一种用于光致发光的核壳结构量子点、量子点制品制造技术

本申请提供一种用于光致发光的核壳结构量子点，包括晶核、包覆于所述晶核外的第一壳层、包覆在所述第一壳层的第二壳层，所述第一壳层的能带隙介于所述晶核的能带隙与所述第二壳层的能带隙之间，所述晶核、所述第一壳层、所述第二壳层中的至少一层包括吸光材料，所述吸光材料的摩尔吸光系数大于10<supgt;5</supgt;L/mol.cm，吸光材料可以有效提高核壳结构量子点在450nm波长下的吸光度，从而获得光学性能优异的包含该核壳结构量子点的量子点制品。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于纳米，具体涉及一种用于光致发光的核壳结构量子点、量子点制品。

技术介绍

1、量子点(quantum dots)，又称半导体纳米晶体，是一种新型的半导体纳米材料，尺寸在1-10nm。由于量子尺寸效应和介电限域效应使它们具有独特的光致发光(pl)和电致发光(el)性能。与传统的有机荧光染料相比，量子点具有量子产率高，光化学稳定性高，不易光解，以及宽激发、窄发射，高色纯度，发光颜色可通过控制量子点粒径进行调节等优良的光学特性，在显示领域具有广泛的应用前景，其中量子点光致发光膜作为目前关注度最高的应用方式之一，成为研究热点。

2、目前，inp量子点具有优异的发光性能以及无镉特性，在显示应用方面前景可期。然而inp同样具有一些不足，存在量子产率(qy)低、在450nm波长下的吸光度(od450)低等问题，不能满足后端光致发光应用需求，这些都制约了inp量子点商业化应用的发展。

技术实现思路

1、针对上述技术问题，本申请提供一种用于光致发光的核壳结构量子点，包括晶核、包覆于所述晶核外的第一壳层、包覆本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于光致发光的核壳结构量子点，包括晶核、包覆在所述晶核外的第一壳层、包覆在所述第一壳层外的第二壳层，其特征在于，所述第一壳层的能带隙介于所述晶核的能带隙与所述第二壳层的能带隙之间，所述晶核、所述第一壳层、所述第二壳层中的至少一层包括吸光材料，所述吸光材料的摩尔吸光系数大于105L/mol.cm。

2.根据权利要求1所述的用于光致发光的核壳结构量子点，其特征在于，所述吸光材料的能带隙不小于所述晶核的能带隙。

3.根据权利要求2所述的用于光致发光的核壳结构量子点，其特征在于，所述吸光材料的能带隙为2.0～2.7eV。

4.根据权利要求1所述的用于光...

【技术特征摘要】

1.一种用于光致发光的核壳结构量子点，包括晶核、包覆在所述晶核外的第一壳层、包覆在所述第一壳层外的第二壳层，其特征在于，所述第一壳层的能带隙介于所述晶核的能带隙与所述第二壳层的能带隙之间，所述晶核、所述第一壳层、所述第二壳层中的至少一层包括吸光材料，所述吸光材料的摩尔吸光系数大于105l/mol.cm。

2.根据权利要求1所述的用于光致发光的核壳结构量子点，其特征在于，所述吸光材料的能带隙不小于所述晶核的能带隙。

3.根据权利要求2所述的用于光致发光的核壳结构量子点，其特征在于，所述吸光材料的能带隙为2.0～2.7ev。

4.根据权利要求1所述的用于光致发光的核壳结构量子点，其特征在于，所述核壳结构量子点的能带隙为2.0～3.6ev。

5.根据权利要求1所述的用于光致发光的核壳结构量子点，其特征在于，所述晶核、所述第一壳层、所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王杨杨，马卜，刘伟，王允军，韦艳君，
申请(专利权)人：苏州星烁纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：