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本公开涉及沉积方法及互连结构，本公开实施例提供含铝层及形成含铝层的系统及方法。在一实施例中，一种沉积方法，包括：通过原子层沉积在一腔室中的一基板上沉积一含铝层，其中沉积的操作还包括：在具有一第一峰值脉冲流率及一第一脉冲宽度的一第一脉冲中使基...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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