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本发明提供一种柔性基底上低温沉积光学性能可调氮化硅的方法，包括提供衬底，并在所述衬底上形成柔性基底；通过电感耦合等离子体化学气相沉积法在所述柔性基底上沉积光学可调的氮化硅薄膜，其中沉积温度为25‑150℃，并通入反应载气，所述反应载气包括硅...该专利属于上海新微技术研发中心有限公司;江苏鲁汶仪器有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新微技术研发中心有限公司;江苏鲁汶仪器有限公司授权不得商用。