沉积方法及互连结构技术

本公开涉及沉积方法及互连结构，本公开实施例提供含铝层及形成含铝层的系统及方法。在一实施例中，一种沉积方法，包括：通过原子层沉积在一腔室中的一基板上沉积一含铝层，其中沉积的操作还包括：在具有一第一峰值脉冲流率及一第一脉冲宽度的一第一脉冲中使基板与一含铝前驱物接触、使基板与一含氮前驱物接触、在具有一第二峰值脉冲流率及一第二脉冲宽度的一第二脉冲中使基板与前述含铝前驱物接触、以及使基板与前述含氮前驱物接触。第一峰值脉冲流率大于第二峰值脉冲流率。第一脉冲宽度小于第二脉冲宽度。

Deposition method and interconnection structure

【技术实现步骤摘要】
沉积方法及互连结构
本公开涉及一种沉积方法，特别涉及一种原子层沉积方法。
技术介绍
集成电路(integratedcircuit，IC)工业已经历指数性增长。集成电路材料及设计的技术进步已产生数代集成电路，其中每一代集成电路都具有比前一代集成电路更小且更复杂的电路。在集成电路演变的过程中，功能密度(functionaldensity)(亦即，每芯片面积的互连装置的数量)通常增加，而几何尺寸(亦即，可使用制造过程所创造的最小组件(或线))则减小。这种缩小过程通常通过提高产生效率及降低相关成本而提供益处。这种缩小也增加处理及制造集成电路的复杂性，且需要集成电路处理及制造中的类似发展，以实现这些进步。举例来说，材料沉积技术，例如化学气相沉积(chemicalvapordeposition，CVD)、等离子体增强化学气相沉积(plasma-enhancedchemicalvapordeposition，PECVD)、原子层沉积(atomiclayerdeposition，ALD)及等离子体增强原子层沉积(plasma-enhancedatomi本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沉积方法，包括：/n通过原子层沉积在一腔室中的一基板上沉积一含铝层，其中该沉积的操作还包括：/n在具有一第一峰值脉冲流率及一第一脉冲宽度的一第一脉冲中使该基板与一含铝前驱物接触；/n使该基板与一含氮前驱物接触；/n在具有一第二峰值脉冲流率及一第二脉冲宽度的一第二脉冲中使该基板与该含铝前驱物接触；以及/n使该基板与该含氮前驱物接触；/n其中该第一峰值脉冲流率大于该第二峰值脉冲流率；/n其中该第一脉冲宽度小于该第二脉冲宽度。/n

【技术特征摘要】
20180918 US 62/732,724;20190826 US 16/550,9011.一种沉积方法，包括：
通过原子层沉积在一腔室中的一基板上沉积一含铝层，其中该沉积的操作还包括：
在具有一第一峰值脉冲流率及一第一脉冲宽度的一第一脉冲中使该基板与一含铝前驱物接触；
使该基板与一含氮前驱物接触；
在具有一第二峰值脉冲流率及一第二脉冲宽度的一第二脉冲中使该基板与该含铝前驱物接触；以及
使该基板与该含氮前驱物接触；
其中该第一峰值脉冲流率大于该第二峰值脉冲流率；
其中该第一脉冲宽度小于该第二脉冲宽度。


2.如权利要求1所述的沉积方法，其中该第一峰值脉冲流率及该第一脉冲宽度的乘积大致上相同于该第二峰值脉冲流率及该第二脉冲宽度的乘积。


3.如权利要求1所述的沉积方法，其中在该第一脉冲中的该含铝前驱物的一第一总量大致上相同于在该第二脉冲中的该含铝前驱物的一第二总量。


4.如权利要求1所述的沉积方法，
其中该第一脉冲宽度为已达到该第一峰值脉冲流率之后的一脉冲持续期间，
其中该第二脉冲宽度为已达到该第二峰值脉冲流率之后的一脉冲持续期间。


5.一种沉积方法，通过在多个循环中的原子层沉积在一基板上沉积一薄层，该沉积方法包括：
提供一系统，包括：
一...

【专利技术属性】
技术研发人员：林志男，洪牧民，许凯翔，刘定一，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71