量电路，其特征在于，包括紫外光接收模块、忆阻器放大模块、测量开关S1、忆阻器阵列模块、忆阻器复位模块和忆阻器误差调理模块；其中：
所述紫外光接收模块的输出端连接忆阻器放大模块的输入端，忆阻器放大模块的输出端连接测量开关S1，开关S1的另一端分别连接忆阻器阵列模块和忆阻器组织复位模块的输入端，忆阻器阵列模块的输出端与忆阻器复位模块的输出端连接，再与忆阻器误差调理模块的输入端连接；
所述紫外光接收模块包括偏置电压V1、保护电阻R1、雪崩二极管APD和紫外偏振片；其中：偏置电压V1的输出端连接保护电阻R1，保护电阻R1的另一端连接雪崩二极管APD，紫外偏振片覆在雪崩二极管表面，雪崩二极管的输出端连接忆阻器放大模块的输入端。
2.如权利要求1所述的基于忆阻器阵列的紫外光辐射累积测量电路，其特征在于，所述忆阻器放大模块包括远算放大器A1、忆阻器Ms1、忆阻器Ms2、电阻R2、电容C1和运算放大器A1正供电电源VCC1和负供电电源VCC2；其中：
所述运算放大器A1的反相端与紫外光接收模块中的雪崩二极管输出端连接，运算放大器A1的反相端同时与忆阻器Ms1非参杂端连接和电容C1连接，忆阻器Ms1参杂端与忆阻器Ms2参杂端连接，电容C1的另一端以及忆阻器Ms2的非参杂端均与运算放大器A1的输出端连接，运算放大器A1的同相端与电阻R2连接，电阻R2的另一端接地，运算放大器A1的输出端与测量开关S1连接。
3.如权利要求1所述的基于忆阻器阵列的紫外光辐射累积测量电路，其特征在于，所述忆阻器阵列模块包括n个忆阻器阵列块，其中n为大于等于2且小于等于8的自然数；每个忆阻器阵列块都包括m个反向并联忆阻器和m个正向并联忆阻器，其中m为大于等于2且小于等于10的自然数；这m个反向并联忆阻器的非参杂端都与m个正向并联忆阻器的非参杂端连接；第1个忆阻器阵列块中的m个反向并联忆阻...
【专利技术属性】
技术研发人员：文常保，高南，刘维宇，全思，茹锋，李演明，王飚，巨永锋，
申请(专利权)人：长安大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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