量子点膜及背光模组制造技术

本发明专利技术公开了一种量子点膜及背光模组，该量子点膜包括：具有晶区和非晶区的聚合物，在晶区内，高分子链规律排列，在非晶区内，高分子链无序排列，聚合物形成层状；量子点，分散在晶区内的高分子链之间。量子点分散在规律排列的高分子链之间，规律排列的高分子链对分散在其间的量子点具有保护作用，降低外界的水氧等对量子点的不利影响。从而该量子点不易受到水、氧等对其的破坏，使得该量子点膜在包括水氧等的环境中具有良好的稳定性。背光模组包括该量子点膜。

Quantum dot film and backlight module

【技术实现步骤摘要】
量子点膜及背光模组
本申请属于量子点领域，特别涉及一种量子点膜及背光模组。
技术介绍
量子点膜作为波长转换元件，在显示、照明等领域广泛应用。一般，量子点膜都是将量子点分散在聚合物中。如果现有的量子点膜不受阻隔膜等保护，而放置在空气中的话，量子点膜中的量子点对水、氧等较为敏感，量子点容易受到破坏。进一步的，会造成量子点膜的失效。
技术实现思路
针对上述技术问题，本申请提供一种降低对水氧等因素敏感性的量子点膜。一种量子点膜，包括：具有晶区和非晶区的聚合物，在晶区内，高分子链规律排列，在非晶区内，高分子链无序排列，聚合物形成层状；量子点，分散在晶区内的高分子链之间。根据高分子链排列规律的不同，晶区的聚合物可以形成相应的形态，例如单晶、球晶、树枝状晶、纤维晶、串晶、柱晶、伸直链晶体等。也就是说，在晶区内，量子点分散在形成单晶或球晶或树枝状晶或纤维晶或串晶或柱晶或伸直链晶体等形态的高分子链之间。量子点膜中的聚合物形成层状，该量子点膜的形状基本以该聚合物形成的层状为主要形状。也就是说，该量子点膜中的基质为该具有晶区和非晶区的聚合物，量子点分散在该聚合物中。量子点分散在规律排列的高分子链之间，规律排列的高分子链对分散在其间的量子点具有保护作用，降低外界的水氧等对量子点的不利影响。从而该量子点不易受到水、氧等对其的破坏，使得该量子点膜在包括水氧等的环境中具有良好的稳定性。在其中一个实施例中，聚合物的结晶度为25％～40％；优选的，聚合物的结晶度为30％～35％。r>专利技术人发现，该聚合物的结晶度对量子点膜的韧性具有至关重要的作用；并且结晶度是高分子链规律排列程度的参数，其对量子点处于免受水氧等不良影响有着重要的作用。当聚合物的结晶度处于该范围内时，量子点膜的韧性和高分子链对量子点的保护处于较好的平衡状态，从而使得量子点膜在力学性能和稳定性方面处于一个较佳的水准。在其中一个实施例中，量子点膜的厚度为1微米至500微米。在其中一个实施例中，聚合物的主链选自聚烯烃类聚合物、聚酯类聚合物、聚酯酸酯类聚合物、聚酰胺类聚合物、聚酰亚胺类聚合物及其组合物。具体的，聚合物可以为聚乙烯、聚偏二氟乙烯、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯醇、聚苯乙烯、聚丙烯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚亚癸基甲酰胺、聚癸二酰己二胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、二醇改性的聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、乙酸丁酸纤维素、棕榈蜡、聚甲基苯基有机硅、聚二甲基硅氧烷等。在其中一个实施例中，聚合物的熔融指数为5g/10min～20g/10min。专利技术人发现，当聚合物的熔融指数处于该范围内时，量子点膜具有良好的光学性能，使得量子点膜具有良好的透光性。在其中一个实施例中，还包括烃类添加剂，烃类添加剂选自饱和的链烷烃、饱和的环烷烃中至少一种。在此，烃类添加剂可以使得量子点与聚合物之间能够良好的相容，使得量子点能够在高分子链之间均匀的分散。换句话说，烃类添加剂在复合材料中既可以使得量子点增加分散数量又可以减少量子点之间的团聚，从而量子点稳定的分散在高分子链之间，提升该量子点膜的稳定性。在其中一个实施例中，饱和的链烷烃或饱和的环烷烃的碳原子数量为10～30；优选的，饱和的链烷烃或饱和的环烷烃的碳原子数量为16～24。碳原子数量处于上述范围内的饱和的链烷烃和饱和的环烷烃具有合适的沸点和熔点。这些烃类添加剂在量子点膜中，具有稳定的物理状态。因此在这些烃类添加剂的作用下，量子点也能够稳定的分散在高分子链之间，因而量子点膜具有良好的稳定性。更为优选的，该烃类添加剂可以是饱和的链烷烃和饱和的环烷烃的混合物，这些混合物具有良好的稳定性，例如白油。白油是由石油所得精炼液态烃的混合物，主要为饱和的环烷烃与链烷烃混合物，原油经常压和减压分馏、溶剂抽提和脱蜡，加氢精制而得。在其中一个实施例中，烃类添加剂在量子点膜中的质量分数为1％～10％。在其中一个实施例中，量子点在量子点膜中的质量分数范围为0.1％至3％；优选的，在非晶区内，量子点占量子点膜中的质量分数小于0.05％；更优选的，在非晶区内，量子点占量子点膜中的质量分数小于0.01％。在其中一个实施例中，量子点包括核和壳层，量子点的壳层在由Zn、Cd组成的组和由S、Se、Te组成的组中各自选择至少一种元素；优选的，量子点的壳层的厚度大于2纳米且小于10纳米。具体的，根据组成核的元素的不同，量子点可以为IIB-VIA族量子点、IIIA-VA族量子点、IVA-VIA族量子点、IVA族量子点、IB-IIIA-VIA族量子点、VIII-VIA族量子点或者钙钛矿量子点等。而量子点的壳层可以为ZnS、ZnSe、CdS、CdZnS、CdZnSe、CdZnSeS等。专利技术人发现，当量子点的壳层的厚度处于该范围内时，该量子点具有较佳的稳定性，从而进一步提升量子点/聚合物材料的稳定性。一种背光模组，包括：发光器件；光学板，接受发光器件的光；量子点膜，光学板承载量子点膜；其中，量子点膜包括聚合物和量子点；其中，聚合物包括晶区和非晶区，在晶区内，高分子链规律排列，在非晶区内，高分子链无序排列，聚合物形成层状；量子点，分散在晶区内的高分子链之间。附图说明图1为本申请实施方式中背光模组的结构示意图。在附图中相同的部件使用了相同的附图标记。附图仅示意性地显示了本申请的实施方案。具体实施方式下面将结合本申请实施方式，对本申请实施例中的技术方案进行详细地描述。应注意的是，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部实施方式。实施例一：该量子点膜包括聚丙烯、CdZnSe/ZnSe量子点、白油，该量子点膜的厚度为250微米。聚丙烯的晶体形态为串晶，CdZnSe/ZnSe量子点分散在聚丙烯的串晶的高分子链之间。CdZnSe/ZnSe量子点壳层的厚度分布在4纳米至6纳米之间，这些CdZnSe/ZnSe量子点壳层的平均厚度为5纳米。聚丙烯、CdZnSe/ZnSe量子点、白油之间的质量之比为98:1：1。实施例二：该量子点膜包括聚乙烯、InP/ZnS量子点、白油，该量子点膜膜的厚度为25微米。聚乙烯的晶体形态包括球晶、串晶，InP/ZnS量子点分散在聚乙烯的球晶和串晶的高分子链之间。InP/ZnS量子点壳层的厚度分布在3纳米至9纳米之间，这些InP/ZnS量子点壳层的平均厚度为6纳米。聚乙烯、InP/ZnS量子点、白油之间的质量之比为三者的质量之比为97：1：2。实施例三：该量子点膜包括聚苯乙烯、CuInS2/ZnS量子点、白油，该量子点膜的厚度为400微米。聚苯乙烯的晶体形态包括球晶，CuInS2/ZnS量子点分散在聚苯乙烯的球晶的高分子链之间。CuInS2/ZnS量子点壳层的厚度分布在纳米2至10纳米之间，这些CuInS2/ZnS量子点壳层的平均厚度为6纳米。聚苯乙烯、CuInS2/ZnS本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.量子点膜，包括：/n具有晶区和非晶区的聚合物，在所述晶区内，高分子链规律排列，在所述非晶区内，高分子链无序排列，所述聚合物形成层状；/n量子点，分散在所述晶区内的高分子链之间。/n

【技术特征摘要】
1.量子点膜，包括：
具有晶区和非晶区的聚合物，在所述晶区内，高分子链规律排列，在所述非晶区内，高分子链无序排列，所述聚合物形成层状；
量子点，分散在所述晶区内的高分子链之间。


2.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，所述聚合物的结晶度为25％～40％；
优选的，所述聚合物的结晶度为30％～35％。


3.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，所述量子点膜的厚度为10微米至500微米。


4.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，所述聚合物的主链选自聚烯烃类聚合物、聚酯类聚合物、聚酯酸酯类聚合物、聚酰胺类聚合物、聚酰亚胺类聚合物及其组合物。


5.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，还包括烃类添加剂，所述烃类添加剂选自饱和的链烷烃、饱和的环烷烃中至少一种。


6.根据权利要求5所述的量子点膜，其特征在于，所述饱和的链烷烃或饱和的环烷烃的碳原子数量为10～30；
优选的，所述饱和的链烷烃或饱和的环烷烃的碳原子数量为16～24。

【专利技术属性】
技术研发人员：王允军，马卜，
申请(专利权)人：苏州星烁纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32