柔性基底上低温沉积光学性能可调氮化硅的方法技术

本发明专利技术提供一种柔性基底上低温沉积光学性能可调氮化硅的方法，包括提供衬底，并在所述衬底上形成柔性基底；通过电感耦合等离子体化学气相沉积法在所述柔性基底上沉积光学可调的氮化硅薄膜，其中沉积温度为25‑150℃，并通入反应载气，所述反应载气包括硅气源和氮气源，所述氮气源和所述硅气源流量比为0.5‑16，所述氮化硅薄膜厚度为30nm‑1000nm；采用物理机械或化学方法将所述柔性基底从所述衬底上剥离；具有有益效果：在柔性基底上低温沉积光学性能可调的氮化硅薄膜，不会软化或熔融柔性基底，通过调整的氮气源和硅气源流量比获得不同折射率的氮化硅薄膜，可应用于可见光波段低损耗波导，扩展以氮化硅为光学器件材料应用的范围和形式。

Low temperature deposition of silicon nitride on flexible substrate

【技术实现步骤摘要】
柔性基底上低温沉积光学性能可调氮化硅的方法
本专利技术涉及一种在柔性基底上低温沉积光学性能可调氮化硅的方法。
技术介绍
氮化硅作为一种非晶材料，广泛应用于各种领域。氮化硅薄膜具有耐磨性好、机械强度高、绝缘性好并能够抗碱金属离子、水汽的侵蚀的技术性能而被广泛用于半导体器件的钝化层、介质层及微结构器件的结构支撑层。其次，通过调整沉积氮化硅薄膜过程反应气体如氨气和硅烷的流量比，可改变氮化硅薄膜的光学特性，实现了氮化硅作为光波导在硅光子领域及氮化硅作为发光材料方面的应用。因此，针对氮化硅不同的应用方向，分别开发出了一套氮化硅薄膜沉积工艺，其沉积工艺也日趋成熟。目前，氮化硅薄膜的沉积方法主要有低压化学气相沉积(LPCVD)与等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。对于LPCVD沉积方法而言，其沉积温度要高于700℃，这在一定程度上限制了LPCVD沉积氮化硅的应用范围，例如在IC后道工艺、基于氮化硅光波导的硅光子与IC集成等方面是无法使用低压化学气相沉积的。而采用PECVD沉积氮化硅薄膜的温度范围为200℃-400℃，要低于LPCVD沉积温度，这为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.柔性基底上低温沉积光学性能可调氮化硅的方法，包括：，/n步骤100：提供衬底，并在所述衬底上形成柔性基底；/n步骤200：通过电感耦合等离子体化学气相沉积法在所述柔性基底上沉积光学可调的氮化硅薄膜；/n步骤300：采用物理机械或化学方法将所述柔性基底从所述衬底上剥离；/n其特征在于；/n步骤200中，沉积温度为25-150℃，并通入反应载气，所述反应载气包括硅气源和氮气源，所述氮气源和所述硅气源流量比为0.5-16，所述氮化硅薄膜厚度为30nm-1000nm。/n

【技术特征摘要】
1.柔性基底上低温沉积光学性能可调氮化硅的方法，包括：，
步骤100：提供衬底，并在所述衬底上形成柔性基底；
步骤200：通过电感耦合等离子体化学气相沉积法在所述柔性基底上沉积光学可调的氮化硅薄膜；
步骤300：采用物理机械或化学方法将所述柔性基底从所述衬底上剥离；
其特征在于；
步骤200中，沉积温度为25-150℃，并通入反应载气，所述反应载气包括硅气源和氮气源，所述氮气源和所述硅气源流量比为0.5-16，所述氮化硅薄膜厚度为30nm-1000nm。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化硅薄膜的折射率为1.75-2.2。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述柔性基底是高分子聚合材料。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤100中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈昌，刘博，豆传国，崔虎山，徐开东，
申请(专利权)人：上海新微技术研发中心有限公司，江苏鲁汶仪器有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31